KR970018233A - 반도체소자의 워드선 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 워드선 제조방법 Download PDFInfo
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- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/488—Word lines
Abstract
본 발명은 반도체소자의 워드선 제조방법에 관한 것으로, T자 형상의 활성영역을 갖는 비대칭 메모리 단위 셀 구조에서 소자분리 산화막의 경계 부분에서의 난반사에 의한 워드선의 왜곡 정도를 보상해주는 방법으로서, 난반사로 변형되는 정도 거리를 양쪽 워드선을 상·하로 이동시켜 워드선의 중심점을 콘택의 중심점과 일치되도록 하였으므로 워드선 형성이 용이하고, 주변의 기타 층들과의 공정마진 여유도가 증가되어 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 반도체소자의 설계 레이아웃도,
제5도는 제4도의 레이아웃에 따른 반도체소자의 워드선 제조방법을 설명하기 위한 개략도.
Claims (3)
- 반도체기판상에 T자 형상의 활성영역을 정의하는 소자분리 산화막을 형성하는 공정과, 상기 활성영역상에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 워드선이 되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층상에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 활성영역의 양측을 지나고, 활성영역의 돌출부에 대하여 좌우대칭의 굴곡부를 갖는 워드선을 형성하기 위하여 상기 도전층에서 워드선으로 예정되어 있는 부분과 대응되는 부분에 광차단막 패턴이 형성되어 있는 노광마스크를 사용하여 상기 감광막을 선택 노광하되, 상기 광차단막 패턴이 형성하고자 하는 워드선에 대하여 활성영역을 중심으로 나칭을 유발시키는 돌출된 활성영역쪽의 경사진 소자분리 산화막쪽으로 소정거리만큼 이동되어 형성되어 있는 노광마스크를 사용하는 공정과, 상기 감광막을 현상하여 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로 도전층을 식각하여 상기 활성영역의 돌출 부분에 대하여 대칭되게 형성되는 워드선을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 워드선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 워드선의 이동 정도를 디자인 룰의 10% 이하의 크기만큼 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 워드선 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 워드선을 0.01∼1㎛ 이동시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 워드선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
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| JP8246675A JP2850879B2 (ja) | 1995-09-18 | 1996-09-18 | 半導体素子のワード線製造方法 |
| US08/715,631 US5834161A (en) | 1995-09-18 | 1996-09-18 | Method for fabricating word lines of a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030480A KR100209363B1 (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체소자의 워드선 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018233A true KR970018233A (ko) | 1997-04-30 |
| KR100209363B1 KR100209363B1 (ko) | 1999-07-15 |
Family
ID=19427106
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950030480A KR100209363B1 (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체소자의 워드선 제조방법 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431323B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 |
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1995
- 1995-09-18 KR KR1019950030480A patent/KR100209363B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100209363B1 (ko) | 1999-07-15 |
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