KR0146243B1 - 노광마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자 제조시 사용되는 노광마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 포토 리소그라피공정시 웨이퍼상에 발생되는 단차에 의해 레지시트의 이미지 콘트라스트의 이미지 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하기 위한 상기 웨이퍼상의 단차가 높은 지역에 해당되는 위치의 석영 기판의 일정 두께를 식각하여 노광 마스크를 제조하고, 이를 사용하여 레지시트 패턴을 형성하는 기술이다.

Description

노광마스크 및 그 제조방법

제1도는 종래의 노광마스크를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 도면.

제2도는 본 발명에 의해 제조되는 노광마스크를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 도면.

제3도는 본 발명에 의해 노광마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

제4도는 노광마스크와 집속렌즈와 웨이퍼간에 포커스의 상관 관계를 도시한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 석영기판 2, 8' : 크롬패턴

5, 7 : 레지스트 6, 24 : 웨이퍼

20 : 노광마스크 22 : 집속렌즈

본 발명은 반도체소자 제조시 사용되는 노광마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토 리소그라피 공정으로 단차가 심하게 발생한 웨이퍼 상부에 레지스트 패턴을 형성할 때 발생되는 문제를 해결하기 위해 단차를 갖는 노광마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.

디바이스가 고집적화됨에 따라 미세패턴의 크기가 점점 감소되고 수직방향의 단차 높이가 상대적으로 증가되어 포토 리소그라피 공정에서 광원으로서 G선, I선 및 DUV선을 이용할 때 공정의 안정화를 위하여 촛점 여유도의 확보 여부가 큰 관건이다.

특히 스택(stack)형, 실린더(cylinder)형 및 핀(Fin)형과 같은 캐패시터 구조가 셀 지역에만 형성되는 DRAM 소자는 셀지역과 주변회로 지역간에 약 1.5∼1.0㎛의 글로벌(golbal) 단차가 최종적으로 형성되게 된다. 따라서 현재와 같은 플래트한 기판을 사용하는 노광마스크를 이용하여 노광할 경우 각 단차진 부분의 표면을 기준으로 할 때 이미지 콘트라스트(image contrast)가 상이하게 되어 단차가 낮은 곳에서 디포커스(Defocus)에 의해 레지스트 패턴에 브릿지(bridge)나 찌꺼기(scum) 등의 불량이 발생하게 된다.

제1도는 종래 기술에 따른 노광마스크를 사용하는 공정을 설명하기 위한 도면들로서, 서로 연관시켜 설명한다.

제1도(a)는 석영기판(1)에 크롬막(2) 패턴이 형성된 종래의 플래트 노광마스크를 도시한 것이고, (d)는 단차가 발생된 웨이퍼(6)상에 레지스트(5)을 도포한 상태의 단면도이다.

제1도 (b)는 상기 종래 기술의 노광마스크를 사용하고, 단차가 높은 웨이퍼(6) 상에 도포된 레지스트(5)의 두께(T₀)를 기준하여 노광에너지를 사용할 경우 웨이퍼에 도달되는 이미지 콘트라스트를 형성하는 광의 세기(I)를 도시한 것으로서, 구형파(3)는 이상적인 것이고, 싸인파(4)는 실제 노광공정시의 광세기를 도시한 것이다.

또한 제1도 (c)는 상기 노광마스크를 사용하고, 단차가 낮은 웨이퍼(6)상에 도포된 레지스트(5)의 두께(T₁)를 기준하여 노광에너지를 사용할 경우 웨이퍼에 도달되는 이미지 콘트라스트를 형성하는 광의 세기(I)를 도시한 것으로서, 구형파(3)는 이상적인 것이고, 싸인파(4)는 실제 노광 공정시의 광세기를 도시한 것이다. 참고로, 상기 싸인파(4)는 광간섭 현상에 의하여 웨이퍼(6)상에 전달되는 콘트라스트는 웨이퍼상의 단차에 따라서 베스트 이미지 포인트(best imagie point)가 변화함에 의해 달라진다.

제1도 (e)는 노광 공정후 현상하여 레지스트 패턴(5')을 형성한 단면도이다.

상기와 같은 종래 기술에 따른 노광마스크를 사용하는 사진 공정은 레지스트 패턴 형성 능력 및 프로파일은 1차적으로 이미지 콘트라스트의 영향을 받기 때문에 단차의 중간지점을 베스트 포커스(best focus)의 위치로 설정하게 되면, 단차가 높은 지역은 포지티브 디포커스(positive defocus) 상태가 되어 패턴의 상부가 둥그렇게 형성되는 돔형의 레지스트 패턴 프로파일이 얻어지고, 단차가 낮은 지역은 네가티브 디포커스 상태가 되어 패턴의 하부에 레지스트 찌꺼기가 남게 된다. (제1도의 (d) 참조).

따라서, 본 발명에서는 공정이 진행됨에 따라서 웨이퍼상에서 형성되는 단차를 고려하여 노광마스크상에 일정한 단차를 만들어서 빛이 노광마스크를 투과한 후에 이미지의 초점위치가 웨이퍼상의 단차만큼 서로 다르게 하여, 단차 변화에 따라서 베스트 이미지 콘트라스트를 각각 유지함으로써 초점여유도를 증가시킬 수 있도록 하는 노광마스크 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명에 의한 노광마스크에 의하면, 웨이퍼상에 발생되는 단차에 의하여 레지시트의 이미지 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼 상의 단차가 높은 지역에 해당되는 위치의 석영 기판의 일정 두께가 식각되어 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의한 노광마스크 제조방법에 있어서, 노광 공정에 사용되는 노광마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 발생되는 단차에 의해 레지스트의 이미지 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있도록하기 위하여 석영기판 상부에 전자-빔(E-Beam)용 레지스트를 도포하는 단계와, 전자 빔 노광기술을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하되, 석영기판에서 웨이퍼의 단차가 높은 부분과 대응되는 부분이 노출되도록 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴에 의해 노출되어있는 석영기판을 일정두께 식각하고, 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 단차진 표면을 가진 석영기판상에 크롬패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

제2도는 본 발명에 따른 웨이퍼상에 단차가 높은 지역에 해당되는 위치의 석영 기판을 식각하여 단차를 갖는 노광마스크(레티클)로 제작하고, 이 노광마스크를 사용하여 단차가 발생된 웨이퍼에 도포된 레지스트를 노광하고 현상한 것을 도시한 도면이다.

제2도의 (a)는 웨이퍼 상의 단차를 고려하여 석영기판(1)에 단차를 만들고, 그 상부에 크롬패턴(2)을 형성한 도면이고, (b)는 본 발명에 의한 노광마스크를 사용하고, 단차가 높은 웨이퍼(6) 상에 도포된 레지스트(5)의 두께(T₀)를 기준하여 노광 에너지를 사용할 경우 웨이퍼에 도달되는 이미지 콘트라스트를 형성하는 광세기(I)를 도시한 것으로구형파(3)는 이상적인 것이고, 싸인파(4)는 실제의 광세기를 도시한 것이다. (c)는 본 발명에 의한 노광마스크를 사용하고, 단차가 낮은 웨이퍼(6)상에 도포된 레지스트(5)의 두께(T₁)를 기준하여 노광에너지를 사용할 경우 웨이퍼에 도달되는 이미지 콘트라스트를 형성하는 광세기(I)를 도시한 것으로 구형파(3)는 이상적인 것이고, 싸인파(4)는 실제의 광세기를 도시한 것이다.

제2도 (d)와 (e)는 단차가 발생된 웨이퍼(6) 상에 레지스트(5)를 도포하여 레지스트의 두께가 위치에 따라 달라지는 것과 두께가 다른 레지스트에 본 발명에 의해 제조된 노광마스크를 사용하여 노광 및 현상 공정을 진행 하였을 때 레지스트 패턴(5')이 수직한 프로파일을 가지도록 형성된 것을 도시한다.

즉, 웨이퍼 상에 형성되는 충돌의 단차를 측정하여 이 단차를 노광마스크상에 형성하여, 이미지 콘트라스트가 최대가 되는 베스트 포커스 상태에서 레지스트가 노광되도록하여 두께가 다른 레지스트에서도 수직한 프로파일을 얻을 수 있다.

제3도는 본 발명에 의해서 노광마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도로서, (a)는 석영기판(1) 상부에 전자-빔(E-Beam)용 레지스트(7)를 도포한 단면도이며, (b)는 전자 빔 노광기술을 사용하여 레지스트 패턴(7')을 형성하되, 웨이퍼의 단차가 높은 부분과 대응되는 석영기판(1) 부분이 노출되도록 레지스트 패턴(7')을 형성한다.

그다음 제3도 (c)는 상기 레지스트 패턴(7')을 마스크로 사용하여 노출되어있는 석영기판1)을 후술하는 정도의 일정 두께 만큼을 식각하고, 상기 레지스트 패턴(7')을 제거한 다음, (d)는 크롬막(8)을 일정 두께 스퍼터링하여 100∼2000Å두께로 증착시키고, (e)는 공지의 방법으로 상기 크롬을 일정부분 식각하여 크롬패턴(8')을 형성한 단면도이다.

제4도는 통상의 노광마스크를 사용하는 공정시의 이미지 콘트라스트의 특성을 설명하는 도면이다. 노광마스크(20)과 집속렌즈(22)간의 거리를 L, 집속렌즈(22) 및 웨이퍼(24)간의 거리를 L'로 정의할 때 포커스(f)와의 상관관계는 다음과 같이 정의된다.

1/L + 1/L = 1/f

노광마스크의 위치 변화 (△L)에 따른 웨이퍼상의 위치거리를 (△L')를 최종적으로 정리하면 다음 식으로 주어지게 된다.

△L = a ·△L' a=5∼25

즉 웨이퍼상에 형성되어있는 1㎛의 단차를 이미지 콘트라스트 저하없이 해결하기 위하여 약 5∼25배 크기에 해당되도록 노광마스크상에는 5∼25㎛의 단차를 부여하면 콘트라스트 시프트를 유도할 수 있다.웨이퍼상의 단차가 매우 클 때 이미지 콘트라스트 저하에 따른 해상도가 저하되는 특성을 개선시킬 수 있으며, 촛점 여유도를 종래 방식에 비하여 2배이상 증가 시킬 수 있다.

또한, 공정 여유도를 개선하므로서 다층 레지스트를 사용하여야하는 미세 패턴 형성 공정에서도, 단층레지스트 공정을 적용할 수 있어 공정의 안전화 효과가 크게 나타나며, 단차가 높은 지역에서 레지스트 패턴에서 발생되는 브릿지 불량과, 단차가 낮은 지역에서 레지스트 패턴에서 발생되는 찌꺼기등의 불량발생 현상을 방지할 수 있다.

Claims (4)

1. 석영기판상에 크롬 패턴이 형성되어있으며, 노광 공정에서 광원과 웨이퍼의 사이에 개재되어 이미지를 웨이퍼에 전사시키는 노광마스크에 있어서, 상기 웨이퍼상에 발생되는 단차에 의해 레지스트의 이미지 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하기 위하여, 상기 웨이퍼 상의 단차가 높은 지역과 대응되는 위치의 석영 기판이 일정두께 식각되어 있어, 웨이퍼상의 단차가 낮은 부분과 대응되는 부분과 단차가 지도록 형성되어있는 석영기판과, 상기 석영기판상에 형성되어있는 크롬패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 상의 단차 높이보다 5-25배의 두께로 석영기판이 식각되어 있는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
3. 노광 공정에 사용되는 노광마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 발생되는 단차에 의해 레지스트의 이미지 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있도록 하기 위하여 석영기판 상부에 전자-빔(E-Beam)용 레지스트를 도포하는 단계와, 전자 빔 노광기술을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하되, 석영기판에서 웨이퍼의 단차가 높은 부분과 대응되는 부분이 노출되도록 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴에 의해 노출되어있는 석영기판을 일정두께 식각하고, 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 단차진 표면을 가진 석영기판상에 크롬패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광마스크의 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 석영기판이 식각되는 두께는 웨이퍼의 단차의 크기보다 5-25배 정도의 두께로 식각되어있는 것을 특징으로 하는 노광마스크 제조방법.