JPH0831717A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH0831717A JPH0831717A JP6159895A JP15989594A JPH0831717A JP H0831717 A JPH0831717 A JP H0831717A JP 6159895 A JP6159895 A JP 6159895A JP 15989594 A JP15989594 A JP 15989594A JP H0831717 A JPH0831717 A JP H0831717A
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- resist pattern
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１１上に第１のレジストパタ−ン１５を
形成した後、低粘度のレジストを塗布して第２のレジス
ト層１６を形成し、その後、パタ−ンが微細な第２のマ
スクパタ−ン１７を用いて矩形形状の凹部１９に通常の
フォトリソグラフィ工程を施し、第１のレジストパタ−
ン１５間の凹部１９に微細な第２のレジストパタ−ン１
８を形成する。 【効果】 既存の露光装置を用いて通常のフォトリソグ
ラフィ工程を２回繰り返すだけで、前記既存の露光装置
の有する性能以上の解像度を得ることができ、微細なパ
タ−ンを形成することができる。
形成した後、低粘度のレジストを塗布して第２のレジス
ト層１６を形成し、その後、パタ−ンが微細な第２のマ
スクパタ−ン１７を用いて矩形形状の凹部１９に通常の
フォトリソグラフィ工程を施し、第１のレジストパタ−
ン１５間の凹部１９に微細な第２のレジストパタ−ン１
８を形成する。 【効果】 既存の露光装置を用いて通常のフォトリソグ
ラフィ工程を２回繰り返すだけで、前記既存の露光装置
の有する性能以上の解像度を得ることができ、微細なパ
タ−ンを形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置におけるレジ
ストパターンの形成方法に関する。
ストパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体集積回路の製造におい
て、回路設計されたパターンが配置されたマスクを半導
体基板上に転写するのにフォトリソグラフィ技術が用い
られている。半導体装置を製造する場合の一般的なフォ
トリソグラフィ工程を図２に基づいて簡単に説明する。
て、回路設計されたパターンが配置されたマスクを半導
体基板上に転写するのにフォトリソグラフィ技術が用い
られている。半導体装置を製造する場合の一般的なフォ
トリソグラフィ工程を図２に基づいて簡単に説明する。
【０００３】まずＳｉ基板３１上に絶縁膜としてのＳｉ
Ｏ2 膜３２を形成し、ＳｉＯ2 膜３２上に感光性高分子
から成るレジスト３３を塗布し、この後プリベークを行
ないレジスト層３３中に含まれる有機溶剤を除去する
（図２（ａ））。次に、マスクパターン３４を露光によ
ってレジスト層３３上に転写し（図２（ｂ））、その
後、レジスト層３３を現像してマスクパターン３４に対
応するレジストパターン３５を形成する。その後、ポス
トベークを行ない、レジストパタ−ン３５中に含まれた
水分を飛ばしＳｉＯ2 膜３２との密着性を高める（図２
（ｃ））。後工程では、レジストパタ−ン３５をマスク
としてＳｉＯ2 膜３２をエッチングしたり、基板３１内
に不純物を拡散させたりする処理が行われる。以上のよ
うに、一般的なフォトリソグラフィ工程は図２（ａ）〜
（ｃ）で示した３つの主な工程を含んで構成されてい
る。
Ｏ2 膜３２を形成し、ＳｉＯ2 膜３２上に感光性高分子
から成るレジスト３３を塗布し、この後プリベークを行
ないレジスト層３３中に含まれる有機溶剤を除去する
（図２（ａ））。次に、マスクパターン３４を露光によ
ってレジスト層３３上に転写し（図２（ｂ））、その
後、レジスト層３３を現像してマスクパターン３４に対
応するレジストパターン３５を形成する。その後、ポス
トベークを行ない、レジストパタ−ン３５中に含まれた
水分を飛ばしＳｉＯ2 膜３２との密着性を高める（図２
（ｃ））。後工程では、レジストパタ−ン３５をマスク
としてＳｉＯ2 膜３２をエッチングしたり、基板３１内
に不純物を拡散させたりする処理が行われる。以上のよ
うに、一般的なフォトリソグラフィ工程は図２（ａ）〜
（ｃ）で示した３つの主な工程を含んで構成されてい
る。
【０００４】半導体装置の集積度が向上するにつれてよ
り微細な回路パタ−ンを形成することができる微細加工
技術が必要になってきている。フォトリソグラフィ技術
に関しては、解像度を向上させる必要がある。そのた
め、露光装置の改良が試みられたり、材料の開発が行わ
れたりしている。露光装置の改良は、レンズ開口径を大
きく設定したり、短波長の露光波長を使用したり、回折
光の影響を抑えるためマスク上の隣り合う開口部の一方
に透明なシフタを設けて光の位相を１８０°シフトさせ
ることにより投影像を分離する位相シフトマスクを使用
したりする等の方向で進められている。一方、材料の開
発としては、高解像度のレジストや、回折光を緩和させ
るのに効果のある光露光用コントラスト増幅材料：ＣＥ
Ｌ(Contrast Enhanced Layer）等の材料が開発されてい
る。
り微細な回路パタ−ンを形成することができる微細加工
技術が必要になってきている。フォトリソグラフィ技術
に関しては、解像度を向上させる必要がある。そのた
め、露光装置の改良が試みられたり、材料の開発が行わ
れたりしている。露光装置の改良は、レンズ開口径を大
きく設定したり、短波長の露光波長を使用したり、回折
光の影響を抑えるためマスク上の隣り合う開口部の一方
に透明なシフタを設けて光の位相を１８０°シフトさせ
ることにより投影像を分離する位相シフトマスクを使用
したりする等の方向で進められている。一方、材料の開
発としては、高解像度のレジストや、回折光を緩和させ
るのに効果のある光露光用コントラスト増幅材料：ＣＥ
Ｌ(Contrast Enhanced Layer）等の材料が開発されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記位相シフトマスク
の場合、微細加工性及び線幅の制御性に優れているとい
う利点を有してはいるが、前記シフトマスクの開発にか
なりのコストがかかるという問題がある。またパタ−ン
種に応じた位相シフタを設ける必要があり、マスク欠陥
が生じた場合のマスクの修正が行いにくいという問題が
ある。一方、前記ＣＥＬ材料の場合、微細加工性には優
れているが、ＣＥＬの膜厚に依存してパターンの特性が
変わってしまうという難点があり、線幅の制御性及びＣ
ＥＬ膜のため透過光がカットされる分、多くの露光量が
必要となりスル−プットが悪くなる、またコストがかか
るという問題がある。
の場合、微細加工性及び線幅の制御性に優れているとい
う利点を有してはいるが、前記シフトマスクの開発にか
なりのコストがかかるという問題がある。またパタ−ン
種に応じた位相シフタを設ける必要があり、マスク欠陥
が生じた場合のマスクの修正が行いにくいという問題が
ある。一方、前記ＣＥＬ材料の場合、微細加工性には優
れているが、ＣＥＬの膜厚に依存してパターンの特性が
変わってしまうという難点があり、線幅の制御性及びＣ
ＥＬ膜のため透過光がカットされる分、多くの露光量が
必要となりスル−プットが悪くなる、またコストがかか
るという問題がある。
【０００６】このように前記位相シフトマスク及び前記
ＣＥＬが抱えている問題点からわかるように、既存の露
光装置ではサブミクロンオ−ダ−のパタ−ン形成に十分
な解像度を得ることはできず、露光装置及び材料の改良
・開発を行って微細加工精度を向上させようとしても、
前記改良・開発にはコストの増大を招いてしまう。
ＣＥＬが抱えている問題点からわかるように、既存の露
光装置ではサブミクロンオ−ダ−のパタ−ン形成に十分
な解像度を得ることはできず、露光装置及び材料の改良
・開発を行って微細加工精度を向上させようとしても、
前記改良・開発にはコストの増大を招いてしまう。
【０００７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであって、既存の露光装置で十分な解像度を得ること
ができ、コストをあまり増大させることなく微細なレジ
ストパターンを形成することができるレジストパターン
の形成方法を提供することを目的としている。
のであって、既存の露光装置で十分な解像度を得ること
ができ、コストをあまり増大させることなく微細なレジ
ストパターンを形成することができるレジストパターン
の形成方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るレジストパターンの形成方法（１）は、
基板上に第１のレジストパタ−ンを形成する工程、及び
その後第２のレジストを塗布して第２のレジスト層を形
成し、露光、現像する工程を含んでいることを特徴とし
ている。
に本発明に係るレジストパターンの形成方法（１）は、
基板上に第１のレジストパタ−ンを形成する工程、及び
その後第２のレジストを塗布して第２のレジスト層を形
成し、露光、現像する工程を含んでいることを特徴とし
ている。
【０００９】また本発明に係るレジストパタ−ンの形成
方法（２）は、上記レジストパタ−ンの形成方法（１）
において、前記第１のレジストパタ−ンを形成するのに
用いたマスクパタ−ンと異なるマスクパタ−ンを用いて
前記第２のレジスト層を露光することを特徴としてい
る。
方法（２）は、上記レジストパタ−ンの形成方法（１）
において、前記第１のレジストパタ−ンを形成するのに
用いたマスクパタ−ンと異なるマスクパタ−ンを用いて
前記第２のレジスト層を露光することを特徴としてい
る。
【００１０】
レジストパタ−ンの形成方法（１） 前記第１のレジストパタ−ンは通常のフォトリソグラフ
ィ工程で形成され、該パタ−ン間の凹部は断面視矩形形
状をしている。前記第２のレジスト層は、前記第１のレ
ジストパタ−ンが形成された基板上に第２のレジストと
しての低粘度のレジストが高速回転で塗布されて形成さ
れる。低粘度のレジストが高速回転で塗布されて形成さ
れるので前記第２のレジスト層の膜厚は、前記矩形形状
をした凹部の段差部近傍内側では前記第１のレジストパ
タ−ンの膜厚よりも厚くなるが、前記第１のレジストパ
ターンの上面及び前記凹部の中心付近では前記第１のレ
ジストパタ−ンの膜厚よりも薄くなる。この段階で、前
記凹部に対して、前記凹部の中心付近の第２のレジスト
層を完全に感光させるのに程よい露光条件で露光を行う
と、前記第１のレジストパターン間の凹部の中心付近が
開口された微細なレジストパターン（第２のレジストパ
タ−ン）が形成される。
ィ工程で形成され、該パタ−ン間の凹部は断面視矩形形
状をしている。前記第２のレジスト層は、前記第１のレ
ジストパタ−ンが形成された基板上に第２のレジストと
しての低粘度のレジストが高速回転で塗布されて形成さ
れる。低粘度のレジストが高速回転で塗布されて形成さ
れるので前記第２のレジスト層の膜厚は、前記矩形形状
をした凹部の段差部近傍内側では前記第１のレジストパ
タ−ンの膜厚よりも厚くなるが、前記第１のレジストパ
ターンの上面及び前記凹部の中心付近では前記第１のレ
ジストパタ−ンの膜厚よりも薄くなる。この段階で、前
記凹部に対して、前記凹部の中心付近の第２のレジスト
層を完全に感光させるのに程よい露光条件で露光を行う
と、前記第１のレジストパターン間の凹部の中心付近が
開口された微細なレジストパターン（第２のレジストパ
タ−ン）が形成される。
【００１１】レジストパタ−ンの形成方法（２） レジストパタ−ンの形成方法（２）の場合、前記第２の
レジスト層が形成された段階で、前記凹部に対して、前
記第１のレジストパタ−ンを形成するのに用いたマスク
パタ−ンよりもパタ−ンが微細なマスクパタ−ンを用い
て露光が行われる。そうすると、前記第１のレジストパ
タ−ン間の凹部の中心付近が開口された微細なレジスト
パタ−ン（第２のレジストパタ−ン）が形成される。し
かも、該レジストパタ−ンの膜厚は、前記第１のレジス
トパタ−ンの膜厚に前記第２のレジスト層の膜厚を加え
た大きさになるので、後工程に十分耐え得るものとなっ
ている。すなわち、レジストパタ−ンの形成方法（２）
を用いると、後工程に耐え得る十分な膜厚を有した微細
なレジストパタ−ンを形成することが可能である。
レジスト層が形成された段階で、前記凹部に対して、前
記第１のレジストパタ−ンを形成するのに用いたマスク
パタ−ンよりもパタ−ンが微細なマスクパタ−ンを用い
て露光が行われる。そうすると、前記第１のレジストパ
タ−ン間の凹部の中心付近が開口された微細なレジスト
パタ−ン（第２のレジストパタ−ン）が形成される。し
かも、該レジストパタ−ンの膜厚は、前記第１のレジス
トパタ−ンの膜厚に前記第２のレジスト層の膜厚を加え
た大きさになるので、後工程に十分耐え得るものとなっ
ている。すなわち、レジストパタ−ンの形成方法（２）
を用いると、後工程に耐え得る十分な膜厚を有した微細
なレジストパタ−ンを形成することが可能である。
【００１２】一般に微細パタ−ンのマスクを用いて露光
を行うと、該マスクを通過する光の強度が弱まり、かつ
回折光の影響を強く受けるので微細なパタ−ンを精度良
く形成することができないが、レジストパタ−ンの形成
方法（２）にあっては、開口させるべき領域におけるレ
ジストの膜厚が薄いぶん光量を少なくすることができ、
また光量を少なくすることができるぶん回折光の影響を
受けなくなり、微細なパタ−ンが形状良く形成される。
を行うと、該マスクを通過する光の強度が弱まり、かつ
回折光の影響を強く受けるので微細なパタ−ンを精度良
く形成することができないが、レジストパタ−ンの形成
方法（２）にあっては、開口させるべき領域におけるレ
ジストの膜厚が薄いぶん光量を少なくすることができ、
また光量を少なくすることができるぶん回折光の影響を
受けなくなり、微細なパタ−ンが形状良く形成される。
【００１３】なお、前記低粘度のレジストが塗布されて
形成される第２レジスト層の膜厚は３０００Å〜５００
０Åの範囲が適当である。その理由は、膜厚が３０００
Å以下であるとピンホ−ルが発生する可能性があり、膜
厚が５０００Å以上であると薄膜効果がなくなるからで
ある。
形成される第２レジスト層の膜厚は３０００Å〜５００
０Åの範囲が適当である。その理由は、膜厚が３０００
Å以下であるとピンホ−ルが発生する可能性があり、膜
厚が５０００Å以上であると薄膜効果がなくなるからで
ある。
【００１４】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るレジストパタ
ーンの形成方法の実施例を図面に基づいて説明する。図
１（ａ）〜（ｇ）は実施例に係るレジストパターンの形
成方法を説明するための各工程を示した模式的断面図で
ある。
ーンの形成方法の実施例を図面に基づいて説明する。図
１（ａ）〜（ｇ）は実施例に係るレジストパターンの形
成方法を説明するための各工程を示した模式的断面図で
ある。
【００１５】まず最初にＳｉ基板１１上にＳｉＯ2 膜１
２及び下地膜（図示せず）を形成し、その上に感光性高
分子から成り、粘度が２５ｃｐのＰＦＸ−１５レジスト
を塗布し、膜厚が１．３μｍの第１のレジスト層１３を
形成する。この後プリベークを行なって第１のレジスト
層１３中に含まれる有機溶剤を除去する（図１
（ａ））。次に第１のマスクパタ−ン１４を通して第１
のレジスト層１３に１．０μｍのスペ−スを開口させる
露光条件（例えば、ＮＳＲ１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の
場合、３２５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光を施し（図１
（ｂ））、定在波の影響を緩和させる効果を有するベ−
ク処理（ＰＥＢ処理）を１１５℃、２分の条件で行なっ
た後、現像して第１のレジストパターン１５を形成す
る。その後、ポストベークを行なって第１のレジストパ
タ−ン１５中に含まれている水分を飛ばし、下地膜（図
示せず）との密着性を高めておく（図１（ｃ））。次
に、次工程での低粘度レジストの塗布特性を向上させる
ことを目的として、第１のレジストパタ−ン１５に
（遠）紫外光キュア処理を施す（図１（ｄ））。
２及び下地膜（図示せず）を形成し、その上に感光性高
分子から成り、粘度が２５ｃｐのＰＦＸ−１５レジスト
を塗布し、膜厚が１．３μｍの第１のレジスト層１３を
形成する。この後プリベークを行なって第１のレジスト
層１３中に含まれる有機溶剤を除去する（図１
（ａ））。次に第１のマスクパタ−ン１４を通して第１
のレジスト層１３に１．０μｍのスペ−スを開口させる
露光条件（例えば、ＮＳＲ１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の
場合、３２５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光を施し（図１
（ｂ））、定在波の影響を緩和させる効果を有するベ−
ク処理（ＰＥＢ処理）を１１５℃、２分の条件で行なっ
た後、現像して第１のレジストパターン１５を形成す
る。その後、ポストベークを行なって第１のレジストパ
タ−ン１５中に含まれている水分を飛ばし、下地膜（図
示せず）との密着性を高めておく（図１（ｃ））。次
に、次工程での低粘度レジストの塗布特性を向上させる
ことを目的として、第１のレジストパタ−ン１５に
（遠）紫外光キュア処理を施す（図１（ｄ））。
【００１６】次に、粘度が１５ｃｐの低粘度レジスト
（ＰＦＸ−１５）を６０００回転で塗布し、第２のレジ
スト層１６を形成する。この時、第２のレジスト層１６
の膜厚は平坦部で５０００Åになる。その後、９５℃、
２分の条件でベ−ク処理を施し、第２のレジスト層１６
に含まれている有機溶剤を除去する（図１（ｅ））。こ
の段階で、第１のレジストパタ−ン１５間の矩形形状の
凹部１９の段差部近傍内側に形成される第２のレジスト
層１６の膜厚は５０００Åよりも厚くなるが、第１のレ
ジストパタ−ン１５の上面及び矩形形状の凹部１９の中
心付近に形成される第２のレジスト層１６の膜厚は、５
０００Å程度になる。
（ＰＦＸ−１５）を６０００回転で塗布し、第２のレジ
スト層１６を形成する。この時、第２のレジスト層１６
の膜厚は平坦部で５０００Åになる。その後、９５℃、
２分の条件でベ−ク処理を施し、第２のレジスト層１６
に含まれている有機溶剤を除去する（図１（ｅ））。こ
の段階で、第１のレジストパタ−ン１５間の矩形形状の
凹部１９の段差部近傍内側に形成される第２のレジスト
層１６の膜厚は５０００Åよりも厚くなるが、第１のレ
ジストパタ−ン１５の上面及び矩形形状の凹部１９の中
心付近に形成される第２のレジスト層１６の膜厚は、５
０００Å程度になる。
【００１７】次に、矩形形状の凹部１９に対して微細な
パタ−ンが配置された第２のマスクパタ−ン１７を用
い、０．３μｍのスペ−スが開口する露光条件（ＮＳＲ
１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の場合、１７５ｍＪ／ｃｍ2
の露光条件）で露光を行う（図１（ｆ））。次に、定在
波の影響を緩和させる効果を有するベ−ク処理（ＰＥＢ
処理）を１１５℃、２分の条件で行なった後、現像して
第２のレジストパターン１８を形成する。その後、ポス
トベークを行ない、第２のレジストパタ−ン１８中に含
まれている水分を飛ばし下地膜（図示せず）との密着性
を高めておく（図１（ｇ））。
パタ−ンが配置された第２のマスクパタ−ン１７を用
い、０．３μｍのスペ−スが開口する露光条件（ＮＳＲ
１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の場合、１７５ｍＪ／ｃｍ2
の露光条件）で露光を行う（図１（ｆ））。次に、定在
波の影響を緩和させる効果を有するベ−ク処理（ＰＥＢ
処理）を１１５℃、２分の条件で行なった後、現像して
第２のレジストパターン１８を形成する。その後、ポス
トベークを行ない、第２のレジストパタ−ン１８中に含
まれている水分を飛ばし下地膜（図示せず）との密着性
を高めておく（図１（ｇ））。
【００１８】以上説明したように実施例にかかるレジス
トパタ−ンの形成方法にあっては、基板１１上に形成さ
れた膜厚１．３μｍの第１のレジストパタ−ン１５上に
平坦部で膜厚が５０００Å（０．５μｍ）となるように
低粘度のレジストが高速回転で塗布され、第２のレジス
ト層１６が形成される。矩形形状の凹部１９における第
２のレジスト層１６の膜厚は、段差部近傍内側で５００
０Åよりも厚くなるが、中心付近ではほぼ５０００Åに
なる。この段階で、矩形形状の凹部１９に対して微細な
パタ−ンが配置された第２のマスクパタ−ン１７を用
い、前記露光条件で露光を行うと、スペ−スが０．３μ
ｍの微細レジストパタ−ン１８を形成することができ
る。前記露光条件で示したように、実施例に係るレジス
トパタ−ンの形成方法にあっては矩形形状の凹部１９の
中心付近の膜厚が５０００Åと薄い分、露光光の光量を
少なくすることができ、また、光量を少なくすることが
できる分、回折光による影響をほとんど受けなくて済む
ようになる。したがって、実施例に係るレジストパタ−
ンの形成方法を用いると、回折光の影響をほとんど受け
なくて済むので形状良く微細パタ−ンを形成することが
できる。
トパタ−ンの形成方法にあっては、基板１１上に形成さ
れた膜厚１．３μｍの第１のレジストパタ−ン１５上に
平坦部で膜厚が５０００Å（０．５μｍ）となるように
低粘度のレジストが高速回転で塗布され、第２のレジス
ト層１６が形成される。矩形形状の凹部１９における第
２のレジスト層１６の膜厚は、段差部近傍内側で５００
０Åよりも厚くなるが、中心付近ではほぼ５０００Åに
なる。この段階で、矩形形状の凹部１９に対して微細な
パタ−ンが配置された第２のマスクパタ−ン１７を用
い、前記露光条件で露光を行うと、スペ−スが０．３μ
ｍの微細レジストパタ−ン１８を形成することができ
る。前記露光条件で示したように、実施例に係るレジス
トパタ−ンの形成方法にあっては矩形形状の凹部１９の
中心付近の膜厚が５０００Åと薄い分、露光光の光量を
少なくすることができ、また、光量を少なくすることが
できる分、回折光による影響をほとんど受けなくて済む
ようになる。したがって、実施例に係るレジストパタ−
ンの形成方法を用いると、回折光の影響をほとんど受け
なくて済むので形状良く微細パタ−ンを形成することが
できる。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１は実施例に係るレジストパタ−ンの形
成方法と、従来の（通常の）レジストパタ−ン形成方
法、ＣＥＬ材料を用いたレジストパタ−ンの形成方法及
び位相シフトマスクを用いたレジストパタ−ンの形成方
法とにおいて、微細加工性、コスト及びプロセスの容易
さそれぞれについての優劣度を示したものである。
成方法と、従来の（通常の）レジストパタ−ン形成方
法、ＣＥＬ材料を用いたレジストパタ−ンの形成方法及
び位相シフトマスクを用いたレジストパタ−ンの形成方
法とにおいて、微細加工性、コスト及びプロセスの容易
さそれぞれについての優劣度を示したものである。
【００２１】実施例の方法によれば、位相シフト法の微
細加工性（０．３０μｍ以下）には及ばないもののＣＥ
Ｌ法と同等の微細加工性（０．３０〜０．４０μｍ）を
得ることができ、従来の方法（０．４５〜０．５０μ
ｍ）よりも優れていることが分かる。このように、実施
例の方法によればＣＥＬ法と同等の微細加工性を有しな
がらコストやプロセス面では行程の長さ、材料費等で優
れており、しかも位相シフト法のようにマスク選択を行
わないので材料選択の困難性といった問題も生じないの
で、低コストでかつ容易に微細パタ−ンを形成すること
ができる。
細加工性（０．３０μｍ以下）には及ばないもののＣＥ
Ｌ法と同等の微細加工性（０．３０〜０．４０μｍ）を
得ることができ、従来の方法（０．４５〜０．５０μ
ｍ）よりも優れていることが分かる。このように、実施
例の方法によればＣＥＬ法と同等の微細加工性を有しな
がらコストやプロセス面では行程の長さ、材料費等で優
れており、しかも位相シフト法のようにマスク選択を行
わないので材料選択の困難性といった問題も生じないの
で、低コストでかつ容易に微細パタ−ンを形成すること
ができる。
【００２２】なお、上記実施例では、第１のレジストパ
タ−ン１５を形成するのに用いたマスクパタ−ン１４と
は異なるマスクパタ−ン１７を用いて微細なパタ−ンで
ある第２のレジストパタ−ン１８を形成しているが、別
の実施例では、第２のレジストパタ−ンを形成する場合
でもマスクパタ−ン１４を用い、矩形形状の凹部１９の
中心付近の膜厚である５０００Å程度が感光する露光条
件（例えば、ＮＳＲ１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の場合、
１５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光条件）で露光を行って第２の
レジストパタ−ンを形成してもよい。その場合、第２の
レジストパタ−ンの断面形状は、上記実施例における第
２のレジストパタ−ン１８の断面形状とは異なり、テ−
パ形状となるが、同様に微細なパタ−ンを形成すること
ができる。
タ−ン１５を形成するのに用いたマスクパタ−ン１４と
は異なるマスクパタ−ン１７を用いて微細なパタ−ンで
ある第２のレジストパタ−ン１８を形成しているが、別
の実施例では、第２のレジストパタ−ンを形成する場合
でもマスクパタ−ン１４を用い、矩形形状の凹部１９の
中心付近の膜厚である５０００Å程度が感光する露光条
件（例えば、ＮＳＲ１５０５Ｇ７Ｅステッパ−の場合、
１５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光条件）で露光を行って第２の
レジストパタ−ンを形成してもよい。その場合、第２の
レジストパタ−ンの断面形状は、上記実施例における第
２のレジストパタ−ン１８の断面形状とは異なり、テ−
パ形状となるが、同様に微細なパタ−ンを形成すること
ができる。
【００２３】また、上記実施例では第２のレジスト層１
６として粘度が１５ｃｐの低粘度レジストを用いる場合
を示したが、１５ｃｐの粘度に限られるものではない。
６として粘度が１５ｃｐの低粘度レジストを用いる場合
を示したが、１５ｃｐの粘度に限られるものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るレジス
トパターンの形成方法（１）及びレジストパタ−ンの形
成方法（２）の何れにあっても、従来の（通常の）レジ
ストパタ−ンの形成方法では得ることのできない微細な
レジストパタ−ンを既存の露光装置を用いて形成するこ
とができる。すなわち、本発明に係るレジストパタ−ン
の形成方法（１）あるいはレジストパタ−ンの形成方法
（２）を用いると、既存の露光装置で十分な解像度を得
ることができ、該既存の露光装置の有する装置性能以上
の解像度を得ることができる。
トパターンの形成方法（１）及びレジストパタ−ンの形
成方法（２）の何れにあっても、従来の（通常の）レジ
ストパタ−ンの形成方法では得ることのできない微細な
レジストパタ−ンを既存の露光装置を用いて形成するこ
とができる。すなわち、本発明に係るレジストパタ−ン
の形成方法（１）あるいはレジストパタ−ンの形成方法
（２）を用いると、既存の露光装置で十分な解像度を得
ることができ、該既存の露光装置の有する装置性能以上
の解像度を得ることができる。
【００２５】微細なパタ−ンを形成するには、ＣＥＬ法
や位相シフトマスク法などを用いる方法が知られている
が、ＣＥＬ法や位相シフトマスク法には、コストが増大
し、フォトリソグラフィプロセスが複雑になるといった
難点がある。これに対して、本発明に係るレジストパタ
−ンの形成方法（１）及びレジストパタ−ンの形成方法
（２）は、既存の露光装置を用いて通常のフォトリソグ
ラフィプロセスを２回繰り返すだけで微細なパタ−ンを
形成することができるので、ＣＥＬ法や位相シフトマス
ク法を用いる場合に比べてコストを削減することがで
き、フォトリソグラフィプロセスもはるかに容易に行う
ことができる。
や位相シフトマスク法などを用いる方法が知られている
が、ＣＥＬ法や位相シフトマスク法には、コストが増大
し、フォトリソグラフィプロセスが複雑になるといった
難点がある。これに対して、本発明に係るレジストパタ
−ンの形成方法（１）及びレジストパタ−ンの形成方法
（２）は、既存の露光装置を用いて通常のフォトリソグ
ラフィプロセスを２回繰り返すだけで微細なパタ−ンを
形成することができるので、ＣＥＬ法や位相シフトマス
ク法を用いる場合に比べてコストを削減することがで
き、フォトリソグラフィプロセスもはるかに容易に行う
ことができる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例に係るレジス
トパターンの形成方法を各工程順に示した模式的断面図
である。
トパターンの形成方法を各工程順に示した模式的断面図
である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は従来のレジストパターンの形
成方法を各工程を順に示した模式的断面図である。
成方法を各工程を順に示した模式的断面図である。
１１ 基板 １４ 第１のマスクパタ−ン １５ 第１のレジストパタ−ン １６ 第２のレジスト層 １７ 第２のマスクパタ−ン １８ 第２のレジストパタ−ン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に第１のレジストパターンを形成
する工程、及びその後第２のレジストを塗布して第２の
レジスト層を形成し、露光、現像する工程を含んでいる
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記第１のレジストパタ−ンの形成に用
いたマスクパタ−ンと異なるマスクパタ−ンを用いて前
記第２のレジスト層を露光することを特徴とする請求項
１記載のレジストパタ−ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159895A JPH0831717A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159895A JPH0831717A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831717A true JPH0831717A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15703528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6159895A Pending JPH0831717A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831717A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014063901A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016161747A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、モールドの製造方法、及びモールド |
| CN112076958A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-15 | 吉林华微电子股份有限公司 | 芯片涂胶方法、装置及匀胶机 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP6159895A patent/JPH0831717A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014063901A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016161747A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、モールドの製造方法、及びモールド |
| CN112076958A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-15 | 吉林华微电子股份有限公司 | 芯片涂胶方法、装置及匀胶机 |
| CN112076958B (zh) * | 2020-09-18 | 2021-11-19 | 吉林华微电子股份有限公司 | 芯片涂胶方法、装置及匀胶机 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |