KR970048926A - 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
위상과 투과율을 조절할 수 있는 보조패턴을 갖는 마스크 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 투명한 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상에 투광 영역을 한정하기 위한 차량용 고립 패턴과, 상기 고립 패턴의 주위에 마스크 패턴의 전사시 투과율 및 위상을 조절할 수 있도록 보조패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다. 본 발명에 의하면, 위상과 투과율을 조절할 수 있는 보조패턴을 이용함으로써 초점심도가 개선됨 마스크를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따라 투과율과 위상을 조절할 수 있는 보조패턴을 갖는 마스크의 레이아웃도.
Claims (2)
- 투명한 마스크 기판; 상기 마스크 기판 상에 투광 영역을 한정하기 위한 차량용 고립 패턴; 및 상기 고립 패턴의 주위에 마스크 패턴의 전사시 투과율 및 위상을 조절할 수 있도록 보조패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 마스크 기판 상에 제1크롬막 및 제1포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트막을 패터닝하여 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제1크롬막을 식각하여 제1크롬막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 제1크롬막 패턴이 형성된 기판의 전면에 제2포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트막을 패터닝하여 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트 패턴이 형성된 상기 마스크 기판의 전면에 제2크롬막 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하여 제2크롬막 패턴으로 구성된 투과율 조절막 패턴을 형성하는 단계; 상기 투과율 조절막 패턴상에 제3포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 마스크 기판을 뒤집은 상기 마스 크 기판의 이면 상에 제3크롬막 및 제4포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 제4포토레지스트막을 패터닝하여제4포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제4포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제3크롬막 및 마스크 기판을 식각하여 제3크롬막 패턴과 위상을 조절할 수 있는 트랜치를 형성하는 단계; 및 상기 제4포토레지스트 패턴, 제3크롬막 패턴 및 제3포토레지스트막을 제거하는 간계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057030A KR970048926A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057030A KR970048926A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048926A true KR970048926A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057030A KR970048926A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048926A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893779B2 (en) | 2001-03-20 | 2005-05-17 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057030A patent/KR970048926A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893779B2 (en) | 2001-03-20 | 2005-05-17 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7473497B2 (en) | 2001-03-20 | 2009-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same |
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