KR950025858A - 포토 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

마스크의 근접효과(proximity effect)를 개선하여 캐패시터의 용량(capacitance)을 향상시킬 수 있는 포토 마스크(Photo Mask) 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의한 포토마스크는 투명한 기판상에 투광 영역을 한정하기 위한 차관성 마스크 패턴과 상기 차광성 마스크 패턴사이의 투광영역에 상기 차광성 마스크 패턴전사시 근접효과를 억제시키는 투과율 조절막 패턴이 형성되어 있다. 상기 투과율 조절막 패턴의 광 투과율 적용범위는 상기 투과율 조절막 패턴의 모양, 크기 및 배치에 따라 0%-100%로 자유롭게 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명은 차광성 마스크 패턴에 의해 한정된 투광영역의 교차영역 및 인접한 투광영역에 형성되는 투과율 굴절막 패턴으로 인하여 근접 효과를 억제하기 때문에, 마스크 패턴이 그대로 반도체 장치의 기판에 형성되어 캐패시터의 면적을 높을 수 있을 뿐 아니라 반도체 장치의 신뢰성을 크게 향상시키는 효과가 있다.

Description

포토 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 제1실시예에 의한 포토 마스크의 일부분에 대한 배치도이다.

Claims (11)

  1. 투명한 기판; 상기 기판상에 투광영역을 한정하기 위한 차관성 마스크 패턴; 및 상기 차광성 마스크 패턴사이의 투광영역에 상기 차광성 마스크 패턴 전사시 근접효과를 억제시키는 투과율 조절막 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투과율 조절막 패턴은 SOG(spin-on-glass), 포토 레지스트, 산화 실리콘, 알루미늄(Al), 질화 실리콘, 폴리 실리콘, 티타늄(Ti), 티타늄 나이트라이드(TiN), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  3. 투명한 기판; 상기 기판상에 사각 형상으로 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴; 및 상기 투광영역의 교차영역에 상기 차광성 마스크 패턴의 전사시 접효과를 억제시키는 투과율 조절막 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 투과율 조절막 패턴은 상기 교차영역의 일부에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  5. 투명한 기판; 상기 기판상에 사각 형상으로 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴; 및 상기 투광영역의 교차영역 및 상기 교차영역과 인접하는 투광영역에 상기 차광성 마스크 패턴의 전사시 근접효과를 억제시키는 투과율 조절막 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  6. 투명한 기판; 상기 기판상에 사각 형상으로 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴; 및 상기 투광영역의 교차영역과 그 인접한 투광영역에 상기 사각형상의 긴변에 평행하게 형성된 제1투과율 조절막 패턴과 상기 사각형상의 긴변에 수직하게 형성된 제2투과율 조절막 패턴이 겹쳐서 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2투과율 조절막 패턴은 상기 차광성 마스크 패턴의 전사시 근접효과를 억제시키는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  7. 투명한 기판상에 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 차광성 마스크 패턴과 상기 기판상에 투과율 굴절막을 형성하는 단계; 및 상기 투과율 굴절막을 패터닝하여 상기 차광성 마스크 패턴사이에 투과율 굴절막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  8. 투명한 기판상에 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 차광성 패턴 및 상기 기판상에 식각저지막을 형성하는 단계; 상기 식각저지막상에 투과율 굴절막을 형성하는 단계; 및 상기 식각저지막과 상기 투과율 굴절막을 패터닝하여, 상기 차광성 마스크 패턴사이의 기판상에 식각저지막 패턴과 상기 식각저지막 패턴상에 투과율 굴절막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기식각 저지막은 SOG(spin-on-glass), 산화 실리콘 및 질화 실리콘으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 투과율 조절막 패턴을 알루미늄(Al), 폴리 실리콘, 티타늄(Ti), 티타늄 나이트라이드(TiN), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  11. 투명한 기판상에 투광영역을 한정하기 위한 차광성 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 차광성 마스크 패턴 및 기판상에 포토 레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토 레지스트를 패터닝하여 투광영역을 노출시키는 단계; 상기 기판 전면에 걸쳐 투과율 조절막을 형성하는 단계; 및 상기 차광성 마스크 패턴사이에 리프트 오프(lift-off)방법을 사용하여 투과율 굴절막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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