JP2001222097A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001222097A JP2001222097A JP2000031943A JP2000031943A JP2001222097A JP 2001222097 A JP2001222097 A JP 2001222097A JP 2000031943 A JP2000031943 A JP 2000031943A JP 2000031943 A JP2000031943 A JP 2000031943A JP 2001222097 A JP2001222097 A JP 2001222097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- region
- shielding film
- phase shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アテニュエイティド（attenuated）型の位相シ
フトマスクに関し、露光時のフレアが原因で発生するレ
ジストパターンの疎密部分間でのクリティカルディメン
ジョン差を極力抑えること。 【解決手段】透明基板３に形成され、遮光膜非形成部分
に対して光を逆位相で透過させる遮光膜形成部分からな
るパターンを有する位相シフトマスクであって、透明基
板３上の第１領域Ａに形成された遮光膜からなる第１パ
ターン２ａと、前記透明基板３上の前記第１領域Ａより
も遮光膜被覆率が小さい第２領域Ｂに形成された遮光膜
からなる第２パターン２ｂとを有し、第１領域Ａ内の第
１パターン２ａの光透過率を第２領域Ｂ内の第２パター
ン２ｂの光透過率よりも大きくしたことを含む。
フトマスクに関し、露光時のフレアが原因で発生するレ
ジストパターンの疎密部分間でのクリティカルディメン
ジョン差を極力抑えること。 【解決手段】透明基板３に形成され、遮光膜非形成部分
に対して光を逆位相で透過させる遮光膜形成部分からな
るパターンを有する位相シフトマスクであって、透明基
板３上の第１領域Ａに形成された遮光膜からなる第１パ
ターン２ａと、前記透明基板３上の前記第１領域Ａより
も遮光膜被覆率が小さい第２領域Ｂに形成された遮光膜
からなる第２パターン２ｂとを有し、第１領域Ａ内の第
１パターン２ａの光透過率を第２領域Ｂ内の第２パター
ン２ｂの光透過率よりも大きくしたことを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
及びその製造方法に関し、より詳しくは、アテニュエイ
ティド（attenuated）型の位相シフトマスク及びその製
造方法に関する。
及びその製造方法に関し、より詳しくは、アテニュエイ
ティド（attenuated）型の位相シフトマスク及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、絶縁
体、半導体、金属などの膜をパターニングするためにフ
ォトリソグラフィー法が用いられている。フォトリソグ
ラフィー工程での解像力を向上する手段として、投影露
光装置等の従来のフォトリソグラフィ工程の環境を流用
し、マスク上に透過光の位相をずらす位相変化膜を形成
してなる位相シフトマスクと呼ばれるフォトマスクを用
いる方法があり、従来の遮光膜に対して位相変化膜を適
用するときの形状および配置方法の違いにより幾種類の
方式が存在する。
体、半導体、金属などの膜をパターニングするためにフ
ォトリソグラフィー法が用いられている。フォトリソグ
ラフィー工程での解像力を向上する手段として、投影露
光装置等の従来のフォトリソグラフィ工程の環境を流用
し、マスク上に透過光の位相をずらす位相変化膜を形成
してなる位相シフトマスクと呼ばれるフォトマスクを用
いる方法があり、従来の遮光膜に対して位相変化膜を適
用するときの形状および配置方法の違いにより幾種類の
方式が存在する。
【０００３】位相シフトマスクの中で、本来不透明であ
るはずの露光光遮光膜の透過率をある程度高め、かつ、
開口部分を通過する光との位相を逆位相に保つことによ
りパターンの解像力を向上させる方法にアテニュエイテ
ィド型位相シフトマスク（以下、ＡＰＳＭと略す。）が
ある。尚、ＡＰＳＭ型位相シフトマスクは、ハーフトー
ンマスクを含む概念である。
るはずの露光光遮光膜の透過率をある程度高め、かつ、
開口部分を通過する光との位相を逆位相に保つことによ
りパターンの解像力を向上させる方法にアテニュエイテ
ィド型位相シフトマスク（以下、ＡＰＳＭと略す。）が
ある。尚、ＡＰＳＭ型位相シフトマスクは、ハーフトー
ンマスクを含む概念である。
【０００４】このタイプの位相シフトマスクによる解像
力改善の効果は、レベンソン(Levenson)型の位相シフト
マスクよりも少し劣るが、レベンソン型の位相シフトマ
スクよりも製造方法が非常に簡単であるため、半導体メ
ーカーでは広く一般に使用されている。フォトマスクの
マスクパターンの発生方法としては、設計パターンを拡
大した設計図面を作製し、その設計図面からマスクパタ
ーン発生装置に設計パターンを入力し、その設計パター
ンと同一形状のマスクパターンのみを発生する手段しか
有さず、また、マスクパターン発生装置に関しても同様
に、設計パターンと同一形状のマスクパターンのみを発
せする手段しか有していない。
力改善の効果は、レベンソン(Levenson)型の位相シフト
マスクよりも少し劣るが、レベンソン型の位相シフトマ
スクよりも製造方法が非常に簡単であるため、半導体メ
ーカーでは広く一般に使用されている。フォトマスクの
マスクパターンの発生方法としては、設計パターンを拡
大した設計図面を作製し、その設計図面からマスクパタ
ーン発生装置に設計パターンを入力し、その設計パター
ンと同一形状のマスクパターンのみを発生する手段しか
有さず、また、マスクパターン発生装置に関しても同様
に、設計パターンと同一形状のマスクパターンのみを発
せする手段しか有していない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】デバイスの微細化が進
み、デバイスのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）、
即ちパターンの最小寸法が半導体ウェハ上で０．１５μ
ｍ以下になると、ステッパ、スキャナなどの露光装置に
起因する迷光（フレア(flare))の問題が以前よりも顕著
になり、また、透明基板上のクロム（Cr）膜やモリブデ
ンシリコン（MoSi）膜の被覆率の低いレチクルほどフレ
アの影響が大きくなる。
み、デバイスのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）、
即ちパターンの最小寸法が半導体ウェハ上で０．１５μ
ｍ以下になると、ステッパ、スキャナなどの露光装置に
起因する迷光（フレア(flare))の問題が以前よりも顕著
になり、また、透明基板上のクロム（Cr）膜やモリブデ
ンシリコン（MoSi）膜の被覆率の低いレチクルほどフレ
アの影響が大きくなる。
【０００６】フレアは、露光装置内のレンズの微細な凹
凸やウェハ表面で反射した散乱光が原因であり、膜のパ
ターンに重要な役割をもたらす露光光のコントラストを
劣化させ、結果的には、微細パターンの露光マージンを
低下させたり、形状劣化をもたらす。従来のＡＰＳＭ型
の位相シフトマスクを使用するレジスト露光方法によれ
ば、遮光部分の露光光透過率が面内で同一のため、投影
露光装置がもつフレアの悪影響により、同一寸法のパタ
ーンを露光しても、パターン疎密により、同一の寸法を
得ることが非常に困難であった。即ち、パターンの疎密
の違いにより、位相シフト効果の効き具合が微妙に異な
り、パターン粗密部分間での寸法差を発生させる。
凸やウェハ表面で反射した散乱光が原因であり、膜のパ
ターンに重要な役割をもたらす露光光のコントラストを
劣化させ、結果的には、微細パターンの露光マージンを
低下させたり、形状劣化をもたらす。従来のＡＰＳＭ型
の位相シフトマスクを使用するレジスト露光方法によれ
ば、遮光部分の露光光透過率が面内で同一のため、投影
露光装置がもつフレアの悪影響により、同一寸法のパタ
ーンを露光しても、パターン疎密により、同一の寸法を
得ることが非常に困難であった。即ち、パターンの疎密
の違いにより、位相シフト効果の効き具合が微妙に異な
り、パターン粗密部分間での寸法差を発生させる。
【０００７】それらの問題は、レチクル上のパターン疎
密の差が大きいシステムＬＳＩ向けのデバイス開発等で
今後さらに大きくなる可能性が非常に高いが、従来のマ
スクパターン発生装置では設計パターンと同一形状のマ
スクパターンを発生するのみである。なお、以上のよう
なパターンの疎密領域間のフレアによる問題は、いっさ
い手が付けられておらず、本願発明者が実験により確認
したことである。
密の差が大きいシステムＬＳＩ向けのデバイス開発等で
今後さらに大きくなる可能性が非常に高いが、従来のマ
スクパターン発生装置では設計パターンと同一形状のマ
スクパターンを発生するのみである。なお、以上のよう
なパターンの疎密領域間のフレアによる問題は、いっさ
い手が付けられておらず、本願発明者が実験により確認
したことである。
【０００８】本発明の目的は、露光時のフレアが原因で
発生するレジストパターンの疎密部分間でのクリティカ
ルディメンジョン差を極力抑えることができる位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供することにある。
発生するレジストパターンの疎密部分間でのクリティカ
ルディメンジョン差を極力抑えることができる位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、透明基
板上に形成され、遮光膜非形成部分に対して光を逆位相
で透過させる遮光膜形成部分からなるパターンを有する
位相シフトマスクであって、前記透明基板上の第１領域
に形成された遮光膜からなる第１パターンと、前記透明
基板上の前記第１領域よりも遮光膜被覆率が小さい第２
領域に形成された遮光膜からなる第２パターンとを有
し、前記第１領域内の前記第１パターンの光透過率を前
記第２領域内の前記第２パターンの光透過率よりも大き
くしたことを特徴とする位相シフトマスクによって解決
される。
板上に形成され、遮光膜非形成部分に対して光を逆位相
で透過させる遮光膜形成部分からなるパターンを有する
位相シフトマスクであって、前記透明基板上の第１領域
に形成された遮光膜からなる第１パターンと、前記透明
基板上の前記第１領域よりも遮光膜被覆率が小さい第２
領域に形成された遮光膜からなる第２パターンとを有
し、前記第１領域内の前記第１パターンの光透過率を前
記第２領域内の前記第２パターンの光透過率よりも大き
くしたことを特徴とする位相シフトマスクによって解決
される。
【００１０】この場合、前記第１領域内の前記第１パタ
ーンの光透過率は、前記第１領域内の周辺部分よりも中
央部分の光透過率を大きくしてもよい。また、遮光膜が
モリブデンシリコンの場合に、第１パターンの酸素含有
量を第２パターンの酸素含有量よりも多くしてもよい。
また、上記した課題は、透明基板の上に遮光膜を形成
する工程と、遮光膜をパターニングして第１領域に第１
パターンを形成し、且つ、第２領域に第２パターンを形
成する工程と、第２領域よりもパターン密度が高い第１
領域内に存在する第１パターンをプラズマ照射、エッチ
ングして透過率を高くするか、或いは、第２領域内に存
在する第２パターン上に膜を形成して透過率を低くする
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法によって解決される。この場合、遮光膜はモリブ
デンシリコン膜であり、プラズマ照射は酸素含有雰囲気
中で行われるようにしてもよい。
ーンの光透過率は、前記第１領域内の周辺部分よりも中
央部分の光透過率を大きくしてもよい。また、遮光膜が
モリブデンシリコンの場合に、第１パターンの酸素含有
量を第２パターンの酸素含有量よりも多くしてもよい。
また、上記した課題は、透明基板の上に遮光膜を形成
する工程と、遮光膜をパターニングして第１領域に第１
パターンを形成し、且つ、第２領域に第２パターンを形
成する工程と、第２領域よりもパターン密度が高い第１
領域内に存在する第１パターンをプラズマ照射、エッチ
ングして透過率を高くするか、或いは、第２領域内に存
在する第２パターン上に膜を形成して透過率を低くする
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法によって解決される。この場合、遮光膜はモリブ
デンシリコン膜であり、プラズマ照射は酸素含有雰囲気
中で行われるようにしてもよい。
【００１１】次に、本発明の作用について説明する。本
発明によれば、アテニュウエイティド型位相シフトマス
クにおいて、パターンの疎密に応じて露光光の遮光部分
の光の透過率を異ならせるようにしたので、フレアの影
響の大小によるパターン寸法差が小さくなり、露光マー
ジを大きくすることが可能になる。
発明によれば、アテニュウエイティド型位相シフトマス
クにおいて、パターンの疎密に応じて露光光の遮光部分
の光の透過率を異ならせるようにしたので、フレアの影
響の大小によるパターン寸法差が小さくなり、露光マー
ジを大きくすることが可能になる。
【００１２】この場合、パターンの遮光部分での露光光
の透過率を複数の段階に異ならせる方法としては、遮光
膜の組成や膜厚を変化させて遮光部分の光吸収量を変化
させることが例にあげられる。また、遮光部分の透過率
を非常に細かく調整することにより、露光装置が有する
グローバルな各種収差もある程度抑制できることにな
る。
の透過率を複数の段階に異ならせる方法としては、遮光
膜の組成や膜厚を変化させて遮光部分の光吸収量を変化
させることが例にあげられる。また、遮光部分の透過率
を非常に細かく調整することにより、露光装置が有する
グローバルな各種収差もある程度抑制できることにな
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に使用す
るレチクルの機能に応じて形成された複数のパターン領
域を示す平面図である。図１(a) に示すレチクル１は例
えばＡＰＳＭ型位相シフトマスクであり、そこには例え
ば同図(b) に示すように少なくとも数％の露光光を透過
するモリブデンシリコン（MoSi）膜のような遮光膜（光
減衰膜）からなるパターン２がガラス基板３の上に複数
の領域に形成されている。それらのパターン２は、ガラ
ス基板３の第１領域Ａでは例えば８０％のMoSi被覆率を
有し、第２領域Ｂでは例えば２０％のMoSi被覆率を有し
ている。そのようなMoSi被覆率のレチクルを本実施形態
のＴＥＧとして用いることにする。
基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に使用す
るレチクルの機能に応じて形成された複数のパターン領
域を示す平面図である。図１(a) に示すレチクル１は例
えばＡＰＳＭ型位相シフトマスクであり、そこには例え
ば同図(b) に示すように少なくとも数％の露光光を透過
するモリブデンシリコン（MoSi）膜のような遮光膜（光
減衰膜）からなるパターン２がガラス基板３の上に複数
の領域に形成されている。それらのパターン２は、ガラ
ス基板３の第１領域Ａでは例えば８０％のMoSi被覆率を
有し、第２領域Ｂでは例えば２０％のMoSi被覆率を有し
ている。そのようなMoSi被覆率のレチクルを本実施形態
のＴＥＧとして用いることにする。
【００１４】ここで、被覆率は、各領域Ａ，Ｂにおいて
MoSiのような遮光膜が占める面積の割合である。例えば
図１(b) に示すように、幅１３０ｎｍ×長さ７１０ｎｍ
の大きさのデバイス評価用のパターン２がガラス基板３
上に複数形成されている場合に、第１領域Ａと第２領域
Ｂのそれぞれにおいてパターン２を構成するMoSi膜の合
計の面積を各領域Ａ，Ｂの面積で割った百分率で示され
る。
MoSiのような遮光膜が占める面積の割合である。例えば
図１(b) に示すように、幅１３０ｎｍ×長さ７１０ｎｍ
の大きさのデバイス評価用のパターン２がガラス基板３
上に複数形成されている場合に、第１領域Ａと第２領域
Ｂのそれぞれにおいてパターン２を構成するMoSi膜の合
計の面積を各領域Ａ，Ｂの面積で割った百分率で示され
る。
【００１５】ここで、従来のハーフトーン型のレチクル
は、各領域Ａ，Ｂでは同じ光透過率のMoSi膜からパター
ン２が形成されている。そして、第１領域Ａのパターン
密度（MoSi被覆率）を高く、第２領域Ｂのパターン密度
（MoSi被覆率）を低くして、そのレチクルをスキャナ露
光装置に装着してポジ型レジストを露光すると、そのレ
チクルのパターン２とその間を透過した光のウェハ上で
の強度は、第１領域Ａでは図２(a) に示すようになって
フレアの影響が小さく、また、第２領域Ｂでは図２(b)
に示すようになってフレアの影響が大きくなる。
は、各領域Ａ，Ｂでは同じ光透過率のMoSi膜からパター
ン２が形成されている。そして、第１領域Ａのパターン
密度（MoSi被覆率）を高く、第２領域Ｂのパターン密度
（MoSi被覆率）を低くして、そのレチクルをスキャナ露
光装置に装着してポジ型レジストを露光すると、そのレ
チクルのパターン２とその間を透過した光のウェハ上で
の強度は、第１領域Ａでは図２(a) に示すようになって
フレアの影響が小さく、また、第２領域Ｂでは図２(b)
に示すようになってフレアの影響が大きくなる。
【００１６】例えば、MoSi膜の光透過率を６．０％に面
内均一となし、開口率が０．６８のKrF （波長２４８μ
ｍ）スキャナーを使用して半導体ウェハ４上のレジスト
を露光し、ついで現像したところ、同じ幅のパターンに
ついて、フレアの影響が小さな第１領域Ａとフレアの影
響が大きな第２領域Ｂとでは各領域間の差が観て取れ
た。即ち、フレアの影響が小さなＡ領域ではレジストの
露光が不足傾向になって、現像後のレジストパターン５
ａの断面形状は図３(a) のようになる一方、フレアの影
響が大きな第２領域Ｂではレジストの露光がオーバー傾
向になって現像後のレジストパターン５ｂの断面形状は
図３(b) のようになった。
内均一となし、開口率が０．６８のKrF （波長２４８μ
ｍ）スキャナーを使用して半導体ウェハ４上のレジスト
を露光し、ついで現像したところ、同じ幅のパターンに
ついて、フレアの影響が小さな第１領域Ａとフレアの影
響が大きな第２領域Ｂとでは各領域間の差が観て取れ
た。即ち、フレアの影響が小さなＡ領域ではレジストの
露光が不足傾向になって、現像後のレジストパターン５
ａの断面形状は図３(a) のようになる一方、フレアの影
響が大きな第２領域Ｂではレジストの露光がオーバー傾
向になって現像後のレジストパターン５ｂの断面形状は
図３(b) のようになった。
【００１７】そのようなレジストパターンの形状劣化の
問題を解決する方法として、光学的近接効果補正（ＯＰ
Ｃ(optical proximity correction)のような手法もある
が、これは、数μｍの範囲の近接領域にあるレジストパ
ターン形状の補正方法あり、フレアのようなグローバル
な領域での補正に適用することはできない。そこで、本
実施形態では、グローバル領域でのフレアによるレジス
トパターンの寸法バラツキを防止するために、以下のよ
うな方法を採用する。
問題を解決する方法として、光学的近接効果補正（ＯＰ
Ｃ(optical proximity correction)のような手法もある
が、これは、数μｍの範囲の近接領域にあるレジストパ
ターン形状の補正方法あり、フレアのようなグローバル
な領域での補正に適用することはできない。そこで、本
実施形態では、グローバル領域でのフレアによるレジス
トパターンの寸法バラツキを防止するために、以下のよ
うな方法を採用する。
【００１８】半導体ウェハ上に形成しようとする微細パ
ターンの配置部分に対応する複数の領域ではレチクルの
光遮蔽率が高いか低いかによって、露光後のレジストパ
ターン形状は大きく変化する。即ち、レチクルにおける
MoSi被覆率の低い領域では光のドーズが最適量よりも過
剰になり、MoSi被覆率の高い領域では光のドーズが最適
量よりも不足する。
ターンの配置部分に対応する複数の領域ではレチクルの
光遮蔽率が高いか低いかによって、露光後のレジストパ
ターン形状は大きく変化する。即ち、レチクルにおける
MoSi被覆率の低い領域では光のドーズが最適量よりも過
剰になり、MoSi被覆率の高い領域では光のドーズが最適
量よりも不足する。
【００１９】この理由としては、図２(a),(b) に示した
ように、フレアの影響により光ドーズ量がMoSi被覆率の
低い領域ではMoSi被覆率の高い領域よりも僅かながら高
くなっている。これにより、露光の際の光ドーズ量をMo
Si被覆率の低い部分に合わせてしまうと、図３(a),(b)
に示したように、MoSi被覆率の高い領域では露光光ドー
ズ量が低めになってしまい、MoSi被覆率の高い部分に合
わせるとMoSi被覆率の低い領域では露光光ドーズ量が高
めになってしまう。
ように、フレアの影響により光ドーズ量がMoSi被覆率の
低い領域ではMoSi被覆率の高い領域よりも僅かながら高
くなっている。これにより、露光の際の光ドーズ量をMo
Si被覆率の低い部分に合わせてしまうと、図３(a),(b)
に示したように、MoSi被覆率の高い領域では露光光ドー
ズ量が低めになってしまい、MoSi被覆率の高い部分に合
わせるとMoSi被覆率の低い領域では露光光ドーズ量が高
めになってしまう。
【００２０】レジストパターン形状に与えるフレアの影
響の程度は、クリティカルディメンジョンに換算した場
合に、パターン、露光条件により多少異なるが、上記し
たＴＥＧについて、最適ドーズ量の約１〜４％である。
そして、本願発明者の実験によれば、MoSi被覆率とクリ
ティカルディメンジョン（ＣＤ）の関係は図４に示すよ
うに一定の比例関係があることがわかった。図４におい
て、クリティカルディメンジョンは、図１(b) に示した
パターン２の幅に関するものであり、また、２つの特性
線ＡＡ、ＰＡの違いは、各種パターンのサイズ、露光条
件等によって異なってくることを示している。なお、フ
レアの発生具合は、スパッタのメーカーや機種により異
なる。
響の程度は、クリティカルディメンジョンに換算した場
合に、パターン、露光条件により多少異なるが、上記し
たＴＥＧについて、最適ドーズ量の約１〜４％である。
そして、本願発明者の実験によれば、MoSi被覆率とクリ
ティカルディメンジョン（ＣＤ）の関係は図４に示すよ
うに一定の比例関係があることがわかった。図４におい
て、クリティカルディメンジョンは、図１(b) に示した
パターン２の幅に関するものであり、また、２つの特性
線ＡＡ、ＰＡの違いは、各種パターンのサイズ、露光条
件等によって異なってくることを示している。なお、フ
レアの発生具合は、スパッタのメーカーや機種により異
なる。
【００２１】以上の結果に基づいて、本願発明者は、ハ
ーフトーンマスク（レチクル）上の被覆率からフレアの
影響度合いを調査し、異なるパターン密度領域毎にハー
フトーンマスクの光透過率を調整する手法を開発し、フ
レアによるパターン間のクリティカルディメンジョン差
や形状不良を大幅に改善することに成功した。ハーフト
ーンマスクの光透過率調整方法を例にあげて説明する。
ーフトーンマスク（レチクル）上の被覆率からフレアの
影響度合いを調査し、異なるパターン密度領域毎にハー
フトーンマスクの光透過率を調整する手法を開発し、フ
レアによるパターン間のクリティカルディメンジョン差
や形状不良を大幅に改善することに成功した。ハーフト
ーンマスクの光透過率調整方法を例にあげて説明する。
【００２２】まず、遮光膜の被覆率の高い第１領域Ａの
光透過量を多くするために、第１領域Ａのパターンの光
透過率を高くする方法としてその領域でのMoSiパターン
を局所的にMoSiONパターンに変化させるようにした。こ
れは、図４に示すように、MoSiONの被覆率を大きくする
ほどクリティカルディメンジョンが小さくなることに特
性に基づくものである。
光透過量を多くするために、第１領域Ａのパターンの光
透過率を高くする方法としてその領域でのMoSiパターン
を局所的にMoSiONパターンに変化させるようにした。こ
れは、図４に示すように、MoSiONの被覆率を大きくする
ほどクリティカルディメンジョンが小さくなることに特
性に基づくものである。
【００２３】次に、図５に示すように、レチクル１にお
ける第１領域Ａ、第２領域Ｂのそれぞれの所定の点を中
心にして所定半径内での遮光膜の被覆率を設計データか
ら算出して、その結果を一旦結合する。或いは、図６に
示すように、レチクル１を例えば１ｍｍ×１ｍｍの大き
さの矩形ユニットＵに区画し、そのユニットＵ毎のMoSi
被覆率を設計データから算出して、その結果を一旦結合
する。
ける第１領域Ａ、第２領域Ｂのそれぞれの所定の点を中
心にして所定半径内での遮光膜の被覆率を設計データか
ら算出して、その結果を一旦結合する。或いは、図６に
示すように、レチクル１を例えば１ｍｍ×１ｍｍの大き
さの矩形ユニットＵに区画し、そのユニットＵ毎のMoSi
被覆率を設計データから算出して、その結果を一旦結合
する。
【００２４】そして、最もクリティカルディメンジョン
制御が必要な部分のフレア、又は、MoSi被覆率の差が最
も大きい部分のフレアを緩和するのに必要なＡＰＳＭ透
過率補正量を図４に示す特性に基づいて算出する。即
ち、図４において、遮光膜の光透過率を大きくすること
によって、見かけ上のMoSi被覆率を小さくするように調
整する。この場合、図６に示したように必要に応じて多
段階的にＡＰＳＭの透過率を制御するようにしてもよ
い。
制御が必要な部分のフレア、又は、MoSi被覆率の差が最
も大きい部分のフレアを緩和するのに必要なＡＰＳＭ透
過率補正量を図４に示す特性に基づいて算出する。即
ち、図４において、遮光膜の光透過率を大きくすること
によって、見かけ上のMoSi被覆率を小さくするように調
整する。この場合、図６に示したように必要に応じて多
段階的にＡＰＳＭの透過率を制御するようにしてもよ
い。
【００２５】その結果に合わせて遮光パターンの透過率
を補正すべき領域を特定し、次に例示するような方法で
透過率の補正を行う。まず、図７(a) に示すように、レ
チクルのガラス基板３の上にMoSi膜７を形成し、さらに
MoSi膜７上に第１レジストパターン８を形成する。そし
て、第１レジストパターン８に覆われない部分をエッチ
ングして第１領域Ａ、第２領域Ｂ等にパターン２を形成
した後に、図７(b) に示すように第１レジストパターン
８を除去する。
を補正すべき領域を特定し、次に例示するような方法で
透過率の補正を行う。まず、図７(a) に示すように、レ
チクルのガラス基板３の上にMoSi膜７を形成し、さらに
MoSi膜７上に第１レジストパターン８を形成する。そし
て、第１レジストパターン８に覆われない部分をエッチ
ングして第１領域Ａ、第２領域Ｂ等にパターン２を形成
した後に、図７(b) に示すように第１レジストパターン
８を除去する。
【００２６】ついで、図７(c) に示すように、フォトレ
ジストをガラス基板３の上に塗布した後に、これを露
光、現像して第２レジストパターン９を形成する。第２
レジストパターン９は、MoSi被覆率の低い第２領域Ｂを
選択的に覆う形状にする。その後に、ドライエッチング
装置を用いて、第２レジストパターン９から露出した第
１領域Ａのパターン２の表面を酸素（O2）と窒素（N2）
の混合ガス雰囲気中でプラズマ処理することにより、そ
のMoSiパターン２の少なくとも表面をMoSiONに変える。
なお、プラズマ処理されたパターン２の膜厚は殆ど変化
せず、その位相はプラズマ処理されないパターン２と実
質的に同じであって、ガラス基板３を透過した光と逆位
相で光を透過する。また、プラズマ処理の代わりにエッ
チングを行って透過率を調整するようにしてもよいし、
第２領域Ｂのパターン２上にＣＶＤ等により膜を積層し
て透過率を低く調整するようにしてもよいが、その膜厚
の増加量又は減少量は、透過光の位相が許容範囲から外
れない程度にする。
ジストをガラス基板３の上に塗布した後に、これを露
光、現像して第２レジストパターン９を形成する。第２
レジストパターン９は、MoSi被覆率の低い第２領域Ｂを
選択的に覆う形状にする。その後に、ドライエッチング
装置を用いて、第２レジストパターン９から露出した第
１領域Ａのパターン２の表面を酸素（O2）と窒素（N2）
の混合ガス雰囲気中でプラズマ処理することにより、そ
のMoSiパターン２の少なくとも表面をMoSiONに変える。
なお、プラズマ処理されたパターン２の膜厚は殆ど変化
せず、その位相はプラズマ処理されないパターン２と実
質的に同じであって、ガラス基板３を透過した光と逆位
相で光を透過する。また、プラズマ処理の代わりにエッ
チングを行って透過率を調整するようにしてもよいし、
第２領域Ｂのパターン２上にＣＶＤ等により膜を積層し
て透過率を低く調整するようにしてもよいが、その膜厚
の増加量又は減少量は、透過光の位相が許容範囲から外
れない程度にする。
【００２７】これにより、図７(d) に示すように、第１
領域Ａのパターン２の光透過率が高くなるように微妙に
調整されることになる。これによって図７(d) に示した
ようなレチクル（ハーフトーンマスク（ＨＴ))の第１領
域Ａと第２領域Ｂを透過した光の半導体ウェハ上での強
度と位相は図８(a),(b) のようになり、パターン疎領域
とパターン密領域で生じていたフレアの相違によるＣＤ
への悪影響を大幅に抑制することが可能になった。そし
て、そのような透過率が調整された遮光膜パターン２を
使用して半導体ウェハ上のレジストを露光し、ついで現
像したところ、第１領域Ａのレジストパターンは図９
(a)に示すような断面形状となり、また第２領域Ｂでは
図９(b) に示すような断面形状が得られ、それらの領域
Ａ，Ｂにおける同一設計幅のレジストパターンには寸法
形状差は殆ど観られなかった。
領域Ａのパターン２の光透過率が高くなるように微妙に
調整されることになる。これによって図７(d) に示した
ようなレチクル（ハーフトーンマスク（ＨＴ))の第１領
域Ａと第２領域Ｂを透過した光の半導体ウェハ上での強
度と位相は図８(a),(b) のようになり、パターン疎領域
とパターン密領域で生じていたフレアの相違によるＣＤ
への悪影響を大幅に抑制することが可能になった。そし
て、そのような透過率が調整された遮光膜パターン２を
使用して半導体ウェハ上のレジストを露光し、ついで現
像したところ、第１領域Ａのレジストパターンは図９
(a)に示すような断面形状となり、また第２領域Ｂでは
図９(b) に示すような断面形状が得られ、それらの領域
Ａ，Ｂにおける同一設計幅のレジストパターンには寸法
形状差は殆ど観られなかった。
【００２８】ところで、上記したパターンの光透過率の
調整は、領域間のパターン疎密の違いに基づいて各領域
毎に行うだけでなく、少なくとも１つの領域内の１カ所
だけパターンの透過率を異ならせる場合もあり、あるい
は、１つの領域内で部分毎に変化させてもよい。例え
ば、図１０に示すように、第１領域Ａ内で、MoSi又はMo
SiONの透過率を２％のステップで６〜１０％の範囲で高
くする。その第１領域Ａにおいて、周囲にパターンが存
在しない周辺部分ではフレアによる影響が大きいので、
その周辺部分の遮光膜パターンの光透過率を６％と小さ
くし、中央部分の遮光膜パターンの光透過率を１０％と
大きくし、周辺部分と中央部分の間の中間部分の遮光膜
パターンの光透過率を８％とする。さらに、フレアの影
響が大きい第２領域Ｂ内の全体の遮光膜パターンの透過
率を６％にする。
調整は、領域間のパターン疎密の違いに基づいて各領域
毎に行うだけでなく、少なくとも１つの領域内の１カ所
だけパターンの透過率を異ならせる場合もあり、あるい
は、１つの領域内で部分毎に変化させてもよい。例え
ば、図１０に示すように、第１領域Ａ内で、MoSi又はMo
SiONの透過率を２％のステップで６〜１０％の範囲で高
くする。その第１領域Ａにおいて、周囲にパターンが存
在しない周辺部分ではフレアによる影響が大きいので、
その周辺部分の遮光膜パターンの光透過率を６％と小さ
くし、中央部分の遮光膜パターンの光透過率を１０％と
大きくし、周辺部分と中央部分の間の中間部分の遮光膜
パターンの光透過率を８％とする。さらに、フレアの影
響が大きい第２領域Ｂ内の全体の遮光膜パターンの透過
率を６％にする。
【００２９】また、投影露光装置に用いるフォトマスク
のマスクパターンの発生方法では、投影露光装置が有し
ている収差の影響とフレアとの影響を合わせ込み、マス
ク内の最適透過率を計算するようにしてもよい。さら
に、レチクル上のターゲットパターンに着目して、その
着目したパターンが含まれる領域のみを選択して被覆率
を計算する機能を設計装置内に組み込んでもよい。
のマスクパターンの発生方法では、投影露光装置が有し
ている収差の影響とフレアとの影響を合わせ込み、マス
ク内の最適透過率を計算するようにしてもよい。さら
に、レチクル上のターゲットパターンに着目して、その
着目したパターンが含まれる領域のみを選択して被覆率
を計算する機能を設計装置内に組み込んでもよい。
【００３０】上記したフォトマスク（位相シフトマス
ク）は、半導体装置の製造方法に対して以下のように適
用することができる。即ち、その半導体装置の製法は、
半導体基板上に絶縁体、半導体又は導電体の第一膜を形
成する工程と、 前記第一膜上にレジストを形成する工
程と、透明基板上に形成され且つ遮光膜非形成部分に対
して光を逆位相で透過させる遮光膜形成部分からなるパ
ターンを有する位相シフトマスクであって、前記透明基
板上の第１領域に形成された遮光膜からなる第１パター
ンと、前記透明基板上の前記第１領域よりも遮光膜被覆
率が小さい第２領域に形成された遮光膜からなる第２パ
ターンとを有し、前記第１領域内の前記第１パターンの
光透過率を前記第２領域内の前記第２パターンの光透過
率よりも大きくした位相シフトマスクを用いて前記レジ
ストを露光する工程と、前記レジストを現像して所望の
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを用いて前記第一膜をパターニングする工程とを有
する。
ク）は、半導体装置の製造方法に対して以下のように適
用することができる。即ち、その半導体装置の製法は、
半導体基板上に絶縁体、半導体又は導電体の第一膜を形
成する工程と、 前記第一膜上にレジストを形成する工
程と、透明基板上に形成され且つ遮光膜非形成部分に対
して光を逆位相で透過させる遮光膜形成部分からなるパ
ターンを有する位相シフトマスクであって、前記透明基
板上の第１領域に形成された遮光膜からなる第１パター
ンと、前記透明基板上の前記第１領域よりも遮光膜被覆
率が小さい第２領域に形成された遮光膜からなる第２パ
ターンとを有し、前記第１領域内の前記第１パターンの
光透過率を前記第２領域内の前記第２パターンの光透過
率よりも大きくした位相シフトマスクを用いて前記レジ
ストを露光する工程と、前記レジストを現像して所望の
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを用いて前記第一膜をパターニングする工程とを有
する。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、アテ
ニュウエイティド型の位相シフトマスクにおいて、密の
領域のパターンの光透過率を、疎の領域のパターンの光
透過率よりも高くしたので、フレアによるレジストへの
光ドーズ量のバラツキを小さくして疎密パターン間のＣ
Ｄ差やパターン形状を大幅に改善することができ、加え
て露光マージの大幅な改善が可能になり、１３０ｎｍレ
ベルの半導体素子開発に大変有効な技術となる。
ニュウエイティド型の位相シフトマスクにおいて、密の
領域のパターンの光透過率を、疎の領域のパターンの光
透過率よりも高くしたので、フレアによるレジストへの
光ドーズ量のバラツキを小さくして疎密パターン間のＣ
Ｄ差やパターン形状を大幅に改善することができ、加え
て露光マージの大幅な改善が可能になり、１３０ｎｍレ
ベルの半導体素子開発に大変有効な技術となる。
【図１】本発明の実施形態に係る位相シフトマスクのパ
ターン形成領域とその領域内の遮光パターンを示す平面
図である。
ターン形成領域とその領域内の遮光パターンを示す平面
図である。
【図２】従来の位相シフトマスクによる露光光強度分布
を示す図である。
を示す図である。
【図３】従来の位相シフトマスクを用いて形成されるレ
ジストパターンの断面図である。
ジストパターンの断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る位相シフトマスクのMo
SiON被覆率とＣＤの関係を示す図である。
SiON被覆率とＣＤの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る位相シフトマスクの面
内遮光膜被覆率分布の比較の第１例を示す平面図であ
る。
内遮光膜被覆率分布の比較の第１例を示す平面図であ
る。
【図６】本発明の実施形態に係る位相シフトマスクの面
内遮光膜被覆率分布の比較の第２例を示す平面図であ
る。
内遮光膜被覆率分布の比較の第２例を示す平面図であ
る。
【図７】本発明の実施形態に係る位相シフトマスクの形
成工程を示す断面図である。
成工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態の位相シフトマスクによる露
光光強度分布を示す図である。
光光強度分布を示す図である。
【図９】本発明の実施形態の位相シフトマスクを用いて
形成されるレジストパターンの断面図である。
形成されるレジストパターンの断面図である。
【図１０】本発明の実施形態の位相シフトマスクを用い
て形成されるレジストパターンの断面図である。
て形成されるレジストパターンの断面図である。
１…レチクル（位相シフトマスク）、２…遮光パター
ン、３…ガラス基板（透明基板）、４…半導体ウェハ、
５ａ、５ｂ…レジストパターン、７…MoSi膜（遮光
膜）、８，９…レジストパターン、Ａ…第１領域、Ｂ…
第２領域。
ン、３…ガラス基板（透明基板）、４…半導体ウェハ、
５ａ、５ｂ…レジストパターン、７…MoSi膜（遮光
膜）、８，９…レジストパターン、Ａ…第１領域、Ｂ…
第２領域。
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板上に形成され、遮光膜非形成部分
に対して光を逆位相で透過させる遮光膜形成部分からな
るパターンを有する位相シフトマスクであって、 前記透明基板上の第１領域に形成された遮光膜からなる
第１パターンと、 前記透明基板上の前記第１領域よりも遮光膜被覆率が小
さい第２領域に形成された遮光膜からなる第２パターン
とを有し、 前記第１領域内の前記第１パターンの光透過率を前記第
２領域内の前記第２パターンの光透過率よりも大きくし
たことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】前記第１領域内の前記第１パターンの光透
過率は、前記第１領域内の周辺部分よりも中央部分の光
透過率を大きくすることを特徴とする請求項１に記載の
位相シフトマスク。 - 【請求項３】前記遮光膜はモリブデンシリコンであり、
前記第１パターンの酸素含有量は前記第２パターンの酸
素含有量よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の
位相シフトマスク。 - 【請求項４】透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、 前記遮光膜をパターニングして第１領域に第１パターン
を形成し、且つ、第２領域に第２パターンを形成する工
程と、 前記第２領域よりもパターン密度が高い前記第１領域内
に存在する前記第１パターンをプラズマ照射、エッチン
グして透過率を高くするか、或いは、前記第２領域内に
存在する前記第２パターン上に膜を形成して透過率を低
くする工程とを有することを特徴とする位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項５】前記遮光膜はモリブデンシリコン膜であ
り、前記プラズマ照射は酸素含有雰囲気中で行われるこ
とを特徴とする請求項４に記載の位相シフトマスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000031943A JP2001222097A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000031943A JP2001222097A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001222097A true JP2001222097A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18556618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000031943A Withdrawn JP2001222097A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001222097A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027403A1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-04-04 | The Regents Of The University Of California | Method of compensating flare-induced cd changes |
| WO2004107047A1 (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Fujitsu Limited | ローカルフレア補正 |
| US6893779B2 (en) * | 2001-03-20 | 2005-05-17 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7097945B2 (en) * | 2003-04-18 | 2006-08-29 | Macronix International Co., Ltd. | Method of reducing critical dimension bias of dense pattern and isolation pattern |
| US7186481B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-03-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Flare measuring mask and flare measuring method of semiconductor aligner |
| CN1324400C (zh) * | 2003-02-18 | 2007-07-04 | 株式会社瑞萨科技 | 相移掩模、及使用它的图形形成方法和电子器件制造方法 |
| JP2007524255A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-08-23 | メンター グラフィックス コーポレーション | 集積回路のレイアウト設計におけるロングレンジ補正 |
| JP2007323091A (ja) * | 2002-03-25 | 2007-12-13 | Asml Masktools Bv | マスクパターン形成方法及び装置、並びに、コンピュータ・プログラム |
| JP2009151030A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | フォトマスク、フォトマスクの線幅補正方法、線幅補正装置及びそれを用いた電子デバイス |
| US7691542B2 (en) | 2004-01-16 | 2010-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure system, test mask for flare testing, method for evaluating lithography process, method for evaluating exposure tools, method for generating corrected mask pattern, and method for manufacturing semiconductor device |
| US7725872B2 (en) | 2002-07-26 | 2010-05-25 | Asml Masktools, B.V. | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
| US7824826B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-11-02 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| CN102483568A (zh) * | 2009-06-25 | 2012-05-30 | Lg伊诺特有限公司 | 半色调掩膜的制造方法 |
| JP2019091065A (ja) * | 2014-09-30 | 2019-06-13 | エイブリック株式会社 | 投影露光方法 |
| CN114488723A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-05-13 | 深圳市龙图光电有限公司 | 半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000031943A patent/JP2001222097A/ja not_active Withdrawn
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027403A1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-04-04 | The Regents Of The University Of California | Method of compensating flare-induced cd changes |
| US7473497B2 (en) | 2001-03-20 | 2009-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6893779B2 (en) * | 2001-03-20 | 2005-05-17 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP4558770B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2010-10-06 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． | マスクパターン形成方法及び装置、並びに、コンピュータ・プログラム |
| JP2007323091A (ja) * | 2002-03-25 | 2007-12-13 | Asml Masktools Bv | マスクパターン形成方法及び装置、並びに、コンピュータ・プログラム |
| SG144749A1 (en) * | 2002-03-25 | 2008-08-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography |
| US7549140B2 (en) | 2002-03-25 | 2009-06-16 | Asml Masktools B. V. | Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography |
| US7725872B2 (en) | 2002-07-26 | 2010-05-25 | Asml Masktools, B.V. | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
| CN1324400C (zh) * | 2003-02-18 | 2007-07-04 | 株式会社瑞萨科技 | 相移掩模、及使用它的图形形成方法和电子器件制造方法 |
| US7097945B2 (en) * | 2003-04-18 | 2006-08-29 | Macronix International Co., Ltd. | Method of reducing critical dimension bias of dense pattern and isolation pattern |
| WO2004107047A1 (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Fujitsu Limited | ローカルフレア補正 |
| US7604912B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-10-20 | Fujitsu Microelectronics Limited | Local flare correction |
| CN1720483B (zh) * | 2003-05-30 | 2010-05-12 | 富士通微电子株式会社 | 局部眩光校正 |
| US7186481B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-03-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Flare measuring mask and flare measuring method of semiconductor aligner |
| US7691542B2 (en) | 2004-01-16 | 2010-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure system, test mask for flare testing, method for evaluating lithography process, method for evaluating exposure tools, method for generating corrected mask pattern, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007524255A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-08-23 | メンター グラフィックス コーポレーション | 集積回路のレイアウト設計におけるロングレンジ補正 |
| JP2012089892A (ja) * | 2004-02-25 | 2012-05-10 | Mentor Graphics Corp | 集積回路のレイアウト設計におけるロングレンジ補正 |
| US7824826B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-11-02 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| US7981576B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-07-19 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| US8632930B2 (en) | 2006-04-06 | 2014-01-21 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| JP2009151030A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | フォトマスク、フォトマスクの線幅補正方法、線幅補正装置及びそれを用いた電子デバイス |
| CN102483568A (zh) * | 2009-06-25 | 2012-05-30 | Lg伊诺特有限公司 | 半色调掩膜的制造方法 |
| JP2012531620A (ja) * | 2009-06-25 | 2012-12-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | ハーフトーンマスクの製造方法 |
| JP2019091065A (ja) * | 2014-09-30 | 2019-06-13 | エイブリック株式会社 | 投影露光方法 |
| CN114488723A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-05-13 | 深圳市龙图光电有限公司 | 半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质 |
| CN114488723B (zh) * | 2022-04-02 | 2022-07-01 | 深圳市龙图光电有限公司 | 半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7790337B2 (en) | Photomask, pattern formation method using the same and mask data creation method | |
| JP3197484B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2004069841A (ja) | マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| JPH10133356A (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| US6605411B2 (en) | Method for formation of semiconductor device pattern, method for designing photo mask pattern, photo mask and process for photo mask | |
| US20070238032A1 (en) | Half-tone type phase-shifting mask and method for manufacturing the same | |
| JP2001222097A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH06266095A (ja) | レティクル及びレティクル・ブランク | |
| KR20020078882A (ko) | 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법 | |
| US8715893B2 (en) | Masks for use in lithography including image reversal assist features, lithography systems including such masks, and methods of forming such masks | |
| JP2877200B2 (ja) | 露光用フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH10123692A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH11143047A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2004251969A (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 | |
| JP2001296647A (ja) | フォトマスクおよびこれを用いた露光方法 | |
| KR100732749B1 (ko) | 미세 패턴 형성용 마스크 | |
| JP2001296646A (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置 | |
| US7887979B2 (en) | Method for fabricating rim type photomask | |
| JP2003209048A (ja) | パターン形成方法 | |
| US9128383B2 (en) | Sub-resolution assist devices and methods | |
| JPH1083062A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2005025230A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP3178391B2 (ja) | フォトマスクの設計方法 | |
| JPH09288346A (ja) | フォトマスク | |
| JPH10115932A (ja) | 位相シフトマスクを用いた露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |