KR950001914A - 반도체 소자의 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼에 미세패턴을 형성하기 위한 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 있어서, 최소 설계롤을 갖는 셀 지역을 웨이퍼에 패턴닝하기 위해 소정의 형태를 갖는 위상반전 제1마스크를 사용하여 1차 노광하는 단계, 주변회로 지역 및 상기 셀과 주변회로 지역을 연결하는 연결지역을 상기 웨이퍼에 패턴닝하기 위해 소정의 형태를 갖는 제2마스크를 사용하여 2차 노광하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 0.3㎛이하의 설계롤을 갖는 절연막, 폴리 라인, 폴리 캐패시터, 접촉창, 금속선을 제조하는 공정에 적용하므로써 반도체 소자의 고집적화와 소자개발을 앞당길 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 마스크 구성도, 제2도는 본 발명에 따른 이중 마스크 구성도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 있어서, 최소 설계룰을 갖는 셀 지역(1)을 먼저 웨이퍼에 패턴닝(patterning)하기 위해 소정의 형태를 갖는 위상반전 제1마스크를 사용하여 1차 노광하는 단계, 주변회로 지역(2) 및 상기 셀(1)과 주변회로 지역(2)을 연결하는 연결지역(3)을 상기 웨이퍼에 패턴닝하기 위해 소정의 형태를 갖는 제2마스크를 사용하여 2차 노광하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 노광공정은 네가티브 공정, 2차 노광공정은 포지티브공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930010713A KR950001914A (ko) | 1993-06-12 | 1993-06-12 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930010713A KR950001914A (ko) | 1993-06-12 | 1993-06-12 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950001914A true KR950001914A (ko) | 1995-01-04 |
Family
ID=67134511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930010713A KR950001914A (ko) | 1993-06-12 | 1993-06-12 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950001914A (ko) |
-
1993
- 1993-06-12 KR KR1019930010713A patent/KR950001914A/ko not_active Application Discontinuation
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