JPS62105146A

JPS62105146A - 転写マスクとその使用方法

Info

Publication number: JPS62105146A
Application number: JP60244720A
Authority: JP
Inventors: Sadao Sasaki; 佐々木　貞夫
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1985-10-31
Filing date: 1985-10-31
Publication date: 1987-05-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶パネル、エレクトロルミネセンスパネル
及びプラズマディスプレイパネル等の画素を形成するパ
ターンを作成する転写マスクとその使用方法に関し、特
に大形であり、かつ画素数の多いパネルの前述したパタ
ーンを形成する転写マスクとその使用方法に関する。

〔従来の技術〕

この種のパネルとしては、第８図に模式的に示す液晶パ
ネルがある。すなわち、１は透光性下基板、２は絶縁膜
、３は液晶駆動電極、４は液晶、５は共通電極及び６は
透光性上基板である。そして、この液晶パネルは、液晶
駆動電極３と共通電極５との間に電圧を印加すると、液
晶４が配向し、透光性下基板１から入射する入射光７は
、透光性上基板６から出射され、液晶駆動電極３に対応
する画素が表示される。すなわち、液晶駆動電極３は画
素を形成するパターン（以下、「画素用パターン」とい
う。）となっている。

従来、この様な画素用パターン（液晶駆動電極３）を形
成する方法として光学式パターンジェネレータを使用す
る方法が知られている。このパターンジェネレータは、
キセノンランプなどの光源から発光する光をコンデンサ
レンズで集光し、バリアプルアパーチャを通して拡大（
例：５〜１０倍）された矩形を形成し、この矩形を縮小
投影レンズを通して縮小（例：１１５〜１／１０倍）し
て、ＸＹステージ上に設置された、レジストを塗布した
被転写板（例えば、前述した透光性下基板１上に絶縁膜
２、透明導電膜を順次積層した被転写板。）に露光する
装置である。ここで、バリアプルアパーチャは４枚のブ
レードで矩形を形成し、向かいあったブレードの間隔を
調整することにより、任意の矩形が得られる。そして、
ＸＹステージは、光波干渉を利用した測長機やリニアエ
ンコーダ等の測長機と接続されて、ＸとＹの各テーブル
を駆動調整して、被転写板に露光すべきパターンを位置
決めする。上記露光後、現像・エツチング・レジスト剥
離の所定の工程を経て、被転写板上に画素用パターンを
形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の方法では、例えば、画素用パター
ンが６４０Ｘ　４８０個もあると、そのパターンの製作
に１０時間以上もかかつてしまう欠点があった。すなわ
ち、量産性が著しく低かった。また、大形のパネルのと
きには、当然透光性下基板も大きくなることから、これ
に見合った測長機の大型化が必要になり、この大型化に
伴って、機械加工精度の限界により測長機の精度が低下
し、結局パターンの位置決め精度の低下を余儀なくされ
る。

また、バリアプルアパーチャによる矩形の位置決め精度
の低下により解像度が低下し、更に投影レンズにおいて
も解像度が低下してしまう。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記した欠点を除去するためになされたもの
で、その第１発明は、複数の画素用パターンを設けた被
転写板の領域を、互いに重複する区域を設けて複数の区
域に分割し、前記分割区域内の重複区域外の区域の画素
用パターンに対応する転写パターンと、前記重複区域内
の画素用パターンに対応する転写パターンの一部とを有
することを特徴とする転写マスクであり、その第２発明
は、複数の画素用パターンを設けた被転写板の領域を、
互いに重複する区域を設けて複数の区域に分割し、前記
分割区域内の重複区域外の区域の画素用パターンに対応
する転写パターンと、前記重複区域内の画素用パターン
に対応する転写パターンの一部とを有する転写マスクを
前記分割区域数と同一数製作し、次に、レジストを塗布
した被転写板の分割区域に、所定の前記転写マスクを介
して露光し、前記転写パターンを転写することを特徴と
する転写マスクの使用方法である。また、その第３発明
は、複数の画素用パターンを設けた被転写板の領域を、
互いに重複する区域を設けて複数の区域に分割し、前記
分割区域内の重複区域外の区域の画素用パターンに対応
する転写パターンと、前記重複区域内の画素用パターン
に対応する転写パターンの一部とを有する転写マスクを
前記分割区域数と同一数製作し、次に、レジストを塗布
した中間被転写板の主表面の領域を前記分割区域数と同
一数に分割し、かつ前記中間被転写板の分割区域に、所
定の前記転写マスクを介して露光し、前記転写パターン
を転写し、前記中間被転写板を現像し、エツチングし、
レジスト剥離をし、前記転写パターンを設けた中間転写
マスクを製作し、次に、レジストを塗布した被転写板に
、前記中間転写マスクを介して露光し、前記中間転写マ
スクの転写パターンを転写することを特徴とする転写マ
スクの使用方法である。

〔実施例）本例の転写マスクとその使用方法を第１図〜第６図に基
づき以下に詳述する。なお、本例においては、前述した
液晶パネルの液晶駆動電極を画素用パターンとし、その
画素用パターンを形成するための転写マスクとその使用
方法について述べる。

先ず、本例のインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ
）からなる全画素用パターン８は第３図（ａ）　、　（
ｂ）に示すとおり、ソーダライムガラスからなる透光性
基板９　（２７０×２１０ｍｍで、全画素用パターン８
が設けられる範囲（第３図（ａ）のＣコで示される範囲
）は２２４Ｘ　１６８１１１ｍである。）上にＳｉ　０
２からなる絶縁膜１０を積層し、この絶縁膜１０上に設
けられている。

この断面一部切欠矩形状の全画素用パターン８は６４０
×４８０（ＩｌｉＩ設けられている（ただし第３図（ａ
）　、　（ｂ）には８×６個しか示していない。以下、
この８×６個に従って説明する。）。そしてこの全画素
用パターン８の個々の画素用パターン１１゜１２、１３
．１４．１５．１６．１７．１８．１９．２０．２１．
２２゜２３、２４．２５．２６．２７．２８．２９．３
０．３１．３２．３３゜３４、３５．３６．３７．３８
．３９．４０．４１．４２．４３．４４゜４５、４６．
４７．４８．４９．５０．５１．５２．５３．５４．５
５゜５６、５７及び５８は、それぞれ第３図（ａ）のＸ
方向の寸法Ｂ１及びＹ方向の寸法Ｂ２が約３３０μｍで
ある。また、Ｘ方向のピッチＣ１及びＹ方向のピッチＣ
２は約３５０μｍである。

次に、前述した全画素用パターン８の形成方法を述べる
。

先ず、前述した画素用パターン１１〜５８を第３図（ａ
）の左上の破線で示す区域５９．右上の二点鎖線で示す
区域６０．左下の一点鎖線で示す区域６１及び右下の破
線で示す区域６２の４分割とし、かつ、重複区域Ａ＋　
　（区域５９と区域６０との重複区域）１重複区域Ａ２
　　（区域５９と区域６１との重複区域）９重複区域Ａ
３　　（区域６１と区域６２との重複区域）１重複区域
Ａａ　　（区域６０と区域６２との重複区域）１重複区
域Ａ５　　（区域５９９区域６０１区域６１及び区域６
２の重複区域）を設けて分割している。そして、この４
分割区域に対応した、第１図に示す転写マスク６３．６
４．６５．６６を作成する。なお、第１図（ａ）。

（ｂ）　、　（ｃ）　、　（ｄ）はそれぞれ、転写マス
ク６３、転Ｖマスク６４、転写マスク６５及び転写マス
ク６６を示す平面図であり、転写マスク６３．６４．６
５．６６はそれぞれ、前述した区域５９．６０．６１．
６２に対応する。

この転写マスク６３〜６６は、次のようなパターンを有
している。

先ず、転写マスク６３は、画素用パターン１１〜１３及
び１９〜２１に対応する転写パターン１１〜７３及び１
６〜７８と、重複区域Ａ１．Ａ２　、Ａ５内の画素用パ
ターン１５．２２．２３．２７．３１．３６に対応する
転写パターン７５．７９．８０．８１．８５．８７と、
重複区域Ａ１゜Ａ２　、Ａ５内の画素用パターン１４．
２８．２９．３０゜３５、３７．３８．３９を形成する
ための、それぞれに対応する転写パターン用の矩形状の
予備パターン７４゜８２、８３．８４．８６．８８．８
９．９０と、十字状のアライメントマーク　１５１．　
１５２とを一主表面上に有している。転写マスク６４は
、画素用パターン１６〜１８及び２４〜２６に対応する
転写パターン９３〜９５及び９８〜１００と、重複区域
Ａ１．Ａ４．Ａｓ内の画素用パターン１４．３２．３４
．３８．４１．４２に対応する転写パターン９１．　１
０３．　１０５．　１０６．　１０９．　１１０と、重
複区域Ａ＋　、Ａ４　、Ａ５内の画素用パターン３０゜
３３、３９．４０を形成するための、それぞれに対応す
る転写パターン用の矩形状の予備パターン１０１゜１０
４、　１０７．　１０８と、十字状のアライメントマー
ク１５３．　１５４とを一主表面上に有している。

また、転写マスク６５は、画素用パターン４３〜４５及
び５１〜５３に対応する転写パターン１２１〜１２３及
び１２６〜１２８と、重複区域Ａ２　、Ａ３　、Ａｓ内
の画素用パターン２８．２９．３５．３７．３９．４６
に対応する転写パターン１１２．　１１３．　１１６．
　１１８．　１２０゜１２４と、重複区域Ａ２　、Ａ３
　、Ａｓ内の画素用パターン３０．４７．５４．５５を
形成するための、それぞれに対応する転写パターン用の
矩形状の予備パターン１１４．　１２５．　１２９．　
１３０と、十字状のアライメントマーク１５５．　１５
６とを一生表面上に有している。さらに、転写マスク６
６は、画素用パターン４８〜５０及び５６〜５８に対応
する転写パターン１４３〜１４５及び１４８〜１５０と
、重複区域Ａ３　、　Ａａ　、　Ａ５内の画素用パター
ン３０．３３．４０．４７．５４．５５に対応する転写
パターン１３１．　１３４．　１３８．　１４２゜１４
６、　１４７と、十字状のアライメントマーク　１５７
゜１５８とを一生表面上に有している。そして、以上の
パターン及びアライメントマークは、後記するようにク
ロムからなっている。

また、前述したように重複区域Ａ１〜Ａ５内の画素用パ
ターン１４．１５．２２．２３．２７〜４２．４６．４
７゜５４、５５に対応する転写パターンは、次のような
方法により転写マスク６３〜６６に配分されて設けられ
た。

すなわち、先ず、二つの分割区域に重複する区［Ａ＋　
、Ａ２　、Ａ３　、Ａａ内の画素用パターンの転写パタ
ーンは、乱数表から選択した二指の数字の列から、画素
用パターン１４．１５．２２．２３．２７゜２８、２９
．３２．３３．３４．３５．３６．３７．４０．４１．
４２゜４６、４７．５４．５５の順に数字を選択し、こ
の数字の奇数又は偶数によって、二つの分割区域に対応
する転写マスクの一方又はもう一方に配分した。また、
四つの分割区域に重複する区域Ａ５内の画素用パターン
の転写パターンは、前述したと同様に乱数表から選択し
た二指の数字の列から、画素用パターン３０．３１．３
８．３９の順に数字を選択し、この数字の十位の数の奇
数、偶数と、−位の数の奇数、偶数の四通りの組み合わ
せによって配分した。

これら転写マスク６３．６４．６５．６６の製作方法は
、下記のとおりである。

先ず、転写マスク６３は、第２図に示すように、石英ガ
ラスからなる透光性基板６７　（１４０ｍｍｘ　１１０
ｍｍ）上にクロムからなる遮光性膜６８（膜厚ニア００
人）を積層し、この遮光性膜６８上にスピンコータ法に
よりポジ型の電子ビームレジスト６９（本例では、チッ
ソ社製のＰＢＳであり、膜厚は４０００人である。〉を
塗布した転写マスク用レジスト付ブランク７０から製作
する。先ず、このブランク７０から第１図（ａ）に示す
転写マスク６３を製作するために、転写パターン７１〜
７３．７５〜８１．８５．８７の寸法Ｄ＋。

Ｂ２をそれぞれ３３０μｍとし、かつピッチＥ１゜Ｂ２
をそれぞれ約３５０μｍとし、また、予備バタン７４．
８２．８３．８４．８６．８８．８９．９０のＸ方向と
Ｙ方向の寸法を、転写パターンよりも若干大きくするよ
うに３４０μｍとし、電子線描画装置を制御するパター
ンデータを作成する。また、アライメントマーク１５１
．　１５２のデータも作成する。すなわち、前述した画
素用パターン１１〜１３．１５．１９〜２７゜３１及び
３６の寸法Ｂ１．Ｂ２及びピッチＣ＋　、Ｃ２に対応す
るデータと、予備パターンのデータと、各パターンの位
置、形状のデータとを作成する。

次に、転写マスク６４のために、画素用パターン１４゜
１６〜１８．２４〜２６．３２．３４．３８．４１．４
２の寸法Ｂ１゜Ｂ２及びピッチＣ１，Ｃ２に対応する転
写パターン９１．９３〜９５．９８〜１００．　１０３
．　１０５．　１０６゜１０９、　１１０のデータと、
予備パターン１０１．　１０４゜１０７、　１０８の寸
法（３４０μｍ　）のデータと、各パターンの位置、形
状のデータとを作成する。さらにアライメントマーク１
５３．　１５４を形成するデータも作成する。また、転
写マスク６５．６６の製作のためにも前述した転写マス
ク６３．６４と同様に、それぞれ転写パターン１１２．
　１１３．　１１６．　１１８゜１２０、　１２１〜１
２４．　１２６〜１２８、予備パターン１１４、　１２
５．　１２９．　１３０．アライメントマーク１５５、
　１５６を形成するデータ、及び転写パターン１３１、
　１３４．　１３８．　１４２〜１５０、アライメント
マーク　１５７．　１５８を形成するデータを作成する
。

次に、転写マスク６３は、前述したブランクス７０に、
前述したパターンデータの入力操作により電子線描画装
置を制御し、レジスト６９に電子線を照射して露光し、
専用現像液（例：　ＰＢＳ専用デベロッパ（チッソ社製
））で現像し、ポストベーク、ディスカミングの各工程
を行った後、エツチング液（例：硝酸第二セリウムアン
モニウムと過塩素酸とからなる水溶液）を用いてエツチ
ングを行い、次に剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水と
の混合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のりソゲラ
フイエ程を経て製作した。なお、転写パターン、予備パ
ターン及びアライメントマークは、クロムからなるもの
である。他の転写マスク６４．６５．６６も同様の工程
により製作した。

次に、第３図に示した全画素用パターン８を設ける被転
写板は、第４図に示すような、ソーダライムガラスから
なる透光性基板９　（２７０ｍｍ　ｘ２１Ｏｎ＋ｍ）上
に、真空蒸着法によりＳｉ　０２からなる絶縁膜１０（
膜厚：　５０００人）、ＩＴＯからなる透明導電膜１５
９（膜厚ニア００人）を順次積層したものとし、次に透
明導電膜１５９上にロールコータ法によりポジ型のフォ
トレジスト　１６０（例：ヘキスト社製のＡ　Ｚ　−１
３００２７，膜厚：　　１２０００人）を塗布したレジ
スト付被転写板１６１を用意し、これを第５図に示す定
盤１６２上に真空吸着して固定する。

この定盤１６２には、真空吸着用の貫通孔１６２ａ。

１６２ｂ　、　　１６２ｃ　、　　１６２ｄとレジスト
付被転写板１６１の４辺中心線上外側に４個のアライメ
ントマーク　１６３．　１６４．　１６５．　１６６が
設けられている。

これらのアライメントマーク　１６３〜１６６は、レジ
スト付被転写板１６１の厚さより　０．１ｍｍはど薄く
、小片状の透光性基板（例：石英ガラス、５　ｍｍ口）
を使用し、白抜き十字状のアライメントマークを、第１
図に示したアライメントマーク（１５１，１５２）、（
１５３，１５４）、（１５５，１５６）、（１５７゜１
５８）と対応するように形成したものである。そして、
これらのアライメントマーク１６３．　１６４゜１６５
、　１６６はそれぞれ、第１図に示したアライメントマ
ーク　１５１（１５３）　、　　１５２（１５６）　、
　　１５５（１５７）　、　　１５４（１５８）に適合
した位置関係に設置されるように、マイクロメータ等の
調整治具により位置を調整したうえで、定盤１６２上に
固定される。

次に、レジスト付被転写板１６１上の左側上部に第１図
（ａ）で示した転写マスク６３を密着固定する。

その際、光学顕微鏡を通して、転写マスク６３のアライ
メントマーク　１５１．　１５２を定盤１６２上のアラ
イメントマーク１６３．　１６４にそれぞれ位置合わせ
して設置する。そして、この転写マスク６３以外の領域
を遮光し、紫外線光を上方から転写マスク６３を介して
、レジスト付被転写板１６１のレジスト１６０を露光し
て、第６図（ａ）に示すような、転写マスク６３の転写
パターン７１．７２．７３．７５．７６、７７゜７８、
７９．８０．８１．８５．８７と予備パターン７４．８
２゜８３、８４．８６．８８．８９．９０とにそれぞれ
対応した画素用パターンを形成するための骨未露光部分
く以下、［画素パターン用未露光部分」という。）７１
’　、　７２’　、　７３’　、　７５’　、　７６’
　、　７７’　、　７８’　。

７９’　、　８０’　、　８１’　、　８５’　、　８
７’　と予備パターンによって遮光された未露光部分く
以下、「予備未露光部分」という。）　７４’　、　８
２’　、　８３’　、　８４’　。

８６’　、　８８’　、　８９’　、　９０’　を設け
る。なお、１６７は露光部分である。

次に、先の転写マスク６３を取り外して、第１図（ｂ）
に示した転写マスク６４をレジスト付被転写板１６１上
に設置する。その際にも、前述と同様に転写マスク６４
のアライメントマーク　１５３．　１５４と定盤１６２
上のアライメントマーク　１６３．　１６６とをそれぞ
れ位置合わせをする。そして、この転写マスク６４以外
の領域を遮光して、前述と同様に紫外線光によりレジス
ト　１６０を露光し、第６図（ｂ）に示す、転写マスク
６４の転写パターン９３．９４．９５．９８゜９９、　
１００．　１０３．　１０５．　１０９．　１１０と予
備パターン１０４．　１０８にそれぞれ対応した画素パ
ターン用未露光部分９３’　、　９４’　、　９５’　
、　９８’　、　９９’　。

１００’　、　　１０３’　、　　１０５’　、　　１
０９’　、　　１１０’　と予備未露光部分１０４’　
、　　１０８’　とを設ける。また、転写マスク６４の
転写パターン９１．　１０６が、それぞれ前述した予備
未露光部分７４’　、　８９’上に１μｍの精度で位置
し、露光されることから、予備未露光部分７４’　、　
８９’　は、それぞれ画素パターン用未露光部分９１’
　、　　１０６’　となる。さらに、予備パターン１０
１．　１０７が、それぞれ前述した予備未露光部分８４
’　、　９０’上に前述の精度で位置し、露光されるこ
とから、予備未露光部分８４’　、　９０’　は、それ
ぞれ予備未露光部分１０１’　、　　１０７’　となる
。なお、１６８は露光部分となる。

次に、先の転写マスク６４を取り外して、第１図（Ｃ）
に示した転写マスク６５をレジスト付被転写板１６１上
に設置する。その際にも、前述したと同様に転写マスク
６５のアライメントマーク　１５６．　１５５と定盤１
６２上のアライメントマーク　１６４．　１６５とをそ
れぞれ位置合わせをする。そして、この転写マスク６５
以外の領域を遮光し、前述と同様に露光し、第６図（Ｃ
）に示す、転写マスク６５の転写パターン１２１．　１
２２．　１２３．　１２４．　１２６．　１２７．　１
２８と予備パターン１２５．　１２９．　１３０とにそ
れぞれ対応した画素パターン用未露光部分１２１’　、
　　１２２’　。

１２３’　、　　１２４’　、　　１２６’　、　　１
２７’　、　　１２８’　と予備未露光部分１２５’　
、　　１２９’　、　　１３０’　とを設ける。

また、転写マスク６５の転写パターン１１２．　１１３
゜１１６、　１１８．　１２０が、それぞれ前述した予
備未露光部分８２’　、　８３’　、　８６’　、　８
８’　、　　１０７’上に位置し、露光されることから
、予備未露光部分８２′。

８３’　、　８６’　、　８８’　、　　１０７’　は
、それぞれ画素パターン用未露光部分１１２’　、　　
１１３’　、　　１１６’　。

１１８’　、　　１２０’　となる。さらに、予備パタ
ーン１１４が、前述した予備未露光部分１０１′上に位
置し、露光されることから、予備未露光部分１０１′は
、予備未露光部分１１４′　となる。なお、１６９は露
光部分である。

そして、最後に、先の転写マスク６５を取り外して、第
１図（ｄ）に示した転写マスク６６をレジスト付被転写
板１６１上に設置する。その際にも前述したと同様に転
写マスク６６のアライメントマーク１５７、　１５８と
定盤１６２上のアライメントマーク１６５、　１６６と
をそれぞれ位置合わせをする。そして、この転写マスク
６６以外の領域を遮光し、前述と同様に露光し、第６図
（ｄ）に示す、転写マスク６６の転写パターン１４３．
　１４４．　１４５．　１４８．　１４９゜１５０にそ
れぞれ対応した画素パターン用未露光部分１４３’　、
　１４４’　、　１４５’　、　１４８’　、　１４９
’　。

１５０′　を設ける。さらに、転写マスク６６の転写パ
ターン１３１．　１３４．　１３８．　１４２．　１４
６．　１４７が、それぞれ前述した予備未露光部分１１
４’　、　　１０４’　。

１０８’　、　　１２５’　、　　１２９’　、　　１
３０’上に１μｍの精度で位置し、露光されることから
、予備未露光部分１１４’　、　１０４’　、　１０８
’　、　１２５’　、　１２９’　。

１３０′　は、それぞれ画素パターン用未露光部分１３
１’　　、　　　１３４’　　、　　　１３８’　　、
　　　１４２’　　、　　１４６’　　。

１４７′　となる。なお、１７０は露光部分である。

次に、転写パターン用未露光部分７１′〜７３′。

９１’　、　７５’　、　９３’〜９５’　、　７６’
〜８０’　、　９８’〜１００’　、　８１’　、　　
１１２’　、　　１１３’　、　　１３１’　、　８５
’　。

１０３’　、　　１３４’　、　　１０５’　、　　１
１６’　、　８７’　、　　１１８’　。

１０６’　、　　１２０’　、　　１３８’　、　　１
０９’　、　　１１０’　。

１２１′〜１２４’　、　　１４２’〜１４５’　、　
　１２６’〜１２８’　、　　１４６’〜１５０′が設
けられたレジスト付被転写板１６１を定盤１６２から取
り外し、専用現像液にて現像し、第４図に示す透明導電
膜１５９を、塩酸と塩化第２鉄との混合液でエツチング
し、水酸化ナトリウムによりレジストを剥離し、第３図
に示した全画素用パターン８を形成した。

本例によれば、転写パターンを有する転写マスクを製作
しておけば、転写マスクから被転写板への転写は位置合
わせを含めても１０分以内ででき、作業性を向上させる
ことができる。さらに、通常、全画素用パターン８（液
晶駆動電極３）が規則的に配置され、その画素用パター
ン８と共通電極５とに電圧を印加して、光を透過させて
透光性上基板６側からその像を目視する（第８図の矢印
７′）。しかしながら、面積が大きい被転写板を単に分
割して接合するとき、その接合部分が、位置合わせ精度
等によって正確に接合されず、約２μｍ以上のパターン
間隔のずれが生じる。そして、そのずれによって、目視
された像に違和感を生ずる。

一方、本例によれば、重複区域を設け、その重複区域内
の画素用パターンに対応する転写パターンを隣り合う転
写マスクに不規則に配分し、その転写マスクによって、
画素用パターンを形成している。したがって、転写マス
ク間の接合部分の位置合わせ精度（１μｌ）や、転写マ
スクの転写パターンを製作した電子線描画装置の精度（
０，３μｍ）等を総合した精度が２μｍであっても、重
複区域内の画素用パターンが不規則に配列することとな
り、その接合部分を意識することがない。すなわち、像
を目視しても違和感を与えず、良質な像にすることがで
きる。

以上、本発明は前記実施例に限らず、次のようなもので
あってもよい。

前記実施例では転写マスクから、直接画素用パターンを
設ける被転写板に転写パターンを転写したが、これに限
らず、下記のような使用方法にしてもよい。すなわち、
被転写板の一主表面（画素用パターンを設ける面）とほ
ぼ同一寸法を有する石英ガラスからなる透光性基板上に
、クロム膜と酸化クロム膜とを順次積層した遮光性膜を
設けた中間被転写板を製作し、この中間被転写板上にポ
ジ型レジストを塗布し、このレジスト付中間被転写板を
前記実施例で示した定盤上に配置し、前記実施例と同様
の転写マスクの４個を一個ずつ介して、レジスト付中間
被転写板のレジストを前記実施例と同様に露光し、現像
し、エツチングし、レジスト剥離をして、中間被転写板
に転写パターンを設け、中間転写マスクを製作する。次
に、この中間転写マスクをマスターマスクとし、前記実
施例と同様のレジスト付被転写板を用いて、ミラープロ
ジェクションアライナ−により中間転写マスクの転写パ
ターンをレジスト付被転写板のレジストに転写し、前記
実施例と同様に現像、エツチング及びレジスト剥離の工
程を経て、画素用パターンを形成した。

また、重複区域内の画素用パターンに対応する転写パタ
ーンを乱数表により配分したが、これに限らず他の方法
であってもよい。

また、前記実施例は、断面一部切欠矩形状の画素用パタ
ーンについて説明したが、これに限らず、第７図（模式
図）に示すように短冊状のＸ電極１７１を複数設けた透
光性下基板１と、短冊状の複数のＹ電極１７２．　１７
３．　１７４．　１７５．　１７６、　１７７゜１７８
を設けた透光性上基板６と、この間に液晶４を介在させ
た液晶パネルにも本発明は適用することができる。すな
わち、Ｘ電極１７１とＹ電極１７２〜１７８とが、画素
を目視する方向く第８図の矢印７′）において、交差す
ることとなり、この交差したところが画素を形成すると
ころになることから、Ｘ電極１７１及びＹ電極１７２〜
１７８が画素用パターンとなる。したがって、Ｙ電極１
７４．　１７５゜１１６を重複区域内の画素用パターン
とし、Ｙ電極１７２、　１７３及び１７５に対応する転
写パターンを有する転写マスクと、Ｙ電極１７４．　１
７６、　１７７及び１７８に対応する転写パターンを有
する転写マスクとによって、Ｙ電極１７２〜１７８を透
光性上基板６上に形成することができる。なお、Ｘ電極
も前述したＹｆｆｉ極と同様に形成することができる。

また、転写マスク及び中間被転写板の透光性基板は石英
ガラスに限らず、ソーダライムガラス、アルミノシリケ
ートガラス等の多成分系ガラスであってもよく、これら
の上に設ける遮光性膜も、Ｔａ、　）４ｏ、　Ｎｉ、　
Ｓｉ、　Ｇｅ等又はこれらの合金や酸化物、窒化物、炭
化物、珪化物若しくはこれらの混合物（例：窒化炭化物
）からなり、単層又は複層にしたものでもよい。被転写
板の透光性基板もソーダライムガラスに限らず、石英ガ
ラス、アルミノシリケートガラス等であってもよい。

また画素用パターンの材質は、ＩＴＯの代わりにＩｎ２
　　ｏ３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ　０
２にＳｂ、　Ｆ等を添加したものでもよい。さらに、こ
の画素用パターンは電極に限らず、この電極と同様に画
素の形成に寄与するもの、例えばプラズマディスプレイ
パネルのときの表示セルであってもよい。

また、前記実施例ではポジ型のレジストを用いたが、ネ
ガ型のレジストを用いてもよく、また、転写マスクを形
成するときは、ポジ型レジストを用い、転写パターンの
ところを白抜きにし、他のところを例えばクロム膜を被
膜した転写マスクとし、被転写板に転写パターンを転写
するときはネガ型レジストを用いてもよい。また、被転
写板に対する転写マスク（中間転写マスク）の転写方法
としては、プロキシミティ露光法、１倍投影レンズ露光
法等であってもよい。さらに、前記実施例では、全ての
転写マスクを介して露光した後、現像等を行ったが、−
個の転写マスクごとに露光、現像、エツチング等を行っ
てもよい。

また、被転写板（中間被転写板）と転写マスクとの位置
合わせをするときに、定盤上にアライメントマークを配
置したが、被転写板（中間被転写板）の表示領域外のと
ころにアライメントマークを設けて位置合わせをしても
よい。また、分割数は４個に限らず、６個、９個等の所
望する個数にしてもよい。

さらに、本発明は、エレクトロルミネセンスディスプレ
イパネルやプラズマディスプレイパネル等のパネルにも
適用することができ、また画素数が６４０Ｘ　４８０個
に限らず、７８０Ｘ　４２０個、１４００ｘ１０２４個
等のものや、表示面積が３８０ｘ　２９０ｍｍ２．７６
８Ｘ　５７５ｍｍ２．１４００Ｘ１０２４ｍｍ２等のも
のにも適用することができる。

〔発明の効果〕

本発明は以上のような構成であるから、画素数の多いパ
ネルを製造するどき量産性に優れ、また大型のパネルの
パターン形成にも、大型の装置を必要とせず、さらに像
の品質を向上させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は、本発明の一実施例を示す図であり、
第１図は４個の転写マスクを示す平面図、第２図は転写
マスクを製作するためのレジスト付フォトマスクブラン
クを示す断面図、第３図（ａ）は画素用パターンの配置
を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ３−Ｘ３線
断面図、第４図は画素用パターンを製作するだめのレジ
スト付被転写板を示す断面図、第５図は転写マスクと被
転写板とを配置する定盤を示す斜視図及び第６図は転写
パターンを被転写板へ転写する工程を示す平面図である
。第７図は他の実施例を示す模式斜視図であり、第８図
は液晶パネルを示す模式斜視図である。３．８．１１〜５８・・・画素用パターン、６３〜６６
・・・転写マスク、６９．　１６０・・・レジスト、７
０・・・転写マスク用レジスト付ブランク、１１〜７３
゜７５〜８１．８５．８７．９１．９３〜９５．９８〜
１００．　１０３゜１０５、　１０６．　１０９．　１
１０．　１１２．　１１３．　１１６゜１１８、　１２
０〜１２４．　１２６〜１２８．　１３１．　１３４゜
１３８、　１４２〜１５０・・・転写パターン、１６１
・・・レジスト付被転写板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）複数の画素用パターンを設けた被転写板の領域を
、互いに重複する区域を設けて複数の区域に分割し、前
記分割区域内の重複区域外の区域の画素用パターンに対
応する転写パターンと、前記重複区域内の画素用パター
ンに対応する転写パターンの一部とを有することを特徴
とする転写マスク。
（２）複数の画素用パターンを設けた被転写板の領域を
、互いに重複する区域を設けて複数の区域に分割し、前
記分割区域内の重複区域外の区域の画素用パターンに対
応する転写パターンと、前記重複区域内の画素用パター
ンに対応する転写パターンの一部とを有する転写マスク
を前記分割区域数と同一数製作し、次に、レジストを塗
布した被転写板の分割区域に、所定の前記転写マスクを
介して露光し、前記転写パターンを転写することを特徴
とする転写マスクの使用方法。
（３）複数の画素用パターンを設けた被転写板の領域を
、互いに重複する区域を設けて複数の区域に分割し、前
記分割区域内の重複区域外の区域の画素用パターンに対
応する転写パターンと、前記重複区域内の画素用パター
ンに対応する転写パターンの一部とを有する転写マスク
を前記分割区域数と同一数製作し、次に、レジストを塗
布した中間被転写板の主表面の領域を前記分割区域数と
同一数に分割し、かつ前記中間被転写板の分割区域に、
所定の前記転写マスクを介して露光し、前記転写パター
ンを転写し、前記中間被転写板を現像し、エッチングし
、レジスト剥離をし、前記転写パターンを設けた中間転
写マスクを製作し、次に、レジストを塗布した被転写板
に、前記中間転写マスクを介して露光し、前記中間転写
マスクの転写パターンを転写することを特徴とする転写
マスクの使用方法。