CN112076958B - 芯片涂胶方法、装置及匀胶机 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及半导体芯片处理技术领域，具体而言，涉及一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。在本发明实施例中，首先基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶，然后基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶，从而实现两次匀胶处理。其中，第一次匀胶过程中所采用的第一光刻胶的粘度大于第二次匀胶过程中所采用的第二光刻胶的粘度，这样能够确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。

Description

芯片涂胶方法、装置及匀胶机
技术领域
本申请涉及半导体芯片处理技术领域，具体而言，涉及一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。
背景技术
半导体芯片具有体积小、重量轻、功耗小、导电性佳等优点。这些优点的主要原因之一是基于半导体芯片的表面钝化技术，在PN结表面涂覆保护膜以防止PN结表面受到环境气氛和外来杂质离子的沾污。
在对半导体芯片进行表面钝化处理之后，后续工艺会涉及到芯片表面涂胶处理。常见的一些表面涂胶处理技术，在对芯片表面进行涂胶时，经常会出现涂胶覆盖不全的问题，这样会导致光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，从而导致芯片出现钻蚀。
发明内容
基于现有设计的不足，为了对现有的芯片涂胶工艺再进行进一步改良，本发明提供一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。
本发明实施例的第一方面，提供一种芯片涂胶方法，应用于匀胶机，所述方法包括：
基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；
基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度。
可选地，所述基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶的步骤，包括：
基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理。
可选地，所述基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速进行运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理的步骤，包括：
按照第一设定转速持续运行第一设定时长，对所述目标芯片进行除尘处理；
按照第二设定转速持续运行第二设定时长，对完成除尘处理的目标芯片进行预滴胶处理；
按照第三设定转速持续运行第三设定时长，并在以所述第三设定转速运行时通过第一滴胶管对完成预滴胶处理的目标芯片进行第一次滴胶处理；
按照第四设定转速持续运行第四设定时长，对完成第一次滴胶处理的目标芯片进行预匀处理；其中，位于所述目标芯片的表面的第一光刻胶在预匀处理过程中覆盖所述目标芯片的槽边缘；
按照第五设定转速持续运行第五设定时长，对完成预匀处理的目标芯片进行正式匀胶处理；
按照第六设定转速持续运行第六设定时长，对完成正式匀胶处理的目标芯片进行背面清洗处理；
按照第七设定转速持续运行第七设定时长，对完成背面清洗处理的目标芯片进行甩边处理。
可选地，所述方法还包括：
在对所述目标芯片进行预匀处理的过程中，获取目标终端拍摄到的所述目标芯片的实时图像；
对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，并基于判断结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整。
可选地，所述对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，包括：
提取所述实时图像中光刻胶的覆盖区域图像并将所述覆盖区域图像拆分为多个连续的目标图像帧；
在通过获取到的所述匀胶机的周围环境参数确定出与所述覆盖区域图像对应的基准图像中的其中一个参考图像帧中存在有光刻胶扩散区域的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在与所述光刻胶扩散区域相对的光刻胶非扩散区域下的各目标图像帧与所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的各目标图像帧之间的图像相似度；
将所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的与在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧对应的图像相似度大于设定相似度的目标图像帧划分到所述光刻胶扩散区域下；
对所述光刻胶扩散区域下的待识别图像帧进行光刻胶形变识别，得到光刻胶扩散速率；在所述光刻胶扩展速率大于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率满足条件；在所述光刻胶扩展速率小于等于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件。
可选地，所述方法还包括：
在所述覆盖区域图像对应的光刻胶非扩散区域下包含有多个非连续的目标图像帧的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度；
根据多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度对所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧进行筛分；
基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布为上述筛分获得的待处理图像帧设置划分优先级，并将所述待处理图像帧按照所述划分优先级的由大到小的顺序至少部分划分到所述光刻胶扩散区域下。
可选地，所述基于所述识别结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整，包括：
若确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件，则对所述目标控制参数进行调整以延长所述预匀处理对应的第四设定时长。
可选地，在基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程之前，完成第一次匀胶处理的目标芯片是经过了前烘处理的。
本发明实施例的第二方面，提供一种芯片涂胶装置，应用于匀胶机，所述装置包括：
第一匀胶模块，用于基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；
第二匀胶模块，用于基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度。
本发明实施例的第三方面，提供一种匀胶机，包括互相之间通信的处理器和存储器，所述处理器通过运行从所述存储器中调取的计算机程序来实现上述的芯片涂胶方法。
基于上述任一方面，本发明实施例首先基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶，然后基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶，从而实现两次匀胶处理。其中，第一次匀胶过程中所采用的第一光刻胶的粘度大于第二次匀胶过程中所采用的第二光刻胶的粘度，这样能够确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了一种深沟槽芯片的剖面图。
图2示出了图1中A部的放大示意图。
图3示出了本申请实施例所提供的芯片涂胶方法的流程示意图。
图4示出了匀胶机在第一次匀胶处理中的转速变化示意图。
图5示出了匀胶机在第二次匀胶处理中的转速变化示意图。
图6示出了完成两次匀胶处理的深沟槽芯片的剖面图。
图7示出了图6中B部的放大示意图。
图8示出了本申请实施例所提供的芯片涂胶装置的功能模块框图。
图9示出了本申请实施例所提供的匀胶机的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请实施例的一些实施例实现的操作。应该理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其它操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
请结合参照图1和图2，示出一种深沟槽芯片100的剖面图，该深沟槽芯片100可以包括沟槽部110和槽边缘部120，两个槽边缘部120之间形成所述沟槽部110。其中，深沟槽芯片100的表面依次层叠设置有多个保护膜(例如第一保护膜131、第二保护膜132和第三保护膜133)。
在使用常见的涂胶方法对图1所示的深沟槽芯片100进行涂胶时，光刻胶会从槽边缘部120甩出，从而无法实现对槽边缘部120的覆盖。为解决这一技术问题，本发明实施例提供了如图3所示的芯片涂胶方法的流程示意图，所述方法可以应用于匀胶机，示例性地可以包括以下步骤S210和步骤S220所描述的内容。
步骤S210，基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶。
步骤S220，基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶。
其中，在本实施例中，目标芯片可以理解为图1中的深沟槽芯片。在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度。例如，第一光刻胶的粘度可以为450cp，第二光刻胶的粘度可以为150cp。
可以理解，通过上述步骤S210-步骤S220所描述的内容，能够确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。
在本实施例中，第一匀胶进程和第二匀胶进程的处理工艺类似，因此下面以第一匀胶进程为例进行说明。
在一个可以实现的实施方式中，为了确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶从槽边缘部120甩出，请结合参阅图4，步骤S210所描述的基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶的步骤，示例性地可以包括以下步骤所描述的内容：
基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理。
这样以来，通过增加预匀处理，同时增加预匀处理的持续时长，从而使得光刻胶能够摊覆在深沟槽芯片100的表面(特别是槽边缘部120的位置)，避免光刻胶从槽边缘部120甩出，解决了槽边缘部120的光刻胶覆盖量少或者无光刻胶覆盖的问题。
在一个可能的实施方式中，请结合参阅图4，上述基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理的步骤，具体可以包括以下步骤S211-步骤S217所描述的内容。
步骤S211，按照第一设定转速持续运行第一设定时长，对所述目标芯片进行除尘处理。
步骤S212，按照第二设定转速持续运行第二设定时长，对完成除尘处理的目标芯片进行预滴胶处理。
步骤S213，按照第三设定转速持续运行第三设定时长，并在以所述第三设定转速运行时通过第一滴胶管对完成预滴胶处理的目标芯片进行第一次滴胶处理。
步骤S214，按照第四设定转速持续运行第四设定时长，对完成第一次滴胶处理的目标芯片进行预匀处理。其中，位于所述目标芯片的表面的第一光刻胶在预匀处理过程中覆盖所述目标芯片的槽边缘。
步骤S215，按照第五设定转速持续运行第五设定时长，对完成预匀处理的目标芯片进行正式匀胶处理。
步骤S216，按照第六设定转速持续运行第六设定时长，对完成正式匀胶处理的目标芯片进行背面清洗处理。
步骤S217，按照第七设定转速持续运行第七设定时长，对完成背面清洗处理的目标芯片进行甩边处理。
其中，上述步骤S211-步骤S217中的设定转速和设定时长可以根据提前进行的大量实验而获得的实验数据预先设置得到。例如图4所示，可以将除尘处理的第一设定转速设置为3500r/min，第一设定时长设置为1min，将预滴胶处理的第二设定转速设置为2000r/min，第二设定时长设置为2min，后续针对其他的第三至第七设定转速及时长也可以按照相应的方式设置得到，此处不一一赘述。
在具体实施过程中发明人发现，在预匀处理过程中，光刻胶在目标芯片上的扩散速率可能过慢，这会导致光刻胶无法全面覆盖目标芯片，为改善这一问题，所述方法还可以包括以下步骤a和步骤b所描述的内容。
步骤a，在对所述目标芯片进行预匀处理的过程中，获取目标终端拍摄到的所述目标芯片的实时图像。
在本实施例中，目标终端可以是高速摄像头。
步骤b，对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，并基于判断结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整。
这样以来，基于上述步骤a和步骤b所描述的内容，能够根据光刻胶的扩散速率是否满足条件来对预匀处理对应的目标控制参数进行调整，从而实现对转速的调整，以改善光刻胶在目标芯片上的扩散速率过慢的问题。
进一步地，步骤b所描述的对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，具体可以包括以下步骤b1-步骤b4所描述的内容。
步骤b1，提取所述实时图像中光刻胶的覆盖区域图像并将所述覆盖区域图像拆分为多个连续的目标图像帧。
步骤b2，在通过获取到的所述匀胶机的周围环境参数确定出与所述覆盖区域图像对应的基准图像中的其中一个参考图像帧中存在有光刻胶扩散区域的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在与所述光刻胶扩散区域相对的光刻胶非扩散区域下的各目标图像帧与所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的各目标图像帧之间的图像相似度。
步骤b3，将所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的与在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧对应的图像相似度大于设定相似度的目标图像帧划分到所述光刻胶扩散区域下。
步骤b4，对所述光刻胶扩散区域下的待识别图像帧进行光刻胶形变识别，得到光刻胶扩散速率；在所述光刻胶扩展速率大于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率满足条件；在所述光刻胶扩展速率小于等于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件。
可以理解，通过步骤b1-步骤b4，能够基于对图像帧中的光刻胶扩散区域和光刻胶非扩散区域的分析，准确判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件。
可选地，在上述步骤b3的基础上，所述方法还可以包括以下步骤b31-步骤b33所描述的内容。
步骤b31，在所述覆盖区域图像对应的光刻胶非扩散区域下包含有多个非连续的目标图像帧的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度。
步骤b32，根据多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度对所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧进行筛分。
步骤b33，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布为上述筛分获得的待处理图像帧设置划分优先级，并将所述待处理图像帧按照所述划分优先级的由大到小的顺序至少部分划分到所述光刻胶扩散区域下。
如此，基于上述步骤b31-步骤b33，能够实现对光刻胶扩散区域和光刻胶非扩散区域下的图像帧的准确划分和调整。
在一个可以实现的实施方式中，步骤b所描述的基于所述识别结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整，示例性地可以包括以下步骤所描述的内容：若确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件，则对所述目标控制参数进行调整以延长所述预匀处理对应的第四设定时长。这样能够在不改变第四设定转速的前提下确保光刻胶能够完全覆盖目标芯片。
在一个可替换的实施方式中，在基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程之前，完成第一次匀胶处理的目标芯片是经过了前烘处理的。如此，能够将光刻胶内的溶剂烘干，从而增强光刻胶的粘附性。
可以理解，由于图5所示的匀胶机的转速变化情况和图4所示的匀胶机的转速变化情况类似，因此在此不作赘述。进一步地，在图4和图5中，横坐标为时长值，单位为min，纵坐标为转速值，单位为r/min。
进一步地，请结合参阅图6和图7，通过上述所示的芯片涂胶方法，能够使得第一光刻胶210和第二光刻胶220完全覆盖深沟槽芯片100，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。
基于上述同样的发明构思，请结合参阅图8，提供了芯片涂胶装置800，应用于匀胶机，所述装置包括第一匀胶模块810和第二匀胶模块820。其中：
第一匀胶模块810用于基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；
第二匀胶模块820用于基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度。
关于第一匀胶模块810和第二匀胶模块820的说明请参阅对图3所示的方法的说明，在此不作赘述。
在上述基础上，请结合参阅图9，还提供了匀胶机900，包括互相之间通信的处理器910和存储器920，所述处理器910通过运行从所述存储器920中调取的计算机程序来实现上述的芯片涂胶方法。
综上，本发明实施例所提供的一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机，首先基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶，然后基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶，从而实现两次匀胶处理。
其中，第一次匀胶过程中所采用的第一光刻胶的粘度大于第二次匀胶过程中所采用的第二光刻胶的粘度，这样能够确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。
以上所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制本申请的保护范围，而仅仅是表示本申请的选定实施例。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。此外，基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下可获得的所有其它实施例，都应属于本申请保护的范围。

Claims (6)

1.一种芯片涂胶方法，其特征在于，应用于匀胶机，所述方法包括：
基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；
基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度；
其中，所述基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶的步骤，包括：基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理；
其中，所述方法还包括：在对所述目标芯片进行预匀处理的过程中，获取目标终端拍摄到的所述目标芯片的实时图像；对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，并基于判断结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整；
其中，所述对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，包括：提取所述实时图像中光刻胶的覆盖区域图像并将所述覆盖区域图像拆分为多个连续的目标图像帧；在通过获取到的所述匀胶机的周围环境参数确定出与所述覆盖区域图像对应的基准图像中的其中一个参考图像帧中存在有光刻胶扩散区域的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在与所述光刻胶扩散区域相对的光刻胶非扩散区域下的各目标图像帧与所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的各目标图像帧之间的图像相似度；将所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的与在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧对应的图像相似度大于设定相似度的目标图像帧划分到所述光刻胶扩散区域下；对所述光刻胶扩散区域下的待识别图像帧进行光刻胶形变识别，得到光刻胶扩散速率；在所述光刻胶扩展速率大于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率满足条件；在所述光刻胶扩展速率小于等于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件；
在所述覆盖区域图像对应的光刻胶非扩散区域下包含有多个非连续的目标图像帧的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度；根据多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度对所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧进行筛分；基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布为上述筛分获得的待处理图像帧设置划分优先级，并将所述待处理图像帧按照所述划分优先级的由大到小的顺序至少部分划分到所述光刻胶扩散区域下。
2.根据权利要求1所述的芯片涂胶方法，其特征在于，所述基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速进行运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理的步骤，包括：
按照第一设定转速持续运行第一设定时长，对所述目标芯片进行除尘处理；
按照第二设定转速持续运行第二设定时长，对完成除尘处理的目标芯片进行预滴胶处理；
按照第三设定转速持续运行第三设定时长，并在以所述第三设定转速运行时通过第一滴胶管对完成预滴胶处理的目标芯片进行第一次滴胶处理；
按照第四设定转速持续运行第四设定时长，对完成第一次滴胶处理的目标芯片进行预匀处理；其中，位于所述目标芯片的表面的第一光刻胶在预匀处理过程中覆盖所述目标芯片的槽边缘；
按照第五设定转速持续运行第五设定时长，对完成预匀处理的目标芯片进行正式匀胶处理；
按照第六设定转速持续运行第六设定时长，对完成正式匀胶处理的目标芯片进行背面清洗处理；
按照第七设定转速持续运行第七设定时长，对完成背面清洗处理的目标芯片进行甩边处理。
3.根据权利要求1所述的芯片涂胶方法，其特征在于，所述基于所述识别结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整，包括：
若确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件，则对所述目标控制参数进行调整以延长所述预匀处理对应的第四设定时长。
4.根据权利要求1-3任一项所述的芯片涂胶方法，其特征在于，在基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程之前，完成第一次匀胶处理的目标芯片是经过了前烘处理的。
5.一种芯片涂胶装置，其特征在于，应用于匀胶机，所述装置包括：
第一匀胶模块，用于基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；
第二匀胶模块，用于基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度；
其中，所述基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶的步骤，包括：基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理；
其中，所述装置还用于：在对所述目标芯片进行预匀处理的过程中，获取目标终端拍摄到的所述目标芯片的实时图像；对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，并基于判断结果对所述预匀处理对应的目标控制参数进行调整；
其中，所述对所述实时图像进行图像识别，判断对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率是否满足条件，包括：提取所述实时图像中光刻胶的覆盖区域图像并将所述覆盖区域图像拆分为多个连续的目标图像帧；在通过获取到的所述匀胶机的周围环境参数确定出与所述覆盖区域图像对应的基准图像中的其中一个参考图像帧中存在有光刻胶扩散区域的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在与所述光刻胶扩散区域相对的光刻胶非扩散区域下的各目标图像帧与所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的各目标图像帧之间的图像相似度；将所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的与在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧对应的图像相似度大于设定相似度的目标图像帧划分到所述光刻胶扩散区域下；对所述光刻胶扩散区域下的待识别图像帧进行光刻胶形变识别，得到光刻胶扩散速率；在所述光刻胶扩展速率大于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率满足条件；在所述光刻胶扩展速率小于等于设定速率时，确定对所述目标芯片进行预匀处理的过程中光刻胶的扩散速率不满足条件；
在所述覆盖区域图像对应的光刻胶非扩散区域下包含有多个非连续的目标图像帧的情况下，基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布，计算所述覆盖区域图像在所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度；根据多个非连续的目标图像帧之间的图像相似度对所述光刻胶非扩散区域下的多个非连续的目标图像帧进行筛分；基于所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧以及所述覆盖区域图像在所述光刻胶扩散区域下的目标图像帧的像素分布为上述筛分获得的待处理图像帧设置划分优先级，并将所述待处理图像帧按照所述划分优先级的由大到小的顺序至少部分划分到所述光刻胶扩散区域下。
6.一种匀胶机，其特征在于，包括互相之间通信的处理器和存储器，所述处理器通过运行从所述存储器中调取的计算机程序来实现权利要求1-4任一项所述的芯片涂胶方法。
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