KR930018675A - 위상반전마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR930018675A
KR930018675A KR1019920002810A KR920002810A KR930018675A KR 930018675 A KR930018675 A KR 930018675A KR 1019920002810 A KR1019920002810 A KR 1019920002810A KR 920002810 A KR920002810 A KR 920002810A KR 930018675 A KR930018675 A KR 930018675A
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한우성
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김광호
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B15/00—Fluid-actuated devices for displacing a member from one position to another; Gearing associated therewith
    • F15B15/20—Other details, e.g. assembly with regulating devices
    • F15B15/24—Other details, e.g. assembly with regulating devices for restricting the stroke
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 발명에 의하면, 패턴이 형성된 투명한 마스크기판, 상기 패턴의 주변에 형성된 반투명층 및 상기 반투명층의 주변에 형성된 불투명층으로 구성된 위상 쉬프트 마스크 및 투명한 마스크 기판상에 차광층을 형성하고, 상기 차광층의 일부를 식각하여 소기 마스크패턴을 포함하는 반투명층의 패턴을 형성하고, 상기 반투명층의 내부에 소기 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 마스크 패턴 부위를 식각함을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 마스크에 의하여 콘택홀 형성을 위하여 레지스트패턴을 형성하면 종래의 마스크보다 미세하게 패턴을 형성시킬 수 있다.

Description

위상반전마스크 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3d도는 본 발명의 위상반전마스크 및 이에 의해 형성된 광도 프로필을 나타낸다.
제4a도 내지 제4g도는 본 발명의 마스크의 제조방법의 일예를 나타낸 개략도이다.

Claims (20)

  1. 패턴이 형성된 투명한 마스크기판, 상기 패턴의 주변에 형성된 반투명층 및 상기 반투명층의 주변에 형성된 불투명층으로 구성된 위상 쉬프트 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 석영으로 이루어져 있음을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불투명층이 크롬으로 구성되어 있음을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 패턴이 마스크기판의 식각된 부분임을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반투명층을 상기 불투명층과 동일한 물질로 구성되고, 상기 불투명층의 두께보다 적음을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반투명층의 광투과율은 5~40%임을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반투명층은 상기 불투명층의 패턴 주위부를 식각하며 형성된 것임을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반투명층의 폭이 0.03~5.0㎛임을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  9. 제5항에 있어서, 상기 반투명층의 두께가 200~800Å임을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크.
  10. 투명한 마스크 기판상에 불투명층을 형성하고, 상기 불투명층의 일부를 식각하여 소기 마스크패턴을 포함하는 반투명층의 패턴을 형성하고, 상기 반투명층의 내부에 소기 마스크패턴을 형성한 후 노출된 마스크 패턴부위를 식각함을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 마스크기판이 석영으로 구성되어 있음을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 불투명층이 크롬층임을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 불투명층상에 레지스트를 도포한 후 노광 및 현상하여 레지스트패턴을 형성한 후, 상기 불투명층의 일부를 식각한 후 레지스트를 제거하여 반투명층의 패턴을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 레지스트가 PBS 또는 노블락 디아조 귀논계 레지스트임을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 노광을 전자빔 노광 방법에 의하여 수행함을 특징으로 하는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 반투명층의 패턴을 포함하는 마스크상에 레지스트를 도포한후 노광 및 현상하여 상기 반투명층 패턴의 내부에 마스크 패턴을 형성한후 반투명층 및 마스크기판을 식각한후 레지스트를 제거하여 마스크패턴을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 레지스트가 전자빔 레지스트임을 특징으로 하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 노광을 전자빔 노광 방법에 의하여 수행함을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 따른 마스크를 사용하여 반도체 웨이퍼상에 도포된 레지스트를 노광시켜 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀 패턴을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 콘택홀의 크기가 0.4㎛×0.4㎛임을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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