JPS6275636A

JPS6275636A - 転写マスクとパタ−ン形成方法

Info

Publication number: JPS6275636A
Application number: JP60217361A
Authority: JP
Inventors: Sadao Sasaki; 佐々木　貞夫
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1985-09-30
Filing date: 1985-09-30
Publication date: 1987-04-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶パネル、エレクトロルミネセンスパネル
及びプラズマディスプレイパネル等の画素を形成するた
めのパターンを作成する転写マスクとパターン形成方法
に関し、特に大形であり、かつ画素数の多いパネルの前
述したパターンを形成する転写マスクとパターン形成方
法に関する。

〔従来の技術〕

この種のパネルとしては、第８図に模式的に示ザ液晶パ
ネルがある。ゴなわら、１は透光性下基板、２は絶縁膜
、３は液晶駆動電極、４は液晶、５は共通電極及び６は
透光性上基板である。そして、この液晶パネルは、液晶
駆動電極３と共通電極５との間に電圧を印加すると、液
晶４が配向し、透光性下基板１から入射する入射光７は
、透光性下基板６から出射され、液晶駆動電極３に対応
する画素が表示される。すなわち、液晶駆動電極３は画
素用パターンとなっている。

従来、この様な画素用パターン（液晶駆動電極３）のパ
ターン形成方法として光学式パターンジェネレータを使
用ザる方法が知られている。このパターンジＴネレータ
は、キセノンランプなどの光源から発光覆る光をコンデ
ンリーレンズて゛集光し、バリアプルアパーチャを通し
て拡大（ＶＩＵ：５〜１０倍）された矩形を形成し、こ
の矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：１７５〜１
７１０倍）して、ＸＹステージ上に設置されたレジスｌ
〜付被転写板（例えば、前述した透光性下基板１上に絶
縁膜２、透明導電膜を順次積）としたちの。）に露光Ｊ
る装置である。ここで、バリアプルアパーチャは４枚の
ブレードで矩形を形成し、向かいあったブレードの間隔
を調整することにより、任、Ｑの矩形かＶＩられる。そ
して、ＸＹステージは、光波干渉を利用した測長機やリ
ニアエンコーダ等の副長はと接続されて、ＸとＹの各テ
ーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべきパターン
を位置決めする。

上記露光後、現像・エツチング・レジスト剥離の所定の
工程を経て、被転写板上に画素用パターンを形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の方法では、例えば、画素用パター
ンが６４０Ｘ　２００個もあると、そのパターンの製作
に７〜１０時間もかかってしまう欠点があった。すなわ
ち、量産性が著しく低かった。また、大形のパネルのと
ぎには、当然透光性下基板も大きくなることから、これ
に児合った副長様の大型化が必要になり、この大型化に
伴って、機械加工粘度の限界により測長機の精度が低下
し、結局パターンの位置決め精度の低下を余儀なくされ
る。

また、バリアプルアパーチャによる矩形の位置決め精度
の低下により解像度が低下し、更に投影レンズにおいて
も解像”度が低下してしまう。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記した欠点を除去するためになされたもの
で、その第１発明は、ｊＪ板−Ｆに画素用パターンを形
成するための転写パターンを不規則に配置したことを特
ｔｌとづる転写マスクぐあり、ぞの第２発明は、基板上
に画素用パターンを形成するための転写パターンを不規
則に配置した転写マスクを、複数個製作し、次にレジス
トを塗イ［した被転写板の所望する領１或を、所定の前
記転写マスクを介して露光し、前記転写パターンを転写
し、その後前記被転写板を現像し、エツチングし、レジ
スト剥離をし、被転写板に画素用パターンを不規則に配
置したことを￥ｆ徴とするパターン形成方法であり、そ
の第３発明は、基板上に画素用パターンを形成するため
の転写パターンを不規則に配置した転写マスクを、複数
個製作し、次にレンズ１〜を塗布した中間被転写板の所
望する領域を、所定の前記転写マスクを介して露光し、
前記転写パターンを転写し、その後前記中間被転写板を
現像し、エツチングし、レジスト剥離をし、前記転写パ
ターンを設けた中間転写マスクを％Ｊ作し、次にレジス
トを塗布した被転写板に、前記中間転写マスクを介して
露光し、前記転写パターンを転写し、その後前記被転写
板を現像し、エツチングし、レジスト剥離をし、被転写
板に両系用パターンを不規則に配置したことを特徴とす
るパターン形成方法である。

〔失陥例］本例の転写マスクとパターン形成方法を第１図〜第６図
に基づき以下に詳述する。なお、本例においては、前述
した液晶パネルの液晶駆ｅ電極を画素用パターンとし、
その画素用パターンを形成するための転写マスクとパタ
ーン形成方法について述べる。

先ず、本例のインジウム・ティン・オキサイド（［ＴＯ
）からなる全画素用パターン８は第３図（ａ）　、　（
ｂ）に示すとおり、ソーダライムガラスからなる透光性
基板９　（２７０Ｘ２１０ｍｍで、画素用パターン８が
設けられる範囲（第３図（ａ）のＬ−で示される範囲）
は２２４Ｘ　　１６８ｍｍである。）ＥにＳｉ　０２か
らなる絶縁膜１０を積層し、この絶縁ｖ！１０上に複数
設けられている。

この一部切欠断面矩形状の全画素用パターン８は６４０
Ｘ　２００個設けられている（ただし第３図（ａ）　、
　（ｂ）には６×４個しか示していない。以下の図もこ
の６×４個に従って説明する。）。そしてこの全画素用
パターンの個々の画素用パターン１１゜１２、１３．１
４．１５．１６．１７．１８．１９．２０．２１．２２
゜２３、２４．２５．２６．２７．２８．２９．３０．
３１．３２．３３゜３４は、それぞれ第３図（ａ）のＸ
方向の寸法へが９０μｍで、Ｘ方向の寸法Ｃが９０ａｍ
である。また、Ｘ方向の、画素用パターン１１　（１７
，２３，２９）と画素用パターン１２　（１８，２４，
３０）とのピッチＢ１、画素用パターン１２　（１８，
２４，３０）と画素用パターン１３　（１９，２５，３
１）とのピッチＢ２、画素用パターン１３　（１９，２
５，３１）と画素用パターン１４（２０゜２６、３２）
とのピッチＢ３、画素用パターン１４（２０゜２６、３
２）と画素用パターン１５　（２１，２７，３３）との
ピッチ８４、及び画素用パターンＩｓ　（２１，２７，
３３）と画素用パターン１６（２２，２８，３４）との
ピッチＢ５は、それぞれ１００．５μｍ　、　　１０１
μｍ　、　９６〜１００μｍ、９８μｍ及び１０２μｍ
である。一方、Ｘ方向の、画素用パターン１１（１２〜
１６）と画素用パターン１７（１８〜２２）とのピッチ
Ｄ１、画素用パターン１７（１８〜２２）と画素用パタ
ーン２３（２４〜２８）とのピッチＤ２．及び画素用パ
ターン２３（２４〜２８）と画素用パターン２９（３０
〜３４）とのピッチＤ３は、それぞれ９９．５μｍ、９
６〜１００μｍ及び１０２μｍである。

次に、前述した全画素用パターン８の形成方法を述べる
。

先ず、前述した画素用パターン１１〜３４を第３図（ａ
）の破線で示すように領域３５．３６．３７及び３８の
４分割とし、そして、この４分割領域に対応した、第１
図に示す転写マスク３９．４０．４１．　ｈ２＊作成す
る。なお、第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、
　（ｄ）はそれぞれ、転写マスク３９、転写マスク４０
．転写マスク４１及び転写マスク４２を示す図であり、
転写マスク３９、４０．４１．４２はそれぞれ、前述し
た領域３５．３６゜３７、３８に対応する。

これら転写マスク３９．４０．４１．４２の製作方法は
、下記のとおりである。

先ず、転写マスク３９は、第２図に示すように、石英ガ
ラスからなる透光性基板４３　（８０ｍｍｘ　６０ｍｍ
）上にクロムからなる遮光性膜４４（膜厚ニア００人）
を積層し、この遮光性膜４４上にスピンコータ法により
ポジ型の電子ビームレジスト４５（本例では、チッソ社
製のＰＢＳであり、膜厚は４０００人である。

）を塗布した転写マスク用レジスト付ブランク４６から
製作する。先ず、このブランク４６から第１図（ａ）に
示す転写マスク３９を製作するために、転写パターン４
７．４８．４９．５３．５４．５５の寸法Ｅ、Ｆをそれ
ぞれ９０μｍとし、かつＸ方向のピッチＧ１゜Ｇ２をそ
れぞれ１００．５μｍ　、　　１０１μｌ１１とし、Ｘ
方向のピッチＨ１を９９．５μｍとするように、電子線
描画装置を制御するパターンデータを作成する。

また、二重露光防止用のパターン７０のデータ及びアラ
イメントマーク７２．７３のデータも作成する。

すなわち、前述した画素用パターン１１．１２．１３゜
１７、１８．１９の寸法及びピッチＢｔ　、８２　、Ｄ
＋に対応するデータを作成する。転写マスク４０は、画
素用パターン１４．１５．１６．２０．２１．２２の寸
法及びピッチＢａ　、Ｂ５　、Ｄｌに対応する転写パタ
ーン５０、５１．５２．５６．５７．５８を形成するデ
ータ及び二重露光防止用のパターン７４を形成するデー
タを作成する。さらにアライメントマーク７５．７６を
形成するデータも作成する。また、転写マスク４１．４
２も前述した転写マスク３９．４０と同様に、それぞれ
転写パターン５９．６０．６１．６５．６６、６７、二
重露光防止用のパターン７７、アライメントマーク７８
．７９、及び転写パターン６２．６３．６４．６８．６
９．７０、二重露光防止用のパターン８０、アライメン
トマーク８１゜８２を形成づるデータを作成する。なお
、このときも勿論、ピッチＢ＋　、８２．８４　、Ｂ５
及びＤ３に基づき作成する。

次に、転写マスク３９は、前述したブランクス４６に、
前述したパターンデータ入力操作により電子線描画装置
を制御し、レジスト４５に電子線を照射して露光し、専
用現像液（例：　ＰＢＳ専用デベロッパ〈−チッソ社製
））で現像し、ポストベーク、ディスカミングの各工程
を行った後、エツチング液（例：硝酸第二セリウムアン
モニウムと過塩素酸よりなる水溶液）を用いてエツチン
グを行い、次に剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の混
合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のりソゲラフイ
エ程を経て製作した。なお、転写パターン及び二重露光
防止用のパターンはクロムからなるものである。他の転
写マスク４０．４１．４２も同様の工程により製作した
。このようにして、形成された転写パターンはビッヂが
一定でない不規則な配置となる。

次に、第３図に示した全画素用パターン８を設ける被転
写板として第４図に示すように、ソーダライムガラスか
らなる透光性基板９　（２７０ｍｍ　ｘ２１０ｍｍ）上
に、真空蒸着法によりＳｉ　０２からなる絶縁膜１０（
膜厚：　５０００人）、１１０からなる透明導電膜８３
（膜厚：　　７００人）を順次積層したものとし、次に
透明導電膜８３上にロールコータ法によりポジ型のフォ
１〜レジスト８４（例：へキス１ル社製のＡ　Ｚ　−１
３００２７，膜厚：　　１２０００人）を塗イｔｉ　シ
ｔこレジスト付被転写板８５を用意し、これを第５図に
示Ｊ定盤８６上に真空吸着して固定する。

この定盤８６には、真空吸着用の貫通孔８６ａ。

８６ｂ　、　８６ｃ　、　８６ｄとレジスト付被転写板
８５の４辺中心線上外側に４個のアライメントマーク８
７．８８゜８９、９０が設けられている。これらのアラ
イメントマーク８７〜９０は、レジスト付被転写板８５
の厚さより０□１ｍｍはど薄く、小片状の透光性基板（
例二石英ガラス、５　ｍｍ’　）を使用し、白扱き十字
状のアライメントマークを第１図に示したアライメント
マーク（７２，７３＞、（７５，７６）、（７８，７９
）、（８１，８２）と対応するように形成したものであ
る。

そして、これらのアライメン［−マーク８７．８８．８
９゜９０はそれぞれ、第１図に示したアライメントマー
ク７２　（７５）　、　７３　（７９）　、　７８　（
８１）　、　７６　（８２）に適合した位置関係に設置
されるように、マイクロメータ等の調整治具により位置
を調整したうえで、定盤８６上に固定される。

次に、レジスト付被転写板８５上に左側上部に第１図（
ａ）で示した転写マスク３９を密看固定する。

その際、光学類Ｃｌ１１１を通して、転写マスク３９の
アライメントマーク７２．７３を定盤８６上のアライメ
ントマーク８７．８８にそれぞれ位置合わせして設置す
る。そして、この転写マスク３９以外の領域を遮光し、
紫外線光を上方から転写マスク３９を介して、レジスト
付被転写板８５のレジスト８４を露光して、第６図（ａ
）に示すような、転写マスク３９の転写パターン４７．
４８．４９．５３．５４．５５と二重露光防止用のパタ
ーン７０にそれぞれ対応した転写パターン、用未露光部
分４７’　、　４Ｂ’　、　４９’　、　５３’　、　
５４’　、　５５’と二重露光防止用未露光部分７０′
を転写づる。なお、９１は露光部分である。

次に、先の転写マスク３９を取り外して、第１図（ｂ）
に示した転写マスク４０をレジスト付被転写板８５上に
設置する。その際にも、前述と同様に転写マスク４０の
アライメントマーク７５．７６と定盤８６上のアライメ
ントマーク８７．９０とをそれぞれ位置合わせをする。

そして、この転写マスク４０以外の領域を遮光して、前
述と同様に紫外線光により、レジスト８４を露光し第６
図（ｂ）に示す、転写マスク４０の転写パターン５０．
５１．５２．５６．５７．５８及び二重露光防止用のパ
ターン７４にそれぞれ対応した転写パターン用未露光部
分５０’　、　５１’　、　５２’　、　５６’　。

５７’　、　５８’　と二重露光防止用未露光部分７４
′を転写する。なお、９２は露光部分となる。

次に、先の転写マスク４０を取り外して、第１図ｆｃ）
に示した転写マスク４１をレジスト付被転写板８５上に
設置する。その際にも、前述したと同様に転写マスク４
１のアライメントマーク７９．７８と定盤８６上のアラ
イメントマーク８８．８９とをそれぞれ位置合わせをす
る。ぞして、この転写マスク４１以外の領域を遮光し、
前述と同様に露光し、第６図（Ｃ）に示す、転写マスク
４１の転写パターン５９．６０゜６１、６５．６６、６
７と二重露光防止用のパターン７７にそれぞれ対応した
転写パターン用未露光部分５９′。

６０’　、　６１’　、　６５’　、　６６’　、　６
７’　と二重露光防止用未露光部分７７′　を転写する
。なお、９３は露光部分である。

そして、最後に、先の転写マスク４１を取り外して、第
１図（ｄ）に示した転写マスク４２をレンス［・付被転
写板８５上に設置する。その際にも前述したと同様に転
写マスク４２のフライメンｌ−マーク８２゜８１と定盤
８６上のアライメントマーク９０．８９とをそれぞれ位
置合わせをする。そして、この転写マスク４２以外の領
域を遮光し、前述と同様に露光し、第６図（ｄ）に示す
、転写マスク４２の転写パターン６２、６３．６４．６
８．６９．７０と二重露光防止用のパターン８０にそれ
ぞれ対応した転写パターン用未露光部分６２’　、　６
３’　、　６４’　、　６８’　、　６９’　、　７０
’　と二重露光防止用未露光部分８０′　を転写する。

なお、９４は露光部分である。ここで、転写マスク３９
〜４２のそれぞれに二重露光防止用のパターン７０．７
４．７７゜８０を設けていることから、前述した工程に
おいて、。

二重露光を防止し、パターン精度を向上させるために有
効に作用する。

次に、転写パターン用未露光部分４７′〜７０′　が転
写されたくなお、二重露光防止用未露光部分７０’　、
　７４’　、　７７’　は前述した工程により、一部露
光され、他は転写パターン用未露光部分となっている。

）レジスト付被転写板８５を定盤８Ｇが取り外し、専用
現像液にて現像し、第４図に示す透明導電膜８３を、塩
酸と塩化第２鉄との混合液でエツチングし、水酸化ナト
リウムによりレジストを剥離し、第３図に示した全画素
用パターン８を形成した。

本例ににれば、転写パターンを有する転写マスクを製作
しておけば、転写マスクから被転写板への転写は位置合
わせを含めても１０分以内ででき、作業性を向上させる
ことができる。ざらに、通常、全画素用パターン８（液
晶駆動電極３）が規則的に記聞され、その画素用パター
ン８と共通電極５とに電圧を印加して、光を透過させて
透光性上基板６側からその像を目視づ゛る（第８図の矢
印７′）。しかしながら、本例のように分割して、接合
するとき、その接合部分く第６図（ｄ）に示す破線８５
ａ　、　８５ｂ　、　８５ｃ　、　８５ｄに対応する第
３図の破線）が、位置合わせ精度等によって正確に接合
されないと、例えば画素用パターン寸法の１／１００以
上（本例のときは０．９μｍ以上）のパターン間隔のず
れが生じる。そして、そのずれによって、目視された像
に対して違和感を生ずる。一方、本例によれば、画素用
パターンをそのピッチを変えて不規則に形成している。

したがって、転写マスク間の接合部分、ずなわち第６図
（ｄ）に示プ破ｌ！；１８５ａ。

８５ｂ、　８５Ｃ，８５ｄが位置合わせ精度（１μｍ）
や、転写マスクの転写パターンを製作した電子線描画装
置の精度（０３μｍ）等を総合した精度が２μｍであっ
ても、その接合部分を意識することがない。づなわら、
像を目視してもｊ′ｒｉ和感を与えず、良質な像にする
ことができる。

以ト、第３図（ａ）に示すように不規則に変化さゼた画
素用パターン（又は転写パターン）のピッチは、そのピ
ッチの標準を１００μｍとしたとぎ、ピッチＢ。−９０
＋　１０＋　ｒ　ｏ及び［）　ｌｌ１＝　９０＋１０＋
ｒ、（ただし、ｎは１〜５までの整数であり、ｍは１〜
３ま−での整数であり、ｒ　及びｒ　は、そ０ｍれぞれＸ方向のパターン間の距離（例えば（８１−Ａ）
）及びｙ方向のパターン間の距１ｉｌｌＦ（例えば（Ｄ
＋−Ｃ））を示す。）で示される。ただし、ｒ（ｒｌ、
ｌ）は、ｒｏ　（ｒｍ）−〇　（Ｒ−５＞で示され、Ｑ
は電子線描画装置によって決定されろ値で、本例では０
．５μｍ、Ｒは乱数表から選択した１〜９の数字であり
、かつｒｒｌ　（ｒｍ）は前述した総合精度±２μｍの
笥囲内としている。

以上、本発明は前記実施例に限らず、次のようなちので
あってもよい。先ず、前記実施例においでは、ピッチを
変化させてパターンを不規則にしていたが、これに限ら
ず、ピッチは一定にしく例えば、１００μｍ）、パター
ンの寸法（例えば、前記実施例のＥ、Ｆで示される寸法
。）を変化させても、すなわち標準の寸法を９０μｍと
し、下記の式（１）　、　（２）　、　（３）及び（４
）を用いて変化させて転写マスクの転写パターンを形成
してもよい。

Ａ　　＝９０＋ｒ、　　　　　　　・・・（１）３　　
＝９０＋１０−ｒ　　　　　−−−（２）ｎ　　　　　
　　　　　　　　　ｎＣ−９０十ｒ　ｍ　　　　　　　・・・（３）［）　　
＝９０＋１０−ｒ　　　　　−−−（４）ｍ　　　　　
　　　　　　　　　（６ただし、△、Ｂ、Ｃ，Ｄ、ｒ、ｍ、ｎは前’＋Ｌしたと
同じ愚昧をｂち、ｒ［ユ、前述したｒ　　（ｒ　　）０
ｍ −０，５（Ｒ−５）である。また、このときは、画素用
パターンと画素用パターンとの間で分割して形成した転
写マスクや画素用パターンそのものを分割して形成した
ものでもよい。すなわち、このようにして分割した転写
マスクを用いて、その接合部分が変動してもパターン寸
法が不規則であることから前記実施例と同様の効果があ
る。なお、パターン寸法が変動しても、前述したように
総合誤差が２μｍであり、標準寸法が９０ｆ１ｍのとぎ
は、画素の最大輝度比は（９０−１−２）２　／　（９
０−２）２−１０９で最大１０％以内である。したがっ
て、実用上全く問題はない。

また、このパターンを不規則にするには、前記実施例と
前述したパターンの寸法を不規則にしたものと組み合わ
せてもよい。すなわら、パターン間のピッチとパターン
の寸法を変化させて、転写マスクの転写パターンを形成
しても同様の効果がある。また、パターンを不規則にす
るためには、乱数表を用いなくてもよい。

また、前記実施例では転写マスクから、直接画素用パタ
ーンを設ける被転写板に転写パターンを転写したが、こ
れに限らず、下記のような工程にしてもよい。すなわち
、被転写板の一生表面（画素用パターンを設ける面）と
ほぼ同一寸法を右する石英ガラスからなる透光性基板上
に、クロム膜と酸化クロム膜を順次積層した遮光性膜を
設けた中間被転写板を製作し、この中間被転写板上にポ
ジ型レジストを塗布し、このレジスト付中間肢転写根を
前記実施例で示した定盤上に配置し、前記実施例と同様
の転写マスクの４個を一個ずつ介して、レジスｊ〜付中
間被転写板のレジストを前記実施例と同様に露光し、現
像し、エツチングし、レジスト剥離をして、中間被転写
板に転写パターンを設け、中間転写マスクを製作する。

次に、この中間転写マスクをマスターマスクとし、前記
実施例と同様のレジスト付被転写板を用いて、ミラープ
ロジェクションアライナ−により中間転写マスクの転写
パターンをレンス（・付被転写板のレジストに転写し、
前記実施例と同様に現像、エツチング及びレジスト剥離
の工程を経て、画素用パターンを形成した。

また、前記実施例は、一部切欠断面矩形状の画素用パタ
ーンについて説明したが、これに限らず、第７図（模式
図）に示すように短冊状のＸ電極９５を複数設けた透光
性下基板１と、短冊状のＹ　？ｆｌ極９Ｇを複数設けた
透光性上基板６と、この間に液晶４を介在させた液晶パ
ネルにｂ本発明は適用することができる。ザなわち、Ｘ
電極９５どＹ電極９６とが、画素を目視１ｊる方向（第
８図の矢印７′　）にＪ３いて、交差することとなり、
この交差したところが画素を形成するところになること
から、Ｘ電極９５及びＹ電極９６が画素用パターンとな
る。したがって、第７図に示すように、Ｙ電極９６の寸
法（巾）Ｊは仝で実質的に同一であるが、ピッチ１１〜
■６は変化している。このようにＹ電極９６を、転写パ
ターンを有する複数個の転写マスクを製作して前記実施
例と同様に形成してもよい。なお。このようなＸ電極と
Ｙ　ＳＴｉ極とによって画素を形成するときには、Ｘ電
極及びＹ電極の少なくとも一方の寸法、ビッヂを変える
ようにづればよいことは勿論である。

また、転写マスク及び中間被転写板の透光性基板は石英
ガラスに限らず、ソー・ダライムガラス、アルミノシリ
ケートガラス等の多成分系ガラスであってもよく、これ
らの上に設りる遮光性膜も、■ａ、　Ｈａ、　Ｎｉ、　
Ｓｉ、　Ｇｅ等又はこれらの合金や酸化物、窒化物、炭
化物、珪化物若しくはこれらの混合物（例：窒化炭化物
）からなり、単層又は複層にしたものでもよい。被転写
板の透光性Ｌ↓板もソーダライムガラスに限らず、石英
ガラス、アルミノシリケードガラス等であってもよい、
１また画素用パターンの材質は、ＩＴＯの代わりにＩｎ２
　０３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ　０２
にＳｂ、　Ｆ等を添加したちのて・もよい。さらに、こ
の画素用パターンは電極に限らず、この電極と同様に画
素の形成に寄与づるもの、例えばプラズマディスプレイ
パネルのときの表示セルであってもよい。

また、前記実施例ではポジ型のレジストを用いたが、ネ
ガ型のレジストを使用してもよい。さらに、被転写仮に
対する転写マスク（中間転写マスク）の転写方法として
は、プロギシミテイ露光法、１倍投影レンズ露光法等で
あってもよい。

また、被転写板（中間被転写板）と転写マスクとの位置
合わけをするとぎに、定盤上にフライメン１−マークを
配置したが、被転写板（中間被転写板）の表示領域外の
ところにアライメントマークを設けて位置合わせをして
もよい。また、分割数は４個に限らず、６個、９個等の
所望する個数にしてもよい。

さらに、本発明は、液晶パネルのエレク１〜ロルミネセ
ンスディスプレイパネルやプラズマディスプレイパネル
等のパネルにも適用することができ、また画素数がＧ４
０Ｘ　　２００個に限らず、Ｇ４０Ｘ　　４００個、７
８０Ｘ　４２０個等のものや、表示面積が３８０×２９
０ｍｍ２．７６８ｘ　　５７５ｍｍ２．１４００ｘ１０
２４ｍｍ２等のものにも適用することができる。

〔発明の効果〕

本発明は以上のような構成であるから、画素数の多いパ
ネルを製造するとき量産性に優れ、また大型のパネルの
パターン形成するときにも、大型の装置を必要とぜず、
ざらに像の品質を向上させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は、本発明の一実施例を示す図であり、
第１図は４個の転写マスクを示す平面図、第２図は転写
マスクを装作するためのレジスト付フォ１〜マスクブラ
ンクを示す断面図、第３図（ａ）は画素用パターンの配
置を示す断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ２−Ｘ２
線断面図、第４図は画素用パターンを製作するためのレ
ジスト付被転写板を示す断面図、第５図は転写マスクと
被転写板とを配置する定盤を示す斜視図及び第６図は転
写パターンを被転写板へ転写する工程を示す平面図であ
る。第７図は他の実施例を示す模式斜視図であり、第８
図は液晶パネルを示す模式斜視図である。３、８．１１−３４・・・画素パターン、３９〜４２・
・・転写マスク、４５．８４・・・レジスト、４６・・
・レジスト付フォトマスクブランク、４７〜７０・・・
転写パターン、８５・・・レンス］・付被転写板持訂出
願人　ホー■株式会社第１図第２図釣第６図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に画素用パターンを形成するための転写パ
ターンを不規則に配置したことを特徴とする転写マスク
。
（２）転写パターン間のピッチを変えることにより、前
記転写パターンを不規則に配置したことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の転写マスク。
（３）転写パターンの寸法を変えることにより、前記転
写パターンを不規則に配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の転写マスク。
（４）転写パターン間のピッチ及び前記転写パターンの
寸法を変えることにより、前記転写パターンを不規則に
配置したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の転写マスク。
（５）基板上に画素用パターンを形成するための転写パ
ターンを不規則に配置した転写マスクを、複数個製作し
、次にレジストを塗布した被転写板の所望する領域を、
所定の前記転写マスクを介して露光し、前記転写パター
ンを転写し、その後前記被転写板を現像し、エッチング
し、レジスト剥離をし、被転写板に画素用パターンを不
規則に配置したことを特徴とするパターン形成方法。
（６）基板上に画素用パターンを形成するための転写パ
ターンを不規則に配置した転写マスクを、複数個製作し
、次にレジストを塗布した中間被転写板の所望する領域
を、所定の前記転写マスクを介して露光し、前記転写パ
ターンを転写し、その後前記中間被転写板を現像し、エ
ッチングし、レジスト剥離をし、前記転写パターンを設
けた中間転写マスクを製作し、次にレジストを塗布した
被転写板に、前記中間転写マスクを介して露光し、前記
転写パターンを転写し、その後前記被転写板を現像し、
エッチングし、レジスト剥離をし、被転写板に画素用パ
ターンを不規則に配置したことを特徴とするパターン形
成方法。