KR970022501A - 콘택홀 제조용 위상반전 마스크 - Google Patents

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KR970022501A
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안창남
김영식
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof

Abstract

본 발명은 콘택홀 제조용 위상반전 마스크에 관한 것으로서, 투과된 광이 서로 반전된 상을 갖는 제1 및 제2위상반전막을 이용하여, 투명기판에서 콘택과 대응되는 부분에는 사각형상의 제1 및 제2위상반전막 패턴으로 된 노광영역을 형성하고, 콘택홀 사이의 공간과 대응되는 부분에는 제1 및 제2위상반전막 패턴이 내측/외측박스를 구성하는 이중박스형상의 광차단영역을 형성하되, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들 중 어느 패턴도 서로 다른 상의 패턴과 인접하도록 형성하였으므로, 사용되는 노광장치의 광원의 파장과 유사한 크기의 미세 콘택을 형성할 수 있으며, 콘택간의 간격도 감소시킬 수 있어 소자의 고집적화에 유리하고, 콘택 형성 공정마진이 증가되어 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.

Description

콘택홀 제조용 위상반전 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 제조용 위상반전마스크의 평면도.

Claims (8)

  1. 투명기판에서 웨이퍼의 콘택홀과 대응되는 부분에 형성되어 있으며, 투과된 광이 서로 반전된 상을 갖는 제1 및 제2위상반전막 패턴들 중 어느 하나로 형성되어 있는 노광영역들과, 상기 노광영역들 사이의 투명기판 상에 형성되어 있으며, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴이 내측/외측 박스를 구성하는 이중박스형상의 광차단 영역을 구비하되, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들 중 어느 패턴도 서로 다른 상의 패턴과 인접하도록 형성되는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광영역의 크기가 사용되는 광원의 파장 보다 크게 형성되고, 광차단영역의 작은 박스의 크기 및 작은 박스와 큰 박스간의 거리가 빛의 파장 보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  3. 제1항에 있어서 상기 콘택홀 제조용 위상반전마스크에 의해 형성되는 콘택홀의 가로 및 세로의 주기가 1㎛ : 0.5㎛이고, i라인 광원일때 작은 박스의 크기를 0.2×0.5μ㎡로 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 제조용 위상반전마스크에 의해 형성되는 콘택홀의 가로 및 세로의 주기가 1.2㎛ : 0.6㎛이고, i라인 광원일때 작은 박스의 크기를 0.3×0.3μ㎡로 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴은 각각 산화막, 질화막 및 SOG로 구성되는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴 중 어느 하나는 투명기판 자체이고 다른 하나의 패턴만 위상이 반전되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴 중 어느 하나를 투과된 광이 위상차가 다른 쪽에 비해 180°가 되는 정도로 투명기판을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
  8. 투명기판에서 웨이퍼의 콘택홀과 대응되는 부분에 형성되어 있으며, 투과된 광이 서로 반전된 상을 갖는 제1 및 제2위상반전막 패턴들 중 어느 하나로 형성되어 있는 노광영역들과, 상기 노광영역들 사이의 투명기판상에 형성되어 있으며, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴이 제1/제2/제3박스를 구성하는 삼중박스 형상의 광차단영역을 구비하되, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들중 어느 패턴도 서로 다른 상의 패턴과 인접하도록 형성되는 콘택홀 제조용 위상반전마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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