KR20020074546A - 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 위상 반전 마스크는 투명 기판, 투명 기판상에 형성되고, 0보다 큰 제1 광투과율을 갖는 제1 위상 반전막으로 이루어진 주패턴 및 주패턴의 주위의 투명 기판상에 형성되고, 주패턴과 동일하게 위상 반전을 일으키며, 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않으면서, 제1 광투과율보다 작은 제2 광투과율을 갖는 적어도 1개의 보조패턴을 포함한다.

Description

반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법{Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and fabricating method thereof}
본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 보조패턴을 이용한 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
해상한계 근처에서 광 리소그래피를 이용하여 소자를 제조하기 위해서는 해상력 향상 기술(resolution enhancement technique)의 사용이 필수적이다. 이러한 해상력 향상 기술에는 사입사조명(off-axis illumination)과 위상 반전 마스크, 특히 하프톤(half-tone) 위상 반전 마스크의 사용 등이 있다.
이러한 해상력 향상 기술을 이용하게 되면 특정의 목적하는 패턴의 해상력을 증대시킬 수 있으나, 목적하는 패턴과 다른 크기와 분포를 가지는 패턴에 대하여는 광근접 효과(optical proximity effect)에 의해 해상력이 떨어지는 부작용을 야기하게 되었다. 이러한 부작용을 완화하기 위하여 이용하는 광 리소그래피 기술은 통상 광근접 보정(optical proximity correction)이라 일컬어지는데, 다양한 방식의 광근접 보정 기술이 이용되어지고 있다.
상기 광근접 효과에 의한 부작용의 대표적인 예는 독립된 패턴의 CD(critical dimension) 감소에 따른 바이어스(bias)의 증가와, 초점심도(depth of focus)의 감소 현상이다. 이러한 문제는 광 리소그래피를 이용하여 소자 패턴을 형성할 때, 자신은 해상되지 않고서 독립된 패턴을 마치 그룹화된 패턴처럼 작용하게 하여 광근접 효과에 의한 영향을 감소시키는 스캐터링 바(scattering bar), 또는 보조패턴(assistant pattern)을 소자 패턴 주위에 형성한 마스크를 사용함으로써 해결할 수 있다. 이러한 보조패턴은 통상 보조되는 소자 패턴보다 훨씬 작게 형성해야만 하기 때문에 마스크 제조상의 어려움이 있다. 그리고, 작은 소자 패턴에의 적용이 어렵다.
특히, 위상 반전 마스크의 개발에 있어서 마스크상의 투과부에 형성된 위상의 정확한 컨트롤이 중요한 문제가 되고 있다. 그러나, 작은 보조패턴을 형성하게 되면 보조패턴이 제대로 형성되었는지의 여부를 정확히 검사하기가 수월하지 않다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 작은 소자 패턴에의 적용이 가능하고, 패턴이 제대로 형성되었는지의 여부를 검사하기가 수월한 보조패턴을 포함하는 위상 반전 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기한 바와 같은 위상 반전 마스크 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 투명 기판, 110, 210 : 위상 반전막,
120, 220 : 물질막, 130, 230 : 제1 패턴,
140, 240 : 제2 패턴, 130a, 230a : 주패턴,
240a : 보조패턴, 190, 290 : 위상 반전 마스크
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크는 투명 기판, 상기 투명 기판상에 형성되고 0보다 큰 제1 광투과율을 갖는 제1 위상 반전막으로 이루어진 주패턴, 및 상기 주패턴의 주위의 상기 투명 기판상에 형성되고, 상기 주패턴과 동일하게 위상 반전을 일으키며, 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않으면서, 상기 제1 광투과율보다 작은 제2 광투과율을 갖는 적어도 1개의 보조패턴을 포함한다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 보조패턴은 상기 주패턴의 일측 또는 양측에 형성되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 보조패턴은 제2 위상 반전막과, 그 두께에 따라 광투과율이 조절되는 물질막으로 구성되는 이중막으로 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 물질막은 텅스텐막 또는 크롬막일 수 있다. 상기 물질막의 두께는 상기 물질막의 광투과율이 0이 되도록 하는 정도일 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 제2 광투과율은 0일 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 보조패턴의 선폭은 상기 주패턴의 선폭보다 작은 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 투명 기판과 주패턴, 투명 기판과 보조패턴 사이에 각각 반사방지막이 개재되어 있을 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에서는, 투명 기판상에 0보다 큰 광투과율을 갖는 위상 반전막을 형성한다. 상기 위상 반전막상에 그 두께에 따라 광투과율이 조절되는 물질막을 형성한다. 상기 위상 반전막과 물질막을 패터닝하여 제1 위상 반전막 패턴과 제1 물질막 패턴을 포함하는 제1 패턴과, 상기 제1 패턴의 주위에 제2 위상 반전막 패턴과 제2 물질막 패턴을 포함하며 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않는 적어도 1개의 제2 패턴을 형성한다. 상기 제1 패턴에서 상기 제1 물질막 패턴을 제거하여 주패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴의 일측 또는 양측에 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 주패턴을 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 패턴이 형성된 상기 투명 기판상에 상기 제1 패턴을 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 제1 물질막 패턴을 식각하는 단계, 및 상기 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 주패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 물질막 패턴의 두께를 감소시켜 상기 제2 패턴의 광투과율을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제2 패턴의 광투과율을 조절하는 단계는 상기 주패턴이 형성된 상기 투명 기판상에 상기 제2 패턴을 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 물질막 패턴을 식각하여 두께가 감소된 제2 물질막 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 물질막으로서 텅스텐막 또는 크롬막을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 제2 패턴의 선폭은 상기 제1 패턴의 선폭보다 작도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 상기 투명 기판상에 위상 반전막을 형성하는 단계 전에, 상기 투명 기판상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 위상은 주패턴과 동일하면서 주패턴에 비하여 광투과율이 작거나 0인 보조패턴을 주패턴의 일측 또는 양측에 형성한다. 따라서, 광투과율이 서로 동일한 주패턴과 보조패턴을 형성하는 종래 기술에 비하여 보조패턴의 크기를 크게 설계할 수 있다. 결과적으로, 작은 소자 패턴에의 적용이 가능해지고, 패턴이제대로 형성되었는지의 여부를 검사하기가 수월해진다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 투명 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 투명 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제2의 층이 개재되어질 수 있다.
제1 실시예
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 위상 반전 마스크(190) 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 투명 기판(100)상에 반사방지막(105)을 형성한다. 상기 반사방지막(105)은 노광시에 노광원과 상기 투명 기판(100)의 반사를 최소화한다. 상기 투명 기판(100)으로서 퓨즈드 실리카(fused silica) 기판을 이용할 수 있다. 상기 반사방지막(105)상에 0보다 큰 광투과율을 갖는 위상 반전막(110)을 형성한다. 예를 들어, 상기 위상 반전막(110)으로서 투과되는 광을 180˚위상 반전시키는 MoSiN막을 형성할 수 있다. 상기 위상 반전막(110)상에 그 두께에 따라 광투과율이조절되는 물질막(120)을 형성한다. 여기서, 상기 물질막(120)은 그 광투과율이 0이 되도록 하는 정도의 두께로 형성한다. 상기 물질막(120)으로서 텅스텐막 또는 크롬막을 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 위상 반전막(110)과 물질막(120)을 패터닝하여 제1 위상 반전막 패턴(110a)과 제1 물질막 패턴(120a)을 포함하는 제1 패턴(130)과, 상기 제1 패턴(130)의 양측에 제2 위상 반전막 패턴(110b)과 제2 물질막 패턴(120b)을 포함하는 제2 패턴(140)을 형성한다. 상기 제2 패턴(140)의 선폭은 상기 제1 패턴(130)의 선폭보다 작게 형성하여, 상기 제2 패턴(140)이 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않도록 한다. 상기 제1 패턴(130)은 임의의 형태를 가질 수 있으며, 이에 따라, 상기 제2 패턴(140)의 형태도 변형될 수 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 제1 패턴(130)과 제2 패턴(140)을 형성하는 방법은 다음과 같다.
도 1의 결과물상에 감광막을 도포한 다음, 상기 제1 패턴(130)과 제2 패턴(140)을 형성하기 위한 감광막 패턴을 형성한다. 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여, 먼저 상기 물질막(120)을 식각함으로써 제1 및 제2 물질막 패턴(120a, 120b)을 형성한다. 이어서, 상기 감광막 패턴과 제1 및 제2 물질막 패턴(120a, 120b)을 마스크로 하여 상기 위상 반전막(110)을 식각함으로써 제1 및 제2 위상 반전막 패턴(110a, 110b)을 형성한다. 다음에, 상기 감광막 패턴을 제거한다.
도 3을 참조하면, 도 2에 나타낸 결과물상에 상기 제1 패턴(130)을 노출시키는 제1 감광막 패턴(150)을 형성한다. 상기 제1 감광막 패턴(150)을 마스크로 하여 상기 제1 패턴(130)에서 상기 제1 물질막 패턴(120a)을 식각한다. 이로써, 상기제1 위상 반전막 패턴(110a)만을 포함하는 주패턴(130a)이 형성된다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 감광막 패턴(150)을 제거한다. 상술한 바와 같은 방법으로 제조된 위상 반전 마스크(190)는, 투명 기판(100)과, 상기 투명 기판(100)상에 형성되고 0보다 큰 광투과율을 갖는 제1 위상 반전막 패턴(110a)으로 이루어진 주패턴(130a)을 포함한다. 상기 주패턴(130a)의 양측의 상기 투명 기판(100)상에는 제2 위상 반전막 패턴(110b)과 제2 물질막 패턴(120b)을 포함하는 제2 패턴(140)이 형성되어 있다. 상기 투명 기판(100)과 주패턴(130a), 투명 기판(100)과 제2 패턴(140) 사이에는 각각 반사방지막(105)이 개재되어 있다. 상기 제2 패턴(140)은 상기 주패턴(130a) 보다 작은 선폭을 가져서 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않는다. 상기 제2 패턴(140)은 상기 주패턴(130a)과 그룹화된 패턴처럼 작용하여, 광근접 효과에 의한 영향을 감소시킨다. 상기 제2 물질막 패턴(120b)은 그 광투과율이 0이 되는 두께로 형성되어 있기 때문에, 상기 제2 패턴(140)의 광투과율은 0으로서 상기 주패턴(130a)의 광투과율보다 작다. 따라서, 광투과율이 서로 동일한 주패턴과 보조패턴을 형성하는 종래 기술에 비하여 보조패턴의 크기를 크게 설계할 수 있다. 결과적으로, 본 실시예에 따른 위상 반전 마스크(190)에 의하면, 작은 소자 패턴에의 적용이 가능하고, 패턴이 제대로 형성되었는지의 여부를 검사하기가 수월하다.
제2 실시예
도 5 내지 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 위상 반전 마스크(290) 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 투명 기판(200)상에 반사방지막(205)을 형성한다. 상기 반사방지막(205)상에 0보다 큰 광투과율을 갖는 위상 반전막(210)을 형성한다. 상기 위상 반전막(210)상에 그 두께에 따라 광투과율이 조절되는 물질막(220)을 형성한다. 나머지 설명은 도 1을 참조하여 설명한 상기 제1 실시예에서와 동일하므로 생략한다.
도 6을 참조하면, 상기 위상 반전막(210)과 물질막(220)을 패터닝하여 제1 위상 반전막 패턴(210a)과 제1 물질막 패턴(220a)을 포함하는 제1 패턴(230)과, 상기 제1 패턴(230)의 양측에 제2 위상 반전막 패턴(210b)과 제2 물질막 패턴(220b)을 포함하는 제2 패턴(240)을 형성한다. 나머지 설명은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제1 실시예에서와 동일하므로 생략한다.
도 7을 참조하면, 도 6에 나타낸 결과물상에 상기 제1 패턴(230)을 노출시키는 제1 감광막 패턴(250)을 형성한다. 상기 제1 감광막 패턴(250)을 마스크로 하여 상기 제1 패턴(230)에서 상기 제1 물질막 패턴(220a)을 식각한다. 이로써, 상기 제1 위상 반전막 패턴(210a)만을 포함하는 주패턴(230a)이 형성된다.
도 8을 참조하면, 상기 제2 물질막 패턴(220b)의 두께를 감소시켜 상기 제2 패턴(240)의 광투과율을 조절하는 단계를 진행한다. 우선, 도 7의 결과물에서 상기 제1 감광막 패턴(250)을 제거한다. 다음에, 상기 주패턴(230a)이 형성된 결과물상에 상기 제2 패턴(240)을 노출시키는 제2 감광막 패턴(260)을 형성한다. 상기 제2 감광막 패턴(260)을 마스크로 하여 상기 제2 패턴(240)에서 상기 제2 물질막 패턴(220b)을 식각하여 두께가 감소된 제2 물질막 패턴(220c)을 형성한다. 상기제2 물질막 패턴(220b)의 식각은 목적하는 광투과율이 얻어질 때까지 진행한다. 이로써, 상기 제2 패턴(240)은 상기 광투과율을 조절하는 단계를 거치기 전보다 광투과율이 증가된 보조패턴(240a)이 된다. 그러나, 상기 두께가 감소된 제2 물질막 패턴(220c)이 있기 때문에, 상기 보조패턴(240a)의 광투과율은 상기 주패턴(230a)의 광투과율보다는 작다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 감광막 패턴(260)을 제거한다. 상술한 바와 같은 방법으로 제조된 위상 반전 마스크(290)는, 투명 기판(200)과, 상기 투명 기판(200)상에 형성되고 0보다 큰 광투과율을 갖는 제1 위상 반전막 패턴(210a)으로 이루어진 주패턴(230a)을 포함한다. 상기 주패턴(230a)의 양측의 상기 투명 기판(200)상에는 제2 위상 반전막 패턴(210b)과 제2 물질막 패턴(220b)을 포함하는 보조패턴(240a)이 형성되어 있다. 상기 투명 기판(200)과 주패턴(230a), 투명 기판(200)과 보조패턴(240a) 사이에는 각각 반사방지막(205)이 개재되어 있다. 상기 보조패턴(240a)은 상기 주패턴(230a)보다 작은 선폭을 가져서 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않는다. 상기 보조패턴(240a)은 상기 주패턴(230a)과 그룹화된 패턴처럼 작용하여, 광근접 효과에 의한 영향을 감소시킨다. 상기 보조패턴(240a)의 광투과율은 상기 주패턴(230a)의 광투과율보다 작다. 따라서, 광투과율이 서로 동일한 주패턴과 보조패턴을 형성하는 종래 기술에 비하여 보조패턴의 크기를 크게 설계할 수 있다. 결과적으로, 본 실시예에 따른 위상 반전 마스크(290)에 의하면, 작은 소자 패턴에의 적용이 가능하고, 패턴이 제대로 형성되었는지의 여부를 검사하기가 수월하다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. 예를 들어, 본 실시예들에서는 상기 보조패턴이 상기 주패턴의 양측에 하나씩만 형성되는 것을 설명하고 있으나, 상기 보조패턴은 상기 주패턴의 일측에만 형성될 수도 있다. 그리고, 상기 보조패턴은 상기 주패턴의 일측 또는 양측에 복수개씩 형성될 수도 있다.
상술한 본 발명에 의하면, 위상은 주패턴과 동일하면서 주패턴에 비하여 광투과율이 작거나 0인 보조패턴이 주패턴의 주위에 형성된다. 보조패턴은 주패턴과 그룹화된 패턴처럼 작용하여 광근접 효과에 의한 영향을 감소시킨다. 따라서, 광근접 효과에 의한 부작용의 대표적인 예인 독립된 패턴의 CD 감소에 따른 바이어스의 증가를 보상할 수 있다. 그리고, 초점심도의 감소 현상을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면 주패턴에 비하여 광투과율이 작거나 0인 보조패턴을 형성함으로써, 종래에 비하여 보조패턴의 크기를 크게 설계할 수 있다. 따라서, 작은 소자 패턴에의 적용이 가능하고, 패턴이 제대로 형성되었는지의 여부를 검사하기가 수월하다.

Claims (16)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판상에 형성되고, 0보다 큰 제1 광투과율을 갖는 제1 위상 반전막으로 이루어진 주패턴; 및
    상기 주패턴의 주위의 상기 투명 기판상에 형성되고, 상기 주패턴과 동일하게 위상 반전을 일으키며, 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않으면서, 상기 제1 광투과율보다 작은 제2 광투과율을 갖는 적어도 1개의 보조패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보조패턴은 상기 주패턴의 일측 또는 양측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보조패턴은 제2 위상 반전막과, 그 두께에 따라 광투과율이 조절되는 물질막으로 구성되는 이중막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 물질막은 텅스텐막 또는 크롬막인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광투과율은 0인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 물질막의 두께는 상기 물질막의 광투과율이 0이 되도록 하는 정도인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보조패턴의 선폭은 상기 주패턴의 선폭보다 작은 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 투명 기판과 주패턴, 투명 기판과 보조패턴 사이에 각각 반사방지막이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  9. 투명 기판상에 0보다 큰 광투과율을 갖는 위상 반전막을 형성하는 단계;
    상기 위상 반전막상에 그 두께에 따라 광투과율이 조절되는 물질막을 형성하는 단계;
    상기 위상 반전막과 물질막을 패터닝하여 제1 위상 반전막 패턴과 제1 물질막 패턴을 포함하는 제1 패턴과, 상기 제1 패턴의 주위에 제2 위상 반전막 패턴과제2 물질막 패턴을 포함하며 노광시 웨이퍼에 패턴으로 전사되지 않는 적어도 1개의 제2 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 패턴에서 상기 제1 물질막 패턴을 제거하여 주패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴의 일측 또는 양측에 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 주패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1 및 제2 패턴이 형성된 상기 투명 기판상에 상기 제1 패턴을 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 물질막 패턴을 식각하는 단계; 및
    상기 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 주패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 물질막 패턴의 두께를 감소시켜 상기 제2 패턴의 광투과율을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 패턴의 광투과율을 조절하는 단계는
    상기 주패턴이 형성된 상기 투명 기판상에 상기 제2 패턴을 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 물질막 패턴을 식각하여 두께가 감소된 제2 물질막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 물질막으로서 텅스텐막 또는 크롬막을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제2 패턴의 선폭은 상기 제1 패턴의 선폭보다 작도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 투명 기판상에 위상 반전막을 형성하는 단계 전에, 상기 투명 기판상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조 방법.
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