KR970028801A - 포토마스크 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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여기성
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김광호
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 커패시턴스 값을 증가시킬 수 있는 구조를 갖는 커패시터를 구현하기 위한 포토마스크의 제조 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 포토마스크 기판상에 투광되는 빛을 차단하는 역할을 하는 크롬(이하 'Cr'이라 칭함)막 및 제1포토레지스트를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트를 노광시켜 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트의 패턴을 사용하여 상기 Cr막을 식각하는 공정과; 상기 제1포토레지스트를 제거하고, 상기 Cr막 및 상기 기판의 노출된 부위에 제2포토레지스트를 도포하고 노광시켜 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트의 패턴을 이용하여 상기 기판을 소정의 두께로 식각하는 공정과; 상기 제2포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하고 있다. 이 구조에 의해 반도체 장치의 커패시터의 커패시턴스 값을 높이기 위하여 커패시터를 수직적인 구조로 변화시켜 표면적을 늘린 종래 제조 방법이 갖는 공정의 번거로움과 후속막 증착등의 어려움을 해결할 수 있다.

Description

포토마스크 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3d도는 본 발명의 여러 실시예에 따른 포토마스크의 구조를 보여주는 평면도.

Claims (5)

  1. 투광되는 빛의 위상을 그대로 투과시키는 적어도 하나 이상의 포토마스크 기판의 영역(30a) 및 투광되는 빛의 위상을 180°반전시켜 투과시키는 적어도 하나 이상의 위상반전영역(40a), 그리고 투광되는 빛을 차단하는 적어도 하나 이상의 Cr막(32a)으로 형성되어서, 반도체 메모리장치의 커패시터의 하부전극을 제조하는데 적합한 포토마스크.
  2. 투광되는 빛의 위상을 그대로 투과시키는 하나의 포토마스크 기판 영역(30a)과 상기 포토마스크 기판영역(30a)의 양쪽으로 투광되는 빛의 위상을 180°반전시켜 투과시키는 두개의 위상반전영역(40a)이 형성되고, 상기 포토마스크 기판 영역(30a)과 상기 위상반전영역(40a)을 둘러싸고 투광되는 빛을 차단하는 Cr막(32a)이 형성되어서, 반도체 메모리장치의 커패시터의 하부전극을 제조하는데 적합한 포토마스크.
  3. 투광되는 빛의 위상을 그대로 투과시키는 두개의 포토마스크 기판의 영역(30a)과 상기 포토마스크 기판 영역(30a)의 가운데에 투광되는 빛의 위상을 180°반전시켜 투과시키는 두개의 위상반전영역(40a)이 형성되고, 상기 포토마스크 기판 영역(30a)과 상기 위상반전영역(40a)을 둘러싸고 투광되는 빛을 차단하는 Cr막(32a)이 형성되어서, 반도체 메모리장치의 커패시터의 하부전극을 제조하는데 적합한 포토마스크.
  4. 투광되는 빛의 위상을 그대로 투과시키는 두개의 포토마스크 기판의 영역(30a)과 투과되는 빛의 위상을 180°반전시켜 투과시키는 두개의 위상반전영역(40a)이 포토마스크 기판 영역(30a), 위상반전영역(40a), 포토마스크 기판 영역(30a), 위상반전영역(40a) 또는, 위상반전영역(40a), 포토마스크 기판 영역(30a), 위상반전영역(40a), 포토마스크 기판 영역(30a)으로 순차 형성되고, 상기 포토마스크 기판 영역(30a)과 상기 위상반전영역(40a)을 둘러싸고 투광되는 빛을 차단하는 Cr막(32a)이 형성되어서, 반도체 메모리장치의 커패시터의 하부전극을 제조하는데 적합한 포토마스크.
  5. 포토마스크 기판(30)상에 투광되는 빛을 차단하는 역할을 맡는 Cr막(32) 및 제1포토레지스트(34)를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트(34)를 패터닝하는 공정과; 상기 제1포토레지스트(34) 패턴을 이용하여 상기 Cr막(32)을 식각하는 공정과; 상기 제1포토레지스트(34)를 제거하고, 상기 포토마스크 기판(30)전면에 제2포토레지스트(36)를 도포하는 공정과; 상기 제2포토레지스트(36)를 상기 포토마스크 기판(30)의 위상반전영역(40)으로 형성될 부분으로 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 제2포토레지스트(36) 패턴을 마스크로 사용하여 상기 포토마스크 기판(30)의 일부분을 소정의 두께로 식각하여 위상반전영역(40)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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