KR970022527A - 반도체 장치의 포토마스크 구조 - Google Patents

반도체 장치의 포토마스크 구조 Download PDF

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KR970022527A
KR970022527A KR1019950037283A KR19950037283A KR970022527A KR 970022527 A KR970022527 A KR 970022527A KR 1019950037283 A KR1019950037283 A KR 1019950037283A KR 19950037283 A KR19950037283 A KR 19950037283A KR 970022527 A KR970022527 A KR 970022527A
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KR
South Korea
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light
photomask
shielding film
semiconductor device
light shielding
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KR1019950037283A
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오석환
유영훈
남정림
문주태
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적화된 반도체 장치의 미세 접촉구(contact hole)를 형성하기 위하여 사용되는 포토레지스트의 패턴을 형성하는데 적용되는 포토마스크의 구조에 관한 것으로, 포토마스크 기판상에 투광되는 빛을 차단하는 역할을 맡도록 형성된 차광막과; 상기 차광막상 수직적으로 형성된 다수의 수직 선형패턴과; 상기 차광막상에 수평적으로 형성된 다수의 수평선형패턴과; 상기 수평적인 선형패턴과 상기 수직적인 선형패턴의 교차로 형성된 다수의 미세 접촉창 영역을 포함한다. 이와같은 구조의 포토마스크의 미세 접촉창 영역은 투과된 빛의 이미지 콘트라스트(image contrast)를 향상시킴으로써 고집적화된 반도체 장치의 제조에 사용되는 포토레지스트의 미세 접촉구 패턴을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 포토마스크 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 포토마스크의 구조를 도시한 평면도.

Claims (2)

  1. 포토마스크 기판(10)상에 투광되는 빛을 차단하도록 형성된 차광막(20)과: 상기 차광막(20)상에 수직적으로 형성된 다수의 수직 선형패턴(40a)과; 상기 차광막(20)상에 수평적으로 형성된 다수의 수평 선형패턴(40b)과; 상기 두개의 선형패턴(40)의 교차로 형성되는 미세 접촉창 영역(30a)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토마스크 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두개의 선형패턴(40)의 넓이는 한계해상도 이하의 빛을 투과시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토마스크 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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