KR100223273B1 - 레티클 제조방법 - Google Patents
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Abstract
단차가 형성된 실리콘기판에 마스크 공정시 발생하는 초점의 차이로 인하여 정확한 패턴 형성에 문제가 발생하게 된다. 상기 문제를 해소하기 위하여 레티클 일부분의 투과율을 조정하여 인위적으로 차이를 갖도록 한다. 따라서 단차가 형성된 곳에도 정확한 패턴을 형성하여 소자의 품질과 신뢰도롤 크게 향상시킬 수 있도록 하는 레티클 제조 방법이 개시된다.
Description
본 발명은 레티클(Reticle) 제조방법에 관한 것으로 특히, 레티클 일부분의 초점(Focus)을 조정 할 수 있는 레티클 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 마스크 공정시 공정 여유도는 점차 감소되고 있다. 특히 공정난이도에 결정적 영향을 미치는 레티클 초점의 깊이(Depth Of Focus Range)는 실리콘기판에 형성된 단차에 의한 영역별 초점의 차이 인하여 정확한 패턴이 형성되지 못한다. 종래 문제점을 도 1을 통하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실리콘기판(1)상에 단차(3)가 형성된 하부층(2)을 형성한 후 감광막(4)을 형성한 상태의 도면이다. 이때 전체 상부에 레티클을 형성하여 노광시 단차(3)에 의하여 초점(5 및 6)의 깊이에 차이가 발생한다. 즉 제 1영역의 초점(6)이 최적이라면 제 2영역에서의 초점(5)과는 차이가 발생하게 된다. 따라서 감광막(4)패터닝시 깊이 차이로 인하여 명확한 하부층(2) 패턴에 문제점이 발생한다.
따라서 본 발명은 레티클의 일부분의 초점을 인위적으로 차이를 두어 상기한 문제점을 해소할 수 있는 레티클 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다,
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레티클 제조방법은 제 1 석영기판상에 제 2 석영기판을 형성하는 단계와, 상기 제 2 석영기판상에 크롬층을 형성하는 단계와, 상기 크롬층을 패더닝하는 단계와, 초점을 변화시킬 상기 제 2 석영기판의 일부분을 선택적으로 식각한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
제 1도는 종래 레티클 사용에서 발생되는 문제점을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제 2a도 내지 제 2c도는 본 발명에 따른 레티클 제조방법을 설명하기 위한 레티클 단면도.
제 3 도는 본 발명에 따른 레티클을 사용할 때 효과를 설명하기 위한 소자의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 및 21 : 실리콘기판 2 및 22 : 하부층
4 및 24 : 감광막 11 : 제 1 석영기판
12 : 제 2 석영기판 13 : 크롬층
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 레티클 제조방빕을 설명하기 위한 레티클의 단면도이다.
도 2a는 제 1 석영기판(11)상에 제 2 석영기판(12) 및 크롬층(13)을 순차으로 형성한 상태의 도면이다. 이때 제 2 석영기판(12) 및 크롬층(13)은 투과율을 조정하기 위하여 염료 또는 이물질을 침가한다. 또한 초점을 인위적으로 보상할 지역의 제 2 석영기판(12)의 두께를 그외 지역의 제 2 석영기판(12)의 두께보다 얇게 선택 식각함으로써 투과율을 조정할 수 있다.
도 2b는 상기 크롬층(13) 전체 상부면에 제 1 감광막(도시안됨)을 형성한 후 상기 감광막을 전자빔을 사용하여 노광하여 현상한다. 그 후 상기 제 1 감광막을 이용하여 상기 크롬층(13)을 패턴한다.
도 2c에 도시된 바와같이 상기 패턴된 크롬층(13) 전제 상부면에 제 2 감광막(도시안됨)을 형성한 후 전자빔을 사용하여 상기 제 2 감광막을 패턴 한다. 그후 상기 패턴된 제 2 감광막을 이용하여 상기 제 2 석영기판(12)을 일부분 식각한다. 이때 상기 제 2 석영기판(12)이 식각된 영역은 초점이 조정된 부분이다.
상기와 같은 염료색, 이물질, 제 2 석영기판(12)의 두께 등과 같은 투과율 조정 요인을 각각 분할 테스트(Split Test)하여 각 반도체 장치의 단차에 적합한 최적 조건을 찾는다.
도 3은 본 발명에 따른 레티클을 사용할 때 초점의 변화를 나타낸 소자의 단면도이다.
도 3은 실리콘기판(21)상에 단차(23)가 형성된 하부층(22)을 형성한 후 감광막(24)을 형성한 상태의 도면이다. 이때 단차(23)로 인한 초점 차이를 본 발명의 레티클로서 보상하여 제 1 영역의 초점(26) 보다 제 2 영역의 초점(24)이 하부층(25) 아래로 내려와 있다. 즉 최적의 위치에 두 초점(24 및 25)이 형성되므로 감광막(24)의 정확한 패턴이 가능하게 된다.
본 발명의 다른 실시예로 콘택 흘 형성에서 단차에 의한 초점자이를 하프-톤 위상반전 마스크 (HaLf-Tone Phase Shift Mask)에도 상기와 같이 보상한다.
상술한 바와같이 마스크 공정시 적층되는 구조의 실리콘기판에 필연적으로 발생하는 단차에 의한 초점 차이는 정확한 패턴 형성에 문제점을 발생시킨다. 상기 문제점을 레티클상에서 초점을 조정 할 수 있도록 하므로 단자가 있더라도 패턴 형성을 향상시킬 수 있어 반도체 소자의 품질의 특성과 신뢰도를 크게 개선할 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 제 1 석영기판상에 제 2 석영기판을 형성하는 단계와,상기 제 2 석영기판상에 크롬층을 형성하는 단계와,상기 크롬층을 패터닝하는 단계와,초점을 변화시킬 상기 제 2 석영기판의 일부분을 감광막 패턴을 이용하여 선택적으로 식각한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 석영기판은 염료가 첨가되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 석영기판의 투과율은 상기 제 1 석영기판의 투과율보다 낮은 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 석영기판의 두께는 상기 제 1 석영기판의 두께 보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960074965A KR100223273B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 레티클 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960074965A KR100223273B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 레티클 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980055729A KR19980055729A (ko) | 1998-09-25 |
| KR100223273B1 true KR100223273B1 (ko) | 1999-10-15 |
Family
ID=19491713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960074965A KR100223273B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 레티클 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100223273B1 (ko) |
-
1996
- 1996-12-28 KR KR1019960074965A patent/KR100223273B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980055729A (ko) | 1998-09-25 |
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