KR200183769Y1 - 마스크 구조 - Google Patents
마스크 구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200183769Y1 KR200183769Y1 KR2019970029235U KR19970029235U KR200183769Y1 KR 200183769 Y1 KR200183769 Y1 KR 200183769Y1 KR 2019970029235 U KR2019970029235 U KR 2019970029235U KR 19970029235 U KR19970029235 U KR 19970029235U KR 200183769 Y1 KR200183769 Y1 KR 200183769Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- conductive line
- light blocking
- regions
- transparent substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 고안은 모든 부위의 투광률을 동일하게 하여 브릿지(Bridge) 발생을 억제하므로 소자의 신뢰성을 향상시키는 마스크 구조에 관한 것이다.
본 고안의 마스크 구조는 복수 개의 도전성 라인 영역들과 상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들이 정의된 투명 기판, 상기 도전성 라인 영역들의 투명 기판상에 형성되는 복수 개의 제 1 차광층들과, 상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들의 투명 기판상에 상기 제 1 차광층간의 투광량과 같도록 양측내에 투광부위를 갖으며 형성되는 복수 개의 제 2 차광층들을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
Description
본 고안은 마스크 구조에 관한 것으로, 특히 소자의 신뢰성을 향상시키는 마스크 구조에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서 많이 사용하는 공정으로 리소그래피(Lithography) 공정이 있다.
상기 리소그래피 공정은 포토레지스트(Photoresist)에 마스크 패턴을 전사(轉寫)하는 제 1 공정과 상기 포토레지스트의 패턴을 사용해서 그 바탕의 막 즉 상기 포토레지스트의 패턴 하측에 있는 층을 에칭한 후, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 2 공정으로 이루어진다.
상기 리소그래피 공정에 사용되는 종래의 기술에 따른 마스크 구조는 도 1에서와 같이, 셀-에지(Cell-edge) 즉 페리-코어(Peri-core)지역에서 반복되는 워드 라인(Word Line) 또는 비트 라인(Bit Line) 패턴(Pattern)과 콘택 랜딩(Contact Landing) 등의 큰 패턴 영역들을 각각 정의하기 위해 유리 기판(11)상에 형성되는 복수 개의 제 1, 제 2 차광층(12,13)으로 구성된다.
즉, 상기 복수 개의 워드 라인 또는 비트 라인들이 정의될 영역들의 유리 기판(11)상에 상기 복수 개의 제 1 차광층(12)들이 형성되고, 상기 복수 개의 콘택 랜딩 등의 큰 패턴 영역들이 정의될 영역들의 유리 기판(11)상에 상기 복수 개의 제 2 차광층(13)들이 형성된다.
그러나 종래의 마스크 구조는 유리 기판상에 반복되는 워드 라인 또는 비트 라인 등의 라인 패턴들과 콘택 랜딩 등의 큰 패턴들을 각각 정의하기 위한 제 1, 제 2 차광층이 형성되므로, 상기 제 1 차광층간보다는 상기 제 1, 제 2 차광층 사이가 단위 면적당 투광 영역이 작기 때문에 투광률이 감소하여 상기 제 1, 제 2 차광층 사이에 브릿지(Bridge)가 발생되므로 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 모든 부위의 투광률을 동일하게 하여 브릿지 발생을 억제하므로 소자의 신뢰성을 향상시키는 마스크 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 마스크 구조를 나타낸 평면도
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 마스크 구조를 나타낸 평면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31: 유리 기판 32: 제 1 차광층
33: 제 2 차광층 34: 투광 영역
본 고안의 마스크 구조는 복수 개의 도전성 라인 영역들과 상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들이 정의된 투명 기판, 상기 도전성 라인 영역들의 투명 기판상에 형성되는 복수 개의 제 1 차광층들과, 상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들의 투명 기판상에 상기 제 1 차광층간의 투광량과 같도록 양측내에 투광부위를 갖으며 형성되는 복수 개의 제 2 차광층들을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 고안에 따른 마스크 구조의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
리소그래피 공정에 사용되는 본 고안의 실시예에 따른 마스크 구조는 도 2에서와 같이, 셀-에지 즉 페리-코어지역에서 반복되는 워드 라인 또는 비트 라인 패턴과 콘택 랜딩 등의 큰 패턴 영역들을 각각 정의하기 위해 유리 기판(31)상에 형성되는 복수 개의 제 1 차광층(32)들과 양측면내에 투광 영역(34)을 갖는 제 2 차광층(33)들로 구성된다.
즉, 상기 복수 개의 워드 라인 또는 비트 라인들이 정의될 영역들의 유리 기판(31)상에 상기 복수 개의 제 1 차광층(32)들이 형성된다.
그리고, 상기 복수 개의 콘택 랜딩 등의 큰 패턴 영역들이 정의될 영역들의 유리 기판(11)상에 양측면내에 투광 영역(34)을 갖는 제 2 차광층(33)들이 형성된다.
여기서, 상기 제 2 차광층(33)들이 양측면내에 투광 영역(34)을 가지므로 상기 제 1 차광층(32)간과 상기 제 1, 제 2 차광층(32,33) 사이의 단위 면적당 투광 영역이 같기 때문에 투광률도 같아진다.
본 고안의 마스크 구조는 반복되는 워드 라인 또는 비트 라인 등의 라인 패턴들과 콘택 랜딩 등의 큰 패턴들을 각각 정의하기 위해 유리 기판상에 형성되는 제 1, 제 2 차광층에서, 상기 제 2 차광층이 양측면내에 투광 영역을 갖기 때문에 상기 제 1 차광층간과 상기 제 1, 제 2 차광층 사이의 단위 면적당 투광 영역이 같아지므로 모든 부위의 투광률이 동일하여 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (1)
- 복수 개의 도전성 라인 영역들과 상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들이 정의된 투명 기판;상기 도전성 라인 영역들의 투명 기판상에 형성되는 복수 개의 제 1 차광층들;상기 도전성 라인보다 큰 패턴 영역들의 투명 기판상에 상기 제 1 차광층간의 투광량과 같도록 양측내에 투광부위를 갖으며 형성되는 복수 개의 제 2 차광층들을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마스크 구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970029235U KR200183769Y1 (ko) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 마스크 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970029235U KR200183769Y1 (ko) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 마스크 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990015898U KR19990015898U (ko) | 1999-05-15 |
| KR200183769Y1 true KR200183769Y1 (ko) | 2000-06-01 |
Family
ID=19512322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970029235U KR200183769Y1 (ko) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 마스크 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200183769Y1 (ko) |
-
1997
- 1997-10-21 KR KR2019970029235U patent/KR200183769Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990015898U (ko) | 1999-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950025858A (ko) | 포토 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR200183769Y1 (ko) | 마스크 구조 | |
| KR970009822B1 (ko) | 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH1115128A (ja) | ホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法 | |
| KR100309212B1 (ko) | 노광마스크와 노광방법 | |
| KR100801738B1 (ko) | 포토마스크 및 그 형성방법 | |
| KR100236075B1 (ko) | 마스크 패턴 | |
| KR100520156B1 (ko) | 마스크 형성 방법 | |
| KR0172279B1 (ko) | 콘택 마스크 및 그를 이용한 콘택홀 형성 방법 | |
| KR20030058679A (ko) | 반도체 소자의 게이트 패턴 | |
| KR100419971B1 (ko) | 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH08123011A (ja) | フォトマスク | |
| KR100464385B1 (ko) | 패턴의변형이발생되는부분주위에더미패턴이형성된포토마스크 | |
| JPH02968A (ja) | フォトマスク | |
| KR19980077753A (ko) | 포토리소그래피 공정에 의한 반도체장치의 패턴형성방법 | |
| KR100326430B1 (ko) | 감광막패턴형성방법 | |
| KR100480811B1 (ko) | 노광 마스크 및 그를 이용한 노광 방법 | |
| KR0138279B1 (ko) | 노광방법 및 이에 사용되는 마스크 | |
| KR100265989B1 (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
| KR970006722B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
| KR100310419B1 (ko) | 위상반전마스크를 이용한 노광방법 | |
| KR19990015462A (ko) | 2개의 포토마스크를 사용하는 포토리소그래피 공정에의한반도체 장치의 패턴 형성 방법 | |
| JPH05165223A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| KR20040035480A (ko) | 필드 게이트 이미지의 폭을 보강하는 위상 에지 위상 변이마스크 및 제조방법 | |
| KR20000019166A (ko) | 이중 노광방법을 사용한 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110222 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |