JPH085812A - λ／４シフト回折格子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のレジストを用いることなく、簡単な工
程で容易にλ／４シフト回折格子を得ることができるλ
／４シフト回折格子の製造方法を提供する。 【構成】 画像反転レジスト２を用い、これを現像溶解
を起こさないよう干渉露光した後、基板１の第１の領域
７上の上記レジスト２を、上記干渉露光により露光され
た第１の露光領域２３のみが現像溶解が可能となるよう
露光し、これを現像し、次に上記基板の一領域上のレジ
スト２の第２の露光領域２４を、画像反転処理が可能と
なるよう露光し、かつ上記基板の残りの領域上のレジス
ト２を、上記干渉露光により露光された第１の露光領域
２３のみが画像反転処理が可能となるよう露光した後、
上記画像反転レジスト２の画像反転処理を行い、該レジ
スト２の画像が反転されていない領域を露光と現像によ
り除去してパターンを形成し、これをマスクとして基板
１をエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はλ／４シフト回折格子
の製造方法に関し、特に半導体レーザに用いられるλ／
４シフト回折格子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は特開平３−６１９０１に記載され
ている従来のλ／４シフト回折格子の製造方法を示す工
程断面図であり、図において、１は半導体基板，２は画
像反転レジスト，３は干渉縞を形成する露光光源であ
る。４はレジスト混り込み防止層、５はカバーレジスト
で、該カバーレジスト５としてはポジレジスト，ネガレ
ジストのいずれを用いるようにしても構わない。画像反
転レジスト２は一般に市販されているもので、以下のよ
うな性質を有するものである。即ち、露光のあとそのま
ま現像を行うと、ポジレジストと同様の性質を示し、光
の当たった部分が現像により除去される。一方、現像の
前にリバーサルベーク（反転ベーク）を行った後に現像
を行うと、光の当たった部分にクロスリンク、つまり熱
処理による組成変化が起こり上記とは逆の性質を示し、
光の当たった部分が現像により残るものである。

【０００３】次に製造工程について説明する。まず図７
(a) に示すように半導体基板１上に画像反転レジスト２
を数百オングストローム〜１０００オングストロームの
厚さに塗布し、２光束干渉露光法により干渉露光を行
う。干渉露光のあと、現像を行わない状態で、図７(b)
に示すようにレジスト混り込み防止膜４、カバーレジス
ト５を塗布する。次に図７(c) に示すようにカバーレジ
スト５の一部を露光・現像を行って除去し、残った部分
をマスクとしてレジスト混り込み防止膜４を除去した
後、カバーレジスト５が除去された部分の画像反転レジ
スト２の現像を行う。次に、カバーレジスト５が除去さ
れた部分に露光を行った後、リバーサルベークを行い、
画像反転レジスト２の性質を反転させる。そしてカバー
レジスト５、レジスト混り込み防止膜４を除去し、図７
(d) に示すように残りの画像反転レジスト２の現像を行
う。ここで、この部分の除去されるべき画像反転レジス
ト２の現像液に対するエッチングレートを高めるため
に、カバーレジスト５，レジスト混じり込み防止膜４を
除去した後で、パターン形成を行っていない部分のみ画
像反転レジスト２の露光（フラッド露光）を行い、この
後レジスト２の現像を行う。この後、レジスト２により
形成されたパターンをマスクとして基板１のエッチング
を行って該パターンを半導体基板１上に転写し、図７
(e) に示すようにレジスト２を除去して、中央部分にλ
／４シフト領域が形成されたλ／４シフト回折格子を得
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のλ／４シフト回
折格子は上記のように製造されており、画像反転レジス
トの上にレジスト混り込み防止膜と、カバーレジストを
塗付する工程が必要であるため、工程が複雑であるとい
う問題があった。

【０００５】また、カバーレジストの一部を除去する際
に露光が必要であるため、この露光に使用する波長によ
っては、下部の画像反転レジストも露光されてしまい、
画像反転レジストが現像時にすべて無くなってしまうと
いう問題があった。

【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ために行われたものであり、複数のレジストを用いるこ
となく、簡単な工程で容易にλ／４シフト回折格子を得
ることができるλ／４シフト回折格子の製造方法を提供
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係るλ／４シ
フト回折格子の製造方法は、回折格子を形成する基板上
に、画像反転レジストを塗布し、該画像反転レジストが
現像による溶解を起こさないよう干渉露光を行った後、
上記基板の一領域上の上記レジストを、上記干渉露光の
露光強度パターンの山部により露光された領域のみが現
像による溶解が可能となるよう露光し、上記基板の一領
域上の上記レジストを現像し、次に上記基板の一領域上
の現像により残った領域のレジストを、画像反転処理が
可能となるよう露光し、かつ上記基板の残りの領域上の
レジストを、上記干渉露光の露光強度パターンの山部に
より露光された領域のみが画像反転処理が可能となるよ
う露光した後、上記画像反転レジストの画像反転処理を
行い、このレジストを露光し、現像して、該レジストの
画像が反転されていない領域を除去してレジストパター
ンを形成して、これを半導体基板に転写するようにした
ものである。

【０００８】また、上記λ／４シフト回折格子の製造方
法において、上記基板の一領域上の現像により残された
レジストと、上記基板の残りの領域上のレジストとの、
画像反転処理が可能となる露光量による露光を、上記基
板の一領域上の現像により残されたレジストと、上記基
板の残りの領域上のレジストの上記干渉露光の露光強度
パターンの山部により露光された領域とがいずれも画像
反転処理が可能となるように基板表面への全面露光によ
り同時に行うようにしたものである。

【０００９】また、上記λ／４シフト回折格子の製造方
法において、上記基板の一領域上の上記レジストの露光
は、上記半導体基板を有するウエハ表面にアライメント
マークを形成するための露光を含み、上記その他の露光
は、上記アライメントマークを用いて位置決めして行う
ようにしたものである。

【００１０】

【作用】この発明においては、画像反転レジストを用
い、これを該レジストが現像による溶解を起こさないよ
う干渉露光を行った後、半導体基板の一領域上の上記レ
ジストを、上記干渉露光の露光強度パターンの山部によ
り露光された領域のみが現像による溶解が可能となるよ
う露光し、これを現像し、次に上記基板の一領域上の現
像により残ったレジストを、画像反転処理が可能となる
よう露光し、かつ上記基板の残りの領域上のレジスト
を、上記干渉露光の露光強度パターンの山部により露光
された領域のみが画像反転処理が可能となるよう露光し
た後、上記画像反転レジストの画像反転処理を行い、該
レジストの画像が反転されていない領域を露光と現像に
より除去してパターンを形成し、これをマスクとして基
板をエッチングするようにしたから、複数のレジストを
用いることなく、簡単な工程で容易にλ／４シフト回折
格子を提供することができる。

【００１１】また、上記λ／４シフト回折格子の製造方
法において、上記基板の一領域上の現像により残ったレ
ジストと、上記基板の残りの領域上のレジストとに、画
像反転処理が可能となるように行われる露光を、上記基
板の一領域上の現像により残ったレジストと、上記基板
の残りの領域上のレジストの上記干渉露光の露光強度パ
ターンの山部により露光された領域とがいずれも画像反
転処理が可能となるように基板表面への全面露光により
同時に行うようにしたから、一度の露光で基板の一領域
上の現像されたレジストと、上記基板の残りの領域上の
レジストとの露光を行うことができ、より容易にλ／４
シフト回折格子を提供することができる。

【００１２】また、上記λ／４シフト回折格子の製造方
法において、上記基板の一領域上の上記レジストの露光
は、上記半導体基板を有するウエハ表面にアライメント
マークを形成するための露光を含み、上記その他の露光
は、上記アライメントマークを用いて位置決めして行う
ようにしたから、容易に精度の高いλ／４シフト回折格
子を提供することができる。

【００１３】

【実施例】

実施例１．図１は本発明の第１の実施例によるλ／４シ
フト回折格子の製造方法を示す工程図であり、図におい
て、１は半導体基板，７は半導体基板１上の第１の領
域，８は半導体基板１上の第２の領域，２は画像反転レ
ジストで、この画像反転レジスト２は、上述したよう
に、露光のあとそのまま現像を行うと、ポジレジストと
同様の性質を示し、露光によりある一定量以上の照射露
光量に達した部分が現像により除去されるが、現像の前
にリバーサルベーク（反転ベーク）を行った後に現像を
行うと、上記一定量以上の照射露光量に達した部分にク
ロスリンク、つまり熱処理による組成変化が起こり上記
とは逆の性質を示し、光の当たった部分が現像により残
るものである。２１は画像反転レジスト２のうち、照射
露光量が現像による溶解が可能となる量，及び熱処理に
よるクロスリンクが可能となる量（クロスリンクポイン
ト），即ち画像反転処理が可能となる量に達した領域を
示す。また、２２は熱処理によりクロスリンクが生じた
領域、２３は第１の露光領域，２４は第２の露光領域，
２５は第３の露光領域を示す。１０は干渉露光強度分布
（干渉露光強度パターン）である。

【００１４】なお、図１において、図中左に記載されて
いるグラフは各製造工程における第１の領域７の画像反
転レジストの露光分布を示し、図の右に記載されている
グラフは各製造工程における第２の領域７の画像反転レ
ジストの露光分布を示している。ここで、この図１の左
右に記載されているグラフにおいては、画像反転レジス
ト２の現像溶解及びクロスリンクが可能となる露光量を
点線で示しているが、実際には現像溶解が可能になる露
光量はある程度の幅をもっている。図６はフォトレジス
トの一例として、ＭＣＰＲ ｉ５０００（商品名，三菱
化成( 株 )製）を用い、塗布膜厚：０．１μｍ，現像：
ＮＭＤ−３（商品名，東京応化工業( 株)製），２％，
２０秒とした時の露光量と残膜率の関係を示した図であ
り、たて軸は露光量（ｍＪ／ｃｍ² ），横軸は残膜率
（％）である。図６に示すレジストにおいては現像によ
るレジスト溶解が始まる露光量Ｐ１が約９０ｍＪ／ｃｍ
² であり、ほぼ完全にレジストを除去できる露光量Ｐ２
が約２００ｍＪ／ｃｍ² となっている。感度の低いレジ
ストほど、このＰ１とＰ２の幅は広くなり、レジストを
現像した時に、現像により除去される領域と残る領域の
境界が不鮮明なものとなってしまい、良好な回折格子を
形成することが困難となる。従って、本発明に適用する
画像反転レジスト２としては、上記図６に示したレジス
トよりもさらに高感度な、即ち、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ１
の値が小さい画像反転レジストを用いることが好まし
い。

【００１５】次に製造方法について説明する。まず、図
１(a) のように半導体基板１上に画像反転レジスト２を
数百オングストローム〜１０００オングストロームの厚
さで塗布し、この画像反転レジスト２を２光束干渉露光
法により露光する。この時、レジスト２上への照射露光
量は現像溶解及びクロスリンクポイントに達しないよう
にする。この露光法の場合、露光強度は正弦波状の露光
強度パターン１０となり、この露光強度パターン１０の
強度が中間値よりも大きい値の部分、即ち露光強度パタ
ーン１０の山部で露光されたレジスト２上の領域には第
１の露光領域２３が形成される。この露光では第１の領
域７，第２の領域８の画像反転レジスト２の露光量は等
しくなる。

【００１６】次に、図１(b) のように第１の領域７のみ
の画像反転レジスト２をマスク等（図示せず）を用いて
露光する。この時の露光量は、図１(a) において示した
干渉露光の際に露光強度パターン１０の山部で露光され
た第１の領域７の第１の露光領域２３のみが、現像及び
クロスリンクポイントを上回るように設定する。この露
光によって第１の領域７中の第１の露光領域２３が、露
光量が現像溶解，及びクロスリンク可能な量に達した領
域２１となり、また、レジスト２の第１の領域７のその
他の領域が、露光量が現像溶解，及びクロスリンク可能
な量に達しない程度に露光された第２の露光領域２４と
なる。この時、この第２の露光領域２４の幅と、上記ク
ロスリンク可能な量に達した領域２１の幅が等しくな
る。更に第１の現像処理を行うことにより、図１(c) の
ように露光量が現像溶解，及びクロスリンク可能な量に
達した領域２１のみ現像除去される。

【００１７】次に図１(d) に示すように、第１の領域７
の画像反転レジスト２を、マスク等を用い、第１の露光
領域２４の露光量が現像溶解，及びクロスリンク可能な
量に達するように露光すると、第１の露光領域２４が、
露光量が現像溶解，及びクロスリンク可能な量に達した
領域２１となる。さらに図１(e) に示すように、第２の
領域８のみの画像反転レジスト２をマスク等を用いて露
光する。この時の露光量は、図１(a) において示した干
渉露光の際に露光強度パターン１０の山部で露光された
第２の領域８の第１の露光領域２３のみが、現像及びク
ロスリンクポイントを上回るように設定する。この露光
によって第２の領域８中の第１の露光領域２３が、露光
量が現像溶解及びクロスリンク可能な量に達した領域２
１となり、また、第２の領域８のその他の領域が、露光
量が現像溶解及びクロスリンク可能な量に達しない程度
に露光された第３の露光領域２５となる。この時、この
第３の露光領域２５の幅と、上記現像溶解及びクロスリ
ンク可能な量に達した領域２１の幅が等しくなる。な
お、本実施例においては図１(e) に示した工程を図１
(d) に示した工程の後に行うようにしたが、図１(e) に
示した工程を図１(d) に示した工程の前に行うようにし
てもよい。

【００１８】次に図１(f) に示すように、半導体基板１
全体を熱処理することにより、第１の領域７，及び第２
の領域８の露光量が現像溶解及びクロスリンク可能な量
に達した領域２１がクロスリンクしてクロスリンク領域
２２となる。さらに図１(g)のようにレジスト２を露光
することにより、第２の領域８のクロスリンクが生じて
いない第３の露光領域２５を現像可能な領域２１に変化
させる。その後、第２の現像処理を行うことにより、図
１(h) に示すような左右でパターンがπだけ反転したレ
ジストパターンを形成することができ、このレジストパ
ターンをマスクとして半導体基板１をエッチングするこ
とにより、図１(i) に示すようなλ／４シフト回折格子
を得ることができる。

【００１９】ここで、上記図１(b) ，図１(d) 及び図１
(e) に示した各露光を、ウエハ上にアライメントマーク
を設け、これを用いてアライナにより自動で位置合わせ
して行うようにしてもよい。即ち、まず、図１(b) の露
光工程において、選択露光する際に、図２(a) に示す露
光パターン４０ａを用い、ウエハ３１上にアライメント
マーク（図示せず）を形成し、その後、次に図１(d) の
工程において選択露光を行う際に、再び図２(a) に示す
露光パターン４０ａを用い、上記ウエハ３１上のアライ
メントマークと露光パターン４０ａのアライメントマー
ク用パターン３５とをアライナによって自動で位置あわ
せして露光を行い、さらに図１(e) の工程の選択露光を
図２(b) に示す露光パターン３４ｂを用い上記ウエハ３
１上のアライメントマークと、露光パターン３４ｂのア
ライメントマーク用パターン３５とをアライナによって
自動で位置あわせして露光を行うようにしてもよい。こ
のようにウエハ３１上にアライメントマークを設け、こ
れを用いてアライナにより自動的にマスクの位置あわせ
を行って露光を行うようにすることで、高精度なマスク
の位置合わせができ、これにより高精度な選択露光が可
能となる。

【００２０】なお、図２は上記図１(b) ，図１(d) 及び
図１(e) に示した工程における選択露光時の露光パター
ン（図２(a),(b))，及びウエハからの半導体基板１の切
り出しパターン（図２(c))を示し、図において、３１は
半導体基板１を切り出すためのウエハ、４０ａ，４０ｂ
はマスク等を用いてウエハ３１上に形成される露光パタ
ーン，３４ａ，３４ｂは露光パターン４０ａ，４０ｂの
明部で、露光パターン４０ａの明部３４ｂは露光パター
ン４０ｂの明部３４ａの間にはめ合わされるように配列
されている。また、半導体基板１の第１の領域７と露光
パターンの明部３４ａが重なるように調整されている。
３５は露光パターン４０ａ，４０ｂのウエハ３１上にア
ライメントマークを形成するために用いられる十字形状
のアライメントマーク用パターンであり、図１(a) と図
１(b) の十字形状のアライメントマーク用パターン３５
は同一サイズで、ウエハ３１上の同一部分に位置するよ
う調整されている。

【００２１】以上のように、本実施例によれば画像反転
レジストを用い、該レジストに強度を調整して行う露
光，現像，及び熱処理を組み合わせて行って、位相シフ
トパターンを形成し、これをマスクとして半導体層をエ
ッチングするようにしたから、特開平３−６１９０１に
示したλ／４シフト回折格子の製造方法のように、カバ
ーレジスト，及びレジスト混り込み防止膜を用いること
なく、簡単な工程で容易にλ／４シフト回折格子を得ら
れるλ／４シフト回折格子の製造方法を提供することが
できる。

【００２２】なお、上記実施例では、半導体基板に直接
λ／４シフト回折格子を形成するものについて説明した
が、半導体基板上に他の膜、例えば、絶縁膜を形成した
ものの上に回折格子を形成するようにしてもよく、ま
た、半導体基板上に基板と異なる組成の半導体層を１層
または多層に形成したものの上に回折格子を形成するよ
うにしてもよい。

【００２３】実施例２．図３は本発明の第２の実施例に
よるλ／４シフト回折格子の製造方法の主要工程を示す
図であり、本実施例は上記第１の実施例の図１(d),(e)
に示した選択露光の工程の代わりに全面露光を行う工程
を加えるようにしたものである。図において図１と同一
符号は同一又は相当する部分を示している。

【００２４】上記第１の実施例においては、上記第１，
第２の領域にクロスリンク領域を形成するために、図１
(d),(e) に示すように２回の選択露光を行っていた。し
かし、図１(c) の工程の後に、第１の露光領域２３と、
第２の露光領域２４の露光量がいずれも、クロスリンク
ポイントに達するように半導体基板１表面に対して全面
露光を行い、それぞれをクロスリンクポイントを上回っ
た領域２１とすることにより、図１(e) に示す熱処理工
程において、レジスト２の上記第１の露光領域２３、第
２の露光領域２４であった領域をクロスリンクさせるこ
とができる。したがって、上記実施例１の図１(c) に示
した工程のあと、図３に示すように全面露光を第１の露
光領域２３と第２の露光領域２４のいずれもがクロスリ
ンクポイントに達するレベルまで行い、その後、上記実
施例１の図１(f) 以降に示した工程によりλ／４シフト
回折格子を形成することができる。

【００２５】ここで、上記図３の露光を、ウエハ上にア
ライメントマークを設け、これを用いてアライナにより
自動で位置合わせして行うようにしてもよい。即ち、ま
ず、上記実施例１の図１(b) に示した選択露光を図２
(a) において示した露光パターン４０ａを用いて行った
後、上記図３の露光を、図４に示す露光パターン４１を
用い、十字形状のアライメントマーク用パターン３６
と、図２(a) において示した十字形状のアライメントマ
ーク用パターン３５によりウエハ３１上に形成されたア
ライメントマークとをアライナ等を用いて自動により位
置合わせして行うようにしてもよい。このようにアライ
メントマークを利用して露光を行うことにより、上記第
１の実施例と同様に位置決め精度の高い露光を行うこと
ができる。

【００２６】なお、図４は上記図３に示した全面露光工
程に使用した露光パターンを示す平面図であり、図にお
いて、図２と同一符号は同一または相当する部分を示し
ており、４１は露光パターン，３３は露光パターン４１
の明部で、ウエハ３１上の半導体基板１が切り出される
部分を全面的に覆うようなパターンに形成されている。
３６は露光パターン４１のアライメント用パターンであ
り、露光パターン３５と同一サイズで、ウエハ３１上の
同一部分に位置するように調整されている。また、図１
(g) の全面露光の工程を、露光パターン４１を用い、ア
ライナ等を用いて自動により位置合わせして行うように
してもよい。

【００２７】なお、ウエハ３１上に回折格子を形成した
後、更にウエハ３１に対して位置決めや位置合わせの必
要な工程を行う場合は、アライメントマークは使用によ
り形状くずれを生じるため、図１(b) の工程でウエハ３
１上にアライメントマークを形成する際に、図５に示す
ように、露光パターン４１のアライメントマーク用パタ
ーン３５の内側に、第２のアライメントマーク用パター
ン３７を設け、ウエハ３１上に第２のアライメントマー
クを形成し、これを回折格子形成後の工程に利用するよ
うにすれば、回折格子形成後の工程においてもウエハと
露光パターンのアライメント精度を向上させることがで
きる。

【００２８】このような本実施例２によれば、２度の選
択露光が必要であった工程を一度の全面露光により行う
ようにしたから、上記第１の実施例よりも容易にλ／４
シフト回折格子を得ることが可能なλ／４シフト回折格
子の製造方法を提供することができる。

【００２９】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、画像反
転レジストを用い、これを該レジストが現像による溶解
を起こさないよう干渉露光を行った後、上記基板の一領
域上の上記レジストを、上記干渉露光の露光強度パター
ンの山部により露光された領域のみが現像による溶解が
可能となるよう露光して現像し、次に上記基板の一領域
上の現像により残ったレジストを、画像反転処理が可能
となるよう露光し、かつ上記基板の残りの領域上のレジ
ストを、上記干渉露光の露光強度パターンの山部により
露光された領域のみが画像反転処理が可能となるよう露
光した後、上記画像反転レジストの画像反転処理を行
い、該レジストの画像が反転されていない領域を露光と
現像により除去してパターンを形成し、これをマスクと
して基板をエッチングするようにしたから、複数のレジ
ストを用いることなく、簡単な工程で容易にλ／４シフ
ト回折格子を提供できる効果がある。

【００３０】またこの発明によれば、上記λ／４シフト
回折格子の製造方法において、上記基板の一領域上の現
像されたレジストと、上記基板の残りの領域上のレジス
トとに、画像反転処理が可能となるように行われる露光
を、上記基板の一領域上の現像されたレジストと、上記
基板の残りの領域上のレジストの上記干渉露光の露光強
度パターンの山部により露光された領域とがいずれも画
像反転処理が可能となるように基板表面への全面露光に
より同時に行うようにしたから、一度の露光で基板の一
領域上の現像されたレジストと、上記基板の残りの領域
上のレジストとの露光を行うことができ、より容易にλ
／４シフト回折格子を提供できる効果がある。

【００３１】またこの発明によれば、上記λ／４シフト
回折格子の製造方法において、上記基板の一領域上の上
記レジストの露光は、上記半導体基板を有するウエハ表
面にアライメントマークを形成するための露光を含み、
上記その他の露光は、上記アライメントマークを用いて
位置決めして行うようにしたから、容易に精度の高いλ
／４シフト回折格子を提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施例によるλ／４シフト
回折格子の製造方法を示す断面工程図である。

【図２】 この発明の第１の実施例によるλ／４シフト
回折格子の製造方法に用いられる画像反転レジストの露
光パターンを示す平面図（図２(a),(b))，及びウエハか
らの半導体基板の切り出しパターンを示す平面図（図２
(c))である。

【図３】 この発明の第２の実施例によるλ／４シフト
回折格子の製造方法の主要工程を示す断面工程図であ
る。

【図４】 この発明の第２の実施例によるλ／４シフト
回折格子の製造方法に用いられる画像反転レジストの露
光パターンを示す平面図である。

【図５】 この発明の第２の実施例によるλ／４シフト
回折格子の製造方法に用いられる画像反転レジストの露
光パターンを示す平面図である。

【図６】 この発明の第１の実施例によるレジストの露
光量と残膜率の関係を説明するための図である。

【図７】 従来のλ／４シフト回折格子の製造方法を示
す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板、２ 画像反転レジスト、３ 干渉露光
光源、４ レジスト混り込み防止膜、５ カバーレジス
ト、７ 第１の領域、８ 第２の領域、１０干渉露光強
度パターン、２１ 露光量が現像溶解及びクロスリンク
ポイントを上回った領域、２２ クロスリンク領域、２
３ 第１の露光領域、２４ 第２の露光領域、２５ 第
３の露光領域、３１ ウエハ、３３，３４ａ，３４ｂ
露光パターンの明部、３５，３６ アライメントマーク
用パターン、３７ 第２のアライメントマーク用パター
ン、４０ａ，４０ｂ，４１， 露光パターン。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回折格子を形成する基板上に、画像反転
   レジストを塗布し、該画像反転レジストが現像による溶
   解を起こさないよう干渉露光を行う工程と、 上記基板の一領域上の上記レジストを、上記干渉露光の
   露光強度パターンの山部により露光された領域のみが現
   像による溶解が可能となるよう露光する工程と、 上記基板の一領域上の上記レジストを現像する工程と、 上記基板の一領域上の現像により残ったレジストを、画
   像反転処理が可能となるよう露光する工程と、 上記基板の残りの領域上のレジストを、上記干渉露光の
   露光強度パターンの山部により露光された領域のみが画
   像反転処理が可能となるよう露光する工程と、 上記基板の一領域上，及びその他の領域上の画像反転レ
   ジストに画像反転処理を行った後、該レジストを露光
   し、現像して、該レジストの画像が反転されていない領
   域を除去してレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンを半導体基板に転写する工程とを
   含むことを特徴とするλ／４シフト回折格子の製造方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のλ／４シフト回折格子の
   製造方法において、 上記基板の一領域上の現像により残ったレジストと、上
   記基板の残りの領域上のレジストとを、画像反転処理が
   可能となるよう露光する工程は、上記基板の一領域上の
   現像により残ったレジストと、上記基板の残りの領域上
   のレジストの上記干渉露光の露光強度パターンの山部に
   より露光された領域とが、いずれも画像反転処理が可能
   となるように基板表面への全面露光により同時に行われ
   るものであることを特徴とするλ／４シフト回折格子の
   製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載のλ／４シフト回折格子の
   製造方法において、 上記基板の一領域上の上記レジストを露光する工程は、
   上記半導体基板を有するウエハ表面に露光によりアライ
   メントマークを形成する工程を含み、 上記その他の露光工程は、上記アライメントマークを用
   いて位置決めして行われるものであることを特徴とする
   λ／４シフト回折格子の製造方法。