KR970062807A - 위상반전마스크 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 위상반전마스크 형성방법에 관한 것으로, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하고 상기 차광패턴 사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성한 다음, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 마스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하고 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식방법으로 측면식각하여 반도체기판 상부의 불필요한 패턴 발생을 방지하되, 상기 홈 내부에 남는 투명기판의 잔유물이 60도 이상의 위상반전을 일으키지 못하도록 한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하여 위상반전마스크를 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제2b도는 본 발명의 실시예에 따른 위상반전마스크 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 공지의 기술로 형성된 레벤슨형 위상반전마스크의 위상반전영역에 발생되는 결함을 제거할 수 있는 위상반전마스크 형성방법에 있어서, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하는 공정과, 상기 차광패턴사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 미스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식방법으로 측면식각하여 반도체기판 상부의 불필요한 패턴 발생을 방지하되, 상기 홈 내부에 남는 투명기판의 잔유뮬이 60도 이상의 위상반전을 일으키지 못하도록 하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 위상반전마스크 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각공정은 130 내지 200㎚두께 식각되는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960003544A KR970062807A (ko) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 위상반전마스크 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960003544A KR970062807A (ko) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 위상반전마스크 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970062807A true KR970062807A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66222233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960003544A KR970062807A (ko) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 위상반전마스크 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970062807A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100811252B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 복합 위상반전 마스크 제작방법 |
-
1996
- 1996-02-14 KR KR1019960003544A patent/KR970062807A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100811252B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 복합 위상반전 마스크 제작방법 |
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