KR950025479A - 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본발명은 하프톤형 위상반전마스크의 제조방법애 관한것으로서, 투명기판의 노광영역으로 예정된 부분에 광의 위상을 반전시킬 정도의 깊이로 홈을 형성한 후, 감광막으로 상기 홈을 메꾼 다음 저표면에 광투과막을 도포하고, 상기 감광막과 그 상부의 광투과막을 리프트 오프방법으로 제거하여 노광영역에 형성되어 있는 홈과 표면에 형성되어 있는 광투과막패턴을 구비하는 하프톤형 위상반전마스크를 형성하였으므로, DUV영역에서의 노광공정 시에도 투과율이 저하되지 않아 반도체 소자의 고집적화가 유리하고, 광투과막의 제작업이 용이하여 공정수율을 향상시킬 수 있으며, 상기 광투과막을 적층 구조로 형성하여 투과율의 조절이 용이하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 하프톤형 위상반전마스크의 단면도.
제2도는 (A)-(F)는 본 발명에 따른 하프톤형 위상반전마스크의 제조 공정도.
Claims (3)
- 투명기판에서 노광영역으로 예정된 부분을 광의 위상을 반전시킬 정도의 깊이로 제거하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 홈을 메우는 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 광투과막을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 그상측의 광투과막을 제거하는 공정을 구비하는 하프톤형 위상반전마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 광투과막을 산화크롬 단일층이나, 산화크롬 및 크롬층의 단일 또는 반복적층 구조로 형성하는 것을 특징으로하는 하프톤형 위상뱐전마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈을 형성한 후, 상기 투명기판의 표면 손상을 보상하기 위한 산화막을 형성하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로하는 하프톤형 위상반전마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940001944A KR0126650B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 |
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KR1019940001944A KR0126650B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 |
Publications (2)
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KR950025479A true KR950025479A (ko) | 1995-09-15 |
KR0126650B1 KR0126650B1 (ko) | 1997-12-26 |
Family
ID=19376692
Family Applications (1)
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KR1019940001944A KR0126650B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 |
Country Status (1)
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1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001944A patent/KR0126650B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR0126650B1 (ko) | 1997-12-26 |
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