KR970067587A - 패턴분할방법 및 노광방법 - Google Patents

패턴분할방법 및 노광방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970067587A
KR970067587A KR1019970010873A KR19970010873A KR970067587A KR 970067587 A KR970067587 A KR 970067587A KR 1019970010873 A KR1019970010873 A KR 1019970010873A KR 19970010873 A KR19970010873 A KR 19970010873A KR 970067587 A KR970067587 A KR 970067587A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit pattern
divided
reticle
photosensitive substrate
dividing
Prior art date
Application number
KR1019970010873A
Other languages
English (en)
Inventor
마나부 도구찌
Original Assignee
고노 시게오
니콘 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8099324A external-priority patent/JPH09266168A/ja
Priority claimed from JP11030596A external-priority patent/JPH09274307A/ja
Application filed by 고노 시게오, 니콘 코포레이션 filed Critical 고노 시게오
Publication of KR970067587A publication Critical patent/KR970067587A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 패턴분할방법 및 노광방법에 관한 것으로, 복수의 화소(畵素)에 대응하여 복수의 전극이 형성된 표시부와, 그 표시부의 상기 각 전극에 도통되어 상기 표시부를 에워싸듯이 형성된 도통부로 이루어지는 회로 패턴을 레티클에 형성할 때의 회로패턴분할방법에 있어, 상기 회로패턴을 복수의 영역에 분할할 때에 적어도 하나의 분할 영역에 상기 표시부의 일부와 상기 도통부의 일부를 포함하여 분할하고, 상기 회로패턴을 분할해서 얻은 분할회로패턴이 그려진 레티클을 감광기판에 대해 노광시, 상기 회로패턴의 인접영역에 있어 서로 이웃하는 분할회로패턴을 동시에 노광하도록 하면 노광횟수를 줄어들어 노광장치의 쓰루풋(throughput)를 향상시킬 수 있다.

Description

패턴분할방법 및 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 액정디스플레이의 회로패턴분할방법을 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 복수의 화소(畵素)에 대응하여 복수의 전극이 형성된 표시부와, 그 표시부의 상기 각 전극에 도통되어상기 표시부를 에워싸듯이 형성된 도통부로 이루어지는 회로패턴을 레티클에 형성할 때의 회로패턴분할방법에 있어, 상기 회로패턴을 복수의 영역에 분할 때에, 적어도 하나의 분할 영역에 상기 표시부의 일부와 상기 도통부의 일부를 포함하여 분할하는 것을 특징으로 하는 회로패턴분할방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회로패턴은 투영광학계를 갖는 노광장치에 의해 감광기판에 노광되고, 상기 회로패턴의 크기와, 상기 각 도통부의 수와, 상기 투영광학계의 유효경의 크기 중 적어도 어느 하나에 의거하여 분할되는 회로패턴분할방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 회로패턴분할을 이용해서 형성된 회로패턴.
  4. 하나의 회로패턴을 분할해서 얻은 분할 회로패턴이 그려진 레티클을 감광기판에 대해 노광하는 것으로, 그 감광기판에 둘 이상의 상기 회로패턴을 노광하는 노광방법에 있어, 상기 감광기판에 노광된 상기 회로패턴의 제1분할 회로패턴과, 그 분할회로패턴과 상기 감광기판상에서 서로 이웃하는 상기 회로패턴의 제2분할회로패턴을 상기 레티클상에 형성하여, 노광시에는, 상기 레티클에 그려진 상기 제1분할회로패턴과 상기 제2분할회로패턴을 동시에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 회로패턴은 액정표시소자의 패턴임을 특징으로 하는 노광방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1분할회로패턴과 상기 제2분할회로패턴 사이에 소정의 간격이 형성된 것을 특징으로 하는 노광방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 소정의 간격은 상기 노광에 이용되는 노광을 차광하는 노광방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 하나의 회로패턴은 상기 레티클의 유효필드보다도 큰 노광방법.
  9. 하나의 회로패턴을 분할해서 얻은 분할 회로패턴을 투영광학계를 통해서 감광기판에 대해 노광하는 것으로, 그 감광기판에 둘 이상의 상기 회로패턴을 노광할 때에 사용되는 레티클에 있어, 상기 감광기판에 노광되는 상기 회로패턴의 제1분할 회로패턴과, 그 분할회로패턴과 상기 감광기판상에서 서로 이웃하는 상기 회로패턴의 제2분할회로패턴이 감광패턴으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레티클.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970010873A 1996-03-28 1997-03-27 패턴분할방법 및 노광방법 KR970067587A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99324/1996 1996-03-28
JP8099324A JPH09266168A (ja) 1996-03-28 1996-03-28 露光方法及びレチクル
JP11030596A JPH09274307A (ja) 1996-04-05 1996-04-05 回路パターン分割方法
JP110305/1996 1996-04-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970067587A true KR970067587A (ko) 1997-10-13

Family

ID=26440464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970010873A KR970067587A (ko) 1996-03-28 1997-03-27 패턴분할방법 및 노광방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5859690A (ko)
KR (1) KR970067587A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527078B1 (ko) * 1998-12-24 2006-02-08 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 패널의 제조방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1155851C (zh) * 1997-03-10 2004-06-30 佳能株式会社 液晶显示装置,应用此装置的投影仪及此装置的制作方法
TW432469B (en) * 1998-02-06 2001-05-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and recording medium
JP2000029053A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置およびその製造方法
TW447009B (en) 1999-02-12 2001-07-21 Nippon Kogaku Kk Scanning exposure method and scanning type exposure device
US6043864A (en) * 1999-03-08 2000-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Alignment method and apparatus using previous layer calculation data to solve critical alignment problems
JP4294311B2 (ja) * 2002-12-27 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板
KR100575230B1 (ko) * 2002-12-28 2006-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 장치를 이용한 노광 방법
JP5294489B2 (ja) * 2009-12-14 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
NL2008157A (en) * 2011-02-22 2012-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and lithographic projection method.
JP2017030130A (ja) * 2015-08-06 2017-02-09 ブラザー工業株式会社 切断データ作成装置及び切断データ作成プログラム
US10923456B2 (en) * 2018-12-20 2021-02-16 Cerebras Systems Inc. Systems and methods for hierarchical exposure of an integrated circuit having multiple interconnected die
CN113885299A (zh) * 2021-11-16 2022-01-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4878086A (en) * 1985-04-01 1989-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display device and manufacturing of the same
US4814830A (en) * 1985-04-01 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display device and manufacturing of the same
US4708466A (en) * 1986-02-07 1987-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP3027990B2 (ja) * 1991-03-18 2000-04-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527078B1 (ko) * 1998-12-24 2006-02-08 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 패널의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5859690A (en) 1999-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970067587A (ko) 패턴분할방법 및 노광방법
KR970048753A (ko) 패턴형성방법 및 액정표시장치의 제조방법
KR900012122A (ko) 액티브 매트릭스형 액정화상 표시장치 및 그 제조장치
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970048985A (ko) 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법
KR980005342A (ko) 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크
KR100253580B1 (ko) 스티칭 노광 공정에 사용되는 마스크
KR960015704A (ko) 노광기의 광 차단수단
KR960024647A (ko) 반도체소자용 노광마스크
KR100392071B1 (ko) 피치가 최소패턴폭보다 좁고 패턴인식이 최소폭보다 넓은 식별패턴을 갖는 레티클
KR960019481A (ko) 반도체 패턴 형성 방법
KR950014995A (ko) 투영 노광장치(projection exposure apparatus)
KR960019486A (ko) 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법
KR960029845A (ko) 시야각 개선을 위한 액정 표시 장치의 배향막 형성 방법
KR970016682A (ko) 액정 표시 장치용 패널
KR100303799B1 (ko) 반도체소자용마스크패턴
KR970028798A (ko) 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토 마스크
KR980010603A (ko) 포토마스크 제조방법
KR960019485A (ko) 노광마스크
CN104299943A (zh) 阵列基板及其制造方法和显示面板
KR970028690A (ko) 액정 표시 장치의 에칭 스톱퍼 제조방법
KR950015573A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950014974A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR970022527A (ko) 반도체 장치의 포토마스크 구조
KR950021040A (ko) 반도체 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee