KR970077203A - 포토레지스트 열적흐름의 경계효과 보정방법 - Google Patents

포토레지스트 열적흐름의 경계효과 보정방법 Download PDF

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Abstract

신규한 반도체장치의 미세패턴 형성방법 및 마스크 제작방법이 개시되어 있다. 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 반복되어 형성되어 있는 마스크의 엣지부에, 포토레지스트의 열적흐름을 제어할 수 있는 더미패턴을 삽입한다. 더미패턴과 주패턴과의 거리, 더미패턴의 투과율, 및 더미패턴의 폭을 조절하여 포토레지스트의 열적흐름에 의한 경계효과를 보정함으로써, 패턴의 비대칭성 문제를 해결할 수 있다.

Description

포토레지스트 열적흐름의 경계효과 보정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 제1실시예에 의해 형성된 콘택홀 패턴의 단면도.

Claims (13)

  1. 광학적 방법으로 미세패턴을 형성하는 반도체 제조방법에 있어서, 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 반복되어 형성되어 있는 마스크의 엣지부에, 포토레지스트의 열적흐름을 제어할 수 있는 더미패턴을 삽입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 한계 해상도의 50%에서 80% 사이의 크기를 갖는 고립형 콘택홀 패턴 또는 10%에서 60% 사이의 크기를 갖는 선의 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 주패턴과 주패턴 간격의 0.5∼2배 정도의 위치에 삽입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 하프톤 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  5. 광학적 방법으로 미세패턴을 형성하는 반도체 제조방법에 있어서, 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 반복되어 형성되어 있는 마스크의 엣지부에, 포토레지스트의 열적흐름을 제어하도록 투과율이 조절된 더미패턴을 삽입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투과율이 조절된 더미패턴은 크롬(Cr), MoSi 및 포토레지스트의 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 더미패턴은 한계 해상도의 50%에서 80% 사이의 크기를 갖는 고립형 콘택홀 패턴 또는 10%에서 60% 사이의 크기를 갖는 선의 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 주패턴과 주패턴 간격의 0.5∼2배 정도의 위치에 삽입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 더미패턴은 하프톤 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  10. 마스크기판 상에 하프톤 마스크층 및 크롬층을 적층하는 단계; 상기 크롬층 상에 주패턴 형성을 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 크롬층 및 하프톤 마스크층들을 차례로 식각하여 주패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 결과물 상에 포토레지스트 열적흐름 제어용 더미패턴 형성을 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 크롬층을 식각하여 상기 하프톤 마스크층으로 이루어진 더미패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 하프톤 마스크층은 MoSiON, CrOx, SiNx 및 WSi의 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 하프톤 마스크층의 투과율을 1∼99%로 조절하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 하프톤 마스크층의 위상을 0∼2π로 조절하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR20000000592A (ko) * 1998-06-01 2000-01-15 김영환 전자빔 리소그래피의 스텐실 마스크
KR100399060B1 (ko) * 2001-06-30 2003-09-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조용 레지스트 패턴 형성방법
KR100510448B1 (ko) * 1998-01-13 2005-10-21 삼성전자주식회사 열적 흐름 공정을 이용한 반도체장치의 미세 포토레지스트 패턴형성방법

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