KR930001346A - 광조사로 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법 - Google Patents

광조사로 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

광조사로 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제조 공정의 제1스텝을 표시하는 도면.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제조 공정의 제2스텝을 표시하는 도면.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제조 공정의 제3스텝을 표시하는 도면.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 제조 공정의 제1스텝을 표시하는 도면.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 의한 제조 공정의 제2스텝을 표시하는 도면.
제6도는 본 발명의 제2실시예에 의한 제조 공정의 제3스텝을 표시하는 도면.
제7도는 본 발명의 제3실시예에 의한 제조 공정의 제1스텝을 표시하는 도면.
제8도는 본 발명의 제3실시예에 의한 제조 공정의 제2스텝을 표시하는 도면.
제9도는 본 발명의 제3실시예에 의한 제조 공정의 제3스텝을 표시하는 도면.
제10도는 본 발명의 제4실시예에 의한 제조 공정의 제1스텝을 표시하는 도면.
제11도는 본 발명의 제4실시예에 의한 제조 공정의 제2스텝을 표시하는 도면.
제12도는 본 발명의 제4실시예에 의한 제조 공정의 제3스텝을 표시하는 도면.
제13도는 본 발명의 제4실시예에 의한 제조 공정의 제4스텝을 표시하는 도면.
제14도는 본 발명의 제5실시예에 의한 제조 공정의 제1스텝을 표시하는 도면.
제15도는 본 발명의 제5실시예에 의한 제조 공정의 제2스텝을 표시하는 도면.
제16도는 본 발명의 제5실시예에 의한 제조 공정의 제3스텝을 표시하는 도면.
제17도는 본 발명의 제5실시예에 의한 제조 공정의 제4스텝을 표시하는 도면.
제18도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제2스텝에서 얻은 위상 시프팅 효과를 설명하는 도면.
제19도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제18도에 표시된-평면상에서 광의 위상을 설명하는 도면.
제20도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제18도에 표시된-평면상에서 광의 휘도를 설명하는 도면.
제21도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제18도에 표시된-평면상에서 광의 이상위상을 설명하는 도면.
제22도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제18도에 표시된-평면상에서 광의 실제위상을 설명하는 도면.
제23도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제18도에 표시된-평면과 에지트상에서 광의 강도를 설명하는 도면.
제24도는 선행기술에 의한 위상 시프팅 마스크의 구성을 표시하는 도면.
제25도는 선행기술에 의한 다른 위상 시프팅 마스크의 구성을 표시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
n : 굴절율: 조사파장
S : 스페이지차 E : 에지부분
L : 에지의 저영역 Ts : 높이
W : 폭

Claims (8)

  1. 반도체 기판상에 레지스트층을 형성하고, 그 레지스트층의 표면위 또는 그 자체 레지스트층의 상부분에 조사된 광의 위상을 반전하는 위상시프터패턴을 형성하고, 그 위상 시프터 패턴을 포함하는 반도체 기판의 표면을 조사하고, 그리고 위상시프터패턴의 에지의 아래에 미세 마스크 패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 광조사에 의해 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 위상 스프터 패턴은 그의 상부분을 부분적으로 제거함으로서 레지스트층의 상부분에서 형성되는 볼록부분인 광조사에 의해 레지스트마스크패턴을 형성하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 레지스트층의 상부분의 부분적인 제거는 레지스트층 위에 제공되는 마스크를 사용하는 광조사에 의해 인도되는 광조사에 의해 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 위상 시프터 패턴은 조사광에 투명하고 그리고 레지스트층의 표면상에 형성되는 박막 패턴인 광조사에 의해 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 위상 시프터 패턴을 조사광에 투명하고 그리고 그 조사광에 투명한 박막층이 레지스트층의 표면위에 적층된 후 형성되는 박막 패턴인 광조사에 의해 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 레지스트층과 박막 패턴사이에, 조사광에 투명하고 그리고 레지스트층의 현상액에서 용해성있는 중간층이 더욱 형성되는 광조사에 의해 레지스트마스크 패턴을 형성하는 방법.
  7. 제4항에 있어서, 레지스트층은 노브락수지로 만들어지고, 그의 표면은 희석 현상액으로 처리되고 그리고 현상액에 불용성인 막이 레지스트층의 표면상에 형성되고, 그리고 위상 시프터 패턴이 현상액에 불용성인 막상에 형성되는 광조사에 의해 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법.
  8. 제4항에 있어서, 레지스트층은 노브락수지로 만들어지고, 그의 표면은 자외선에 의해 방사되고, 그리고나서 현상액에 불용성인 막이 레지스트층의 표면상에 형성되고, 그리고 위상시프터패턴이 현상액에 불용성인 막상에 형성되는 광조사에 의해 레지스트마스크패턴을 형성하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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