JPH02968A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JPH02968A JPH02968A JP63140700A JP14070088A JPH02968A JP H02968 A JPH02968 A JP H02968A JP 63140700 A JP63140700 A JP 63140700A JP 14070088 A JP14070088 A JP 14070088A JP H02968 A JPH02968 A JP H02968A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体集積回路の製造に用いられるフォトマスクに関し
、 静電気のチャージアップによる遮光膜ノくターンの破壊
を防止することを目的とし、 透光性基板と、該基板上に形成された、ノくターン形成
用の遮光膜領域と、 該遮光膜領域の周囲に設けられた導電膜領域を備え、該
導１！膜領域は連続した１個の領域であり、該遮光膜領
域を囲んで構成する。
、 静電気のチャージアップによる遮光膜ノくターンの破壊
を防止することを目的とし、 透光性基板と、該基板上に形成された、ノくターン形成
用の遮光膜領域と、 該遮光膜領域の周囲に設けられた導電膜領域を備え、該
導１！膜領域は連続した１個の領域であり、該遮光膜領
域を囲んで構成する。
本発明は、半導体集積回路の製造に用いられるフォトマ
スクに関する。
スクに関する。
半導体集積回路において、例えば配線層のバターニング
を行なう場合に、エツチングマスクとしてレジスト膜を
バターニング形成する。
を行なう場合に、エツチングマスクとしてレジスト膜を
バターニング形成する。
この際に透光性基板上に遮光性膜、例えばクロム（Ｃｒ
）をバターニング形成したマスクを用い、このマスクに
光（紫外光等）を通して前記レジスト膜を選択的に露光
する。
）をバターニング形成したマスクを用い、このマスクに
光（紫外光等）を通して前記レジスト膜を選択的に露光
する。
このようなフォトマスクに、例えば透明ガラス基板上に
クロム（Ｃｒ）などの遮光膜をスパッタ法により被着し
、次いでその上に、フォトレジストをスピンコード法に
より塗布し、フォトレジストをバターニングした後、こ
れをマスクにして、遮光膜をバターニング形成する。
クロム（Ｃｒ）などの遮光膜をスパッタ法により被着し
、次いでその上に、フォトレジストをスピンコード法に
より塗布し、フォトレジストをバターニングした後、こ
れをマスクにして、遮光膜をバターニング形成する。
このようにして作成したフォトマスクを第２図に示す。
即ち、円板状の透明ガラス基板１上に砂地で示すクロム
膜２が形成され％また・ｐＨ〜Ｐ！？で示す集積回路の
１チツプに対応するｉｌ！光膜領域には、図示はしてい
ないものの、例えば配線ノ（ターンに対応する微細なり
ａム膜パターンが形成されている。
膜２が形成され％また・ｐＨ〜Ｐ！？で示す集積回路の
１チツプに対応するｉｌ！光膜領域には、図示はしてい
ないものの、例えば配線ノ（ターンに対応する微細なり
ａム膜パターンが形成されている。
図示の通り、従来では遮光膜領域のうち、角に位置する
ｐＨ＋ ｐｌ、ｌ ｐｕｓ ｌ Ｐｌ？ ＋ Ｐ５ｔ
＋ Ｐ丁８＋Ｐ？ｔ＋Ｐ、ｌによって、その周囲に残存
するクロム膜は８個の小領域に分割される。
ｐＨ＋ ｐｌ、ｌ ｐｕｓ ｌ Ｐｌ？ ＋ Ｐ５ｔ
＋ Ｐ丁８＋Ｐ？ｔ＋Ｐ、ｌによって、その周囲に残存
するクロム膜は８個の小領域に分割される。
この様なフォトマスクは、その製作過程で発生する静電
気が、これらの小領域に蓄積され、遂には放電するが、
その際にチップ内のパターンに対応する遮光パターンを
破壊し、パターンの欠落を発生させてしまう。
気が、これらの小領域に蓄積され、遂には放電するが、
その際にチップ内のパターンに対応する遮光パターンを
破壊し、パターンの欠落を発生させてしまう。
〔課＠を解決するための手段〕
上記ａＷ１１に解決するために、本発明によるフォトマ
スクは、 透光性基板と、 該透光性基板上に形成された、パターン形成用の遮光膜
領域と、 該遮光膜領域の′周囲に設けられた導電膜領域とを備え
、 該導電膜領域は、連続した１個の領域であり、該遮光膜
領域を囲んでなることを特徴とする。
スクは、 透光性基板と、 該透光性基板上に形成された、パターン形成用の遮光膜
領域と、 該遮光膜領域の′周囲に設けられた導電膜領域とを備え
、 該導電膜領域は、連続した１個の領域であり、該遮光膜
領域を囲んでなることを特徴とする。
この様な本発明によれば、５−ｙｔ膜領領域周囲に大面
積の導’を層領域があるので、チャージアップによる放
ｔを抑えることができ、遮光膜領域内のパターンを破壊
することはなくなる。
積の導’を層領域があるので、チャージアップによる放
ｔを抑えることができ、遮光膜領域内のパターンを破壊
することはなくなる。
第１図に、本発明の一実施例を示す。
ガラス基板１上に形成されたクロム膜２は、遮光領域Ｐ
１１〜ｐｉｔのうち、角部の８個所において各領域の肩
を取り、遮光領域を囲む、連続した導１！頌域を形成す
る。
１１〜ｐｉｔのうち、角部の８個所において各領域の肩
を取り、遮光領域を囲む、連続した導１！頌域を形成す
る。
この様な大きな導電領域とすることにより、チャージア
ップしても放電には到ることがなくパターンの破壊は生
じない。
ップしても放電には到ることがなくパターンの破壊は生
じない。
尚、この様に、クロム膜を連続した状態で残すには、第
３図に示すようにすればよい。第３図（ａ）は平面図、
同図（ｂ）は（ａ）の八−人′線に沿った断面図である
。
３図に示すようにすればよい。第３図（ａ）は平面図、
同図（ｂ）は（ａ）の八−人′線に沿った断面図である
。
透明ガラス基板１上にクロム膜２を形成し、その上にボ
ージレジスト＋１！Ｉ３を形成する。
ージレジスト＋１！Ｉ３を形成する。
サラに、ポリビニール・アルコール水溶液を染料によっ
て黒色化したプロテクト膜４を周囲に塗布した染、露光
すると、プロテクト膜４下のレジストは感光せず、マス
クとして残るので、周囲のクロム膜を第１図の様に残す
ことができる。
て黒色化したプロテクト膜４を周囲に塗布した染、露光
すると、プロテクト膜４下のレジストは感光せず、マス
クとして残るので、周囲のクロム膜を第１図の様に残す
ことができる。
ターン破壊を防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す因、第２図は、従来
例を示す図、 第３図は、第１因の実施例全英視するための方法を示す
図である。 図において、１は透光性基板、２は導電膜領域、ｐＨ〜
ｐｓｔはＳ元膜領域金示す。 〔発明の効果〕 以上の様な本発明によれば、７オトマスクのパ不免明の
一実訃ヨ列袋示を図 従来づ列奢示７図
例を示す図、 第３図は、第１因の実施例全英視するための方法を示す
図である。 図において、１は透光性基板、２は導電膜領域、ｐＨ〜
ｐｓｔはＳ元膜領域金示す。 〔発明の効果〕 以上の様な本発明によれば、７オトマスクのパ不免明の
一実訃ヨ列袋示を図 従来づ列奢示７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透光性基板と、 該透光性基板上に形成された、パターン形成用の遮光膜
領域と、 遮光膜領域の周囲に設けられた導電膜領域とを備え、 該導電膜領域は、連続した１個の領域であり、該遮光膜
領域を囲んでなることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140700A JPH02968A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140700A JPH02968A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02968A true JPH02968A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=15274703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140700A Pending JPH02968A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4952871A (en) * | 1986-06-25 | 1990-08-28 | Mania Elektronik Automatisation Entwicklung Und Geratebau Gmbh | Method and apparatus of testing printed circuit boards and assembly employable therewith |
| JP2005311024A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US8617632B2 (en) | 2010-03-04 | 2013-12-31 | Ajinomoto Co., Inc. | Coffee whitener, process for producing same, and process for producing beverage |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748731A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of mask |
| JPS57122436A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Hitachi Ltd | Photomask |
| JPS57122439A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nec Corp | Optical mask |
| JPS5948767A (ja) * | 1982-09-11 | 1984-03-21 | Toshiba Corp | 転写用マスク |
| JPS6039046B2 (ja) * | 1976-12-09 | 1985-09-04 | 太平洋セメント株式会社 | オクタフルオロイソブテンの除去方法 |
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| JPS625243A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Ricoh Co Ltd | コンタクト露光用マスク |
| JPS62105146A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Hoya Corp | 転写マスクとその使用方法 |
| JPS62276551A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Ltd | マスクおよびその製造方法 |
| JPS62282432A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-08 | Canon Inc | Ｘ線露光用マスクおよび露光装置 |
| JPS63110634A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Fujitsu Ltd | Ｘ線ステツパ−用マスク |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63140700A patent/JPH02968A/ja active Pending
Patent Citations (11)
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| US8617632B2 (en) | 2010-03-04 | 2013-12-31 | Ajinomoto Co., Inc. | Coffee whitener, process for producing same, and process for producing beverage |
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