KR100520156B1 - 마스크 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크 형성 방법에 관한 것으로, 특히 차광 영역을 가로 패턴(Pattern) 크기를 제어하는 하프-톤(Half-tone)층과 세로 패턴 크기를 제어하는 크롬층의 두층으로 적층되어 석영 기판 상에 형성하므로, 섬 모양 패턴의 투광 영역 형성 공정시 가로, 세로 크기 제어가 가능하여 식각 대상층인 웨이퍼에 전사되는 이미지 크기 변화로 발생되는 라인-앤드-숄터닝(Line-end-shortening)을 억제하므로 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 특징이 있다.
Description
본 발명은 마스크 형성 방법에 관한 것으로, 특히 차광 영역을 하프-톤(Half-tone)층과 크롬층의 두층으로 적층되어 석영 기판 상에 형성하여 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 마스크 형성 방법에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 마스크 형성 방법은 도 1a에서와 같이, 석영 기판(11)상에 차광층의 역할을 하는 크롬층(13)을 형성한다.
도 1b에서와 같이, 상기 크롬층(13)을 선택 식각하여 ‘d’의 가로 크기와 ‘c’의 세로 크기의 섬 모양 패턴 형상을 갖는 투광 영역(15)을 형성한다.
그러나 종래의 마스크 형성 방법은 차광 영역을 크롬층의 단일층으로 석영 기판 상에 형성하기 때문에 섬 모양 패턴의 투광 영역 형성 공정시 가로, 세로 중 한 쪽 크기를 맞추어 제작하는 경우 다른 한 쪽의 크기를 맞추지 못하게 되어 식각 대상층인 웨이퍼에 전사되는 이미지도 크기가 달라지므로 즉 라인-앤드-숄터닝(Line-end-shortening)이 발생되므로 소자의 수율 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 차광 영역을 하프-톤층과 크롬층의 두층으로 석영 기판 상에 형성하여 라인-앤드-숄터닝의 발생을 방지하는 마스크 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 마스크 형성 방법은 투명 기판 상에 하프-톤층과 차광층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 차광층을 선택 식각하여 제 1 패턴을 형성하는 단계 및 상기 하프-톤층을 선택 식각하여 상기 제 1 패턴과 수직한 방향의 제 2 패턴을 형성하여 섬 모양 패턴 형상을 갖는 투광 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 마스크 형성 방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크 형성 방법은 도 2a 및 도 3a에서와 같이, 석영 기판(31) 상에 하프-톤층(32)과 차광층의 역할을 하는 크롬층(33)을 형성한다.
도 2b 및 도 3b에서와 같이, 상기 크롬층(33)상에 제 1 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 상기 제 1 감광막을 일 방향의 패턴으로 예정된 영역에만 남도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
그리고, 상기 제 1 감광막을 마스크로 상기 크롬층(33)을 선택 식각하여 제 1 패턴(35)을 형성한 다음, 상기 제 1 감광막을 제거한다.
도 2c, 도 3c 및 도 4c에서와 같이, 상기 제 1 패턴(35)을 포함한 전면에 제 2 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 상기 제 2 감광막을 상기 제 1 패턴(35)과 수직한 방향의 제 2 패턴으로 예정된 영역에만 남도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
그리고, 상기 제 2 감광막을 마스크로 상기 하프-톤층(32)을 선택 식각하여 제 2 패턴(36)을 형성하므로 섬 모양 패턴 형상을 갖는 투광 영역을 형성한 다음, 상기 제 2 감광막을 제거한다.
본 발명의 마스크 형성 방법은 차광 영역을 가로 패턴 크기를 제어하는 하프-톤층과 세로 패턴 크기를 제어하는 크롬층의 두층으로 적층되어 석영 기판 상에 형성하므로, 섬 모양 패턴의 투광 영역 형성 공정시 가로, 세로 크기 제어가 가능하여 식각 대상층인 웨이퍼에 전사되는 이미지 크기 변화로 발생되는 라인-앤드-숄터닝을 억제하므로 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1a와 도 1b는 종래 기술에 따른 마스크 형성 방법을 나타낸 공정 평면도
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 형성 방법을 나타낸 공정 평면도
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 형성 방법을 나타낸 공정 단면도
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
11, 31 : 석영 기판 32 : 하프-톤층
13, 33 : 크롬층 15 : 투광 영역
35 : 제 1 패턴 36 : 제 2 패턴
Claims (1)
- 투명 기판 상에 하프-톤층과 차광층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 차광층을 선택 식각하여 제 1 패턴을 형성하는 단계;상기 하프-톤층을 선택 식각하여 상기 제 1 패턴과 수직한 방향의 제 2 패턴을 형성하여 섬 모양 패턴 형상을 갖는 투광 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 마스크 형성 방법.
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|---|---|---|---|
| KR10-2000-0086352A KR100520156B1 (ko) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | 마스크 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR20020058290A KR20020058290A (ko) | 2002-07-12 |
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| KR10-2000-0086352A KR100520156B1 (ko) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | 마스크 형성 방법 |
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| KR (1) | KR100520156B1 (ko) |
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2000
- 2000-12-29 KR KR10-2000-0086352A patent/KR100520156B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20020058290A (ko) | 2002-07-12 |
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