KR890007391A - 스텦퍼에 사용되는 x-레이 노광 마스크 - Google Patents

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후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

스텝퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8(a)도는 본 발명에 의한 X-레이 마스크의 일실시예의 평면도, 제8(b)도는 제8(a)도의 마스크의 횡단면도.
제9 내지 11도는 본 발명에 의한 X-레이 마스크의 커버영역내에 형성되는 패턴도.

Claims (6)

  1. X-레이 비임을 사용하여 반도체 웨이퍼상에 형성되는 레지스트층을 패턴닝하기 위해 사용되는 X-레이 노출 마스크에 있어서, 상기 마스크는 X-레이 비임에 투과성이고, 그 표면이 중앙에 위치되는 제1영역과 상기 제1영역을 둘러쌓는 제2영역으로 구성되는 막과, 흡수체가 없는 빈 부분들에 의해 형성되는 제1그룹의 패턴들을 포함하되, X-레이 비임에 투과성이며, 상기 반도체 웨이퍼상으로 전사시켜 주는 상기 패턴들을 포함하는 상기 제1영역상에 형성되는 제1X-레이 흡수체와, 흡수체가 없는 빈 부분들에 의해 형성되는 제2그룹의 패턴들을 포함하는 상기 제2영역상에 형성되는 제2 X-레이 흡수체를 포함하는것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
  2. 제1항에서, 상기 제2그룹의 패턴들의 밀도는 상기 제1그룹의 패턴들의 밀도와 사실상 동일한 것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
  3. 제2항에서, 상기 제1그룹의 패턴들과 제2그룹의 패턴들의 밀도들간의 차가 30% 이하인 것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
  4. 제1항에서, 상기 제2그룹의 패턴들은 체커 패턴들을 포함하는 것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
  5. 제4항에서, 상기 체커 패턴들은 흡수체가 없는 수직 및 수평 빈선들에 의해 서로 분리되는 섬이 된 장방형 흡수체를 포함하는 것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
  6. 제4항에서, 상기 체커 패턴들은 흡수체가 없는 섬형이 된 장방형 빈 부분과 상기 빈 부분 각각을 둘러쌓는 수직 및 수평 흡수체 선들을 포함하는 것이 특징인 스텦퍼에 사용되는 X-레이 노광 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8711653A 1986-10-28 1987-10-20 Mask for x-ray stepper KR900007899B1 (en)

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