KR100431323B1 - 노광 마스크 - Google Patents

노광 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR100431323B1
KR100431323B1 KR1019970057545A KR19970057545A KR100431323B1 KR 100431323 B1 KR100431323 B1 KR 100431323B1 KR 1019970057545 A KR1019970057545 A KR 1019970057545A KR 19970057545 A KR19970057545 A KR 19970057545A KR 100431323 B1 KR100431323 B1 KR 100431323B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
storage node
width
node contact
contact part
active region
Prior art date
Application number
KR1019970057545A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990037982A (ko
Inventor
유병화
김홍선
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1019970057545A priority Critical patent/KR100431323B1/ko
Publication of KR19990037982A publication Critical patent/KR19990037982A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100431323B1 publication Critical patent/KR100431323B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 노광 마스크에 관한 것으로서 스토리지 노드 접촉부와 비트라인 접촉부와 채널영역을 갖는 사선 형상의 노광 마스크와 필드영역을 포함하는 노광 마스크에 있어서, 상기 스토리지 노드 접촉부의 폭(a)이 상기 비트라인 접촉부의 폭(b) 보다 1.05∼1.4배 크고 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 스토리지 노드 접촉부(15) 사이의 폭(c) 보다 1.15∼2.5배 크게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 비트라인 접촉부 사이의 폭(d)이 상기 폭(c) 보다 0.85∼1.0배 작게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부의 길이(e)는 상기 폭(a)과 상기 폭(c)을 합한 크기 보다 1.05∼1.2배 크게 형성된다. 따라서, 노광 마스크에 사선 형상의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부를 반도체기판 상에 형성되는 사선 형상의 소자의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부 보다 크게 형성하므로 버즈 빅에 의한 크기의 감소를 보상할 수 있어 크기가 감소되는 것을 방지할 수 있다.

Description

노광 마스크
본 발명은 노광 마스크에 관한 것으로서, 특히, 사선(Diagonal) 형상의 활성영역을 한정하는 노광 마스크에 관한 것이다.
반도체장치의 고집적화에 따라 셀(cell) 면적이 축소되어도 커패시터가 일정한 축전 용량을 갖도록 하기 위해 소자가 형성될 활성영역을 사선(Diagonal) 형상으로 형성하는 방법이 사용되고 있다.
사선 형상을 갖는 활성영역은 양측 끝 부분이 커패시터의 스토리지전극과 접촉되는 스토리지 노드 접촉부(storage node contact)이고, 중간 부분이 비트라인과 접촉되는 비트라인 접촉부(bit line contact)가 된다. 그리고, 스토리지 노드 접촉부와 비트라인 접촉부 사이는 워드라인이 형성되어 채널영역이 형성될 부분이다.
활성영역은 필드영역에 필드산화막을 형성하는 것에 의해 한정된다. 필드산화막은 질화막을 마스크로 사용하여 반도체기판의 필드영역을 열산화하는 통상의 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 등의 방법에 의해 형성한다. 상기에서 반도체기판의 필드영역을 열산화할 때 이 반도체기판의 필드영역만 산화되는 것이 아니라 산소가 수평 확산되어 마스크로 사용되는 질화막의 하부도 산화된다. 질화막 하부의 산화되는 정도는 크지 않으며 새부리 형상으로 산화되며 이 산화된 부분을 버즈 빅(bird's beak)이라 한다.
그러나, 버즈 빅도 필드산화막의 일부분으로 활성영역의 크기를 감소시킨다. 특히, 산화시 모퉁이(corner) 부분이 빠르게 산화되는 현상에 의해 사선 형상의 스토리지 노드 접촉부는 비트라인 접촉부과 채널영역이 형성될 부분 보다 크기의 감소 폭이 더 크다.
상술한 바와 같이 스토리지 노드 접촉부의 크기가 감소되면 스토리지 노드 접촉부와 커패시터의 스토리지전극의 접촉 저항이 증가되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체기판 상에 사선 형상의 소자의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부를 적정한 크기로 형성할 수 있는 노광 마스크를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치는 스토리지 노드 접촉부와 비트라인 접촉부와 채널영역을 갖는 사선 형상의 노광 마스크와 필드영역을 포함하는 노광 마스크에 있어서, 상기 스토리지 노드 접촉부의 폭(a)이 상기 비트라인 접촉부의 폭(b) 보다 1.05∼1.4배 크고 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 스토리지 노드 접촉부(15) 사이의 폭(c) 보다 1.15∼2.5배 크게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 비트라인 접촉부 사이의 폭(d)이 상기 폭(c) 보다 0.85∼1.0배 작게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부의 길이(e)는 상기 폭(a)과 상기 폭(c)을 합한 크기 보다 1.05∼1.2배 크게 형성된다.
도면은 본 발명에 따른 노광 마스크의 평면도
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도면은 본 발명에 따른 노광 마스크의 평면도이다.
본 발명에 따른 노광 마스크(10)는 사선 형상의 활성영역(11)과 필드영역(13)으로 이루어진다.
상기 활성영역(11)은 커패시터의 스토리지전극과 접촉될 스토리지 노드 접촉부(15), 비트라인과 접촉될 비트라인 접촉부(17), 워드라인이 형성될 채널영역(19)으로 구분된다.
스토리지 노드 접촉부(15)는 활성영역(11)의 양측 끝 부분에 위치되고, 비트라인 접촉부(17)는 중간 부분에 위치되고, 채널영역(19)은 스토리지 노드 접촉부(15)와 비트라인 접촉부(17)에 위치된다.
상술한 구성을 갖는 마스크(10)를 사용하여 반도체기판에 소자의 활성영역과 필드영역을 한정하는 것을 설명한다.
반도체기판(도시되지 않음) 상에 패드산화막(도시되지 않음)과 질화막(도시되지 않음)을 증착한 후 감광막(도시되지 않음)을 도포한다. 그리고, 마스크(10)을 사용하여 감광막을 노광하고 현상한다. 잔류하는 감광막을 마스크로 사용하여 질화막을 식각한 후 감광막을 제거한다.
잔류하는 질화막을 마스크로 사용하여 반도체기판의 노출된 부분을 열산화하여 소자의 활성영역을 한정하는 필드산화막을 형성한다. 이 때, 산소가 수평 확산되어 반도체기판은 마스크로 사용되는 질화막의 하부도 산화되어 버즈 빅이 형성된다.
이러한 버즈 빅은 소자의 활성영역의 크기를 감소시키는 데, 특히, 스토리지 노드 접촉부의 모퉁이 부분은 비트라인 접촉부 및 채널영역 보다 빠르게 산화된다. 스토리지 노드 접촉부의 크기가 감소되면 스토리지 노드 접촉부와 커패시터의 스토리지전극의 접촉 저항이 증가된다.
스토리지 노드 접촉부와 커패시터의 스토리지전극의 접촉 저항이 증가되는 것을 방지하여 스토리지 노드 접촉부의 크기가 감소되지 않도록 하여야 하는 데, 본 발명에 따른 마스크(10)는 활성영역(11)을 반도체기판에 형성될 소자의 활성영역 보다 크게 형성하여 버즈 빅에 의한 소자의 활성영역의 감소를 보상한다. 특히, 소자의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부는 다른 부분 보다 산화 속도가 더 빨라 크기 감소가 더 크므로 마스크(10)의 활성영역(11) 내의 스토리지 노드 접촉부(15)를 비트라인 접촉부(17) 보다 더 크게 형성하여야 한다.
즉, 마스크(10)의 활성영역(11) 내의 스토리지 노드 접촉부(15)의 폭(a)은 비트라인 접촉부(17)의 폭(b) 보다 1.05∼1.4배 정도 크고, 스토리지 노드 접촉부(15)와 인접하는 활성영역(11) 내의 스토리지 노드 접촉부(15) 사이의 폭(c) 보다 1.15∼2.5배 정도 크게 형성한다. 이는 활성영역(11) 내의 스토리지 노드 접촉부(15)는 비트라인 접촉부(17) 보다 산화 속도가 빠르기 때문이다. 또한, 스토리지 노드 접촉부(15)와 인접하는 활성영역(11) 내의 스토리지 노드 접촉부(15) 사이는 양측에 버즈 빅이 형성되므로 폭(c)이 비트라인 접촉부(17)의 폭(b) 보다 작게 형성되어야 한다.
그리고, 스토리지 노드 접촉부(15)와 인접하는 활성영역(11) 내의 비트라인 접촉부(17) 사이도 양측에 버즈 빅이 형성되나 인접하는 활성영역(11) 내의 비트라인 접촉부(17) 쪽이 스토리지 노드 접촉부(15) 보다 작은 크기의 버즈 빅이 형성된다. 그러므로, 스토리지 노드 접촉부(15)와 인접하는 활성영역(11) 내의 비트라인 접촉부(17) 사이의 폭(d)는 폭(c) 보다 작게, 예를 들면, 0.85∼1.0배 정도로 형성한다.
또한, 스토리지 노드 접촉부(15)의 길이(e)는 버즈 빅이 형성되어 크기가 감소되어도 소정 크기를 유지하기 위해 폭(a)과 폭(c)을 합한 크기 보다 크게, 예를 들면, 1.05∼1.2배 정도의 크기로 형성한다.
따라서, 본 발명은 노광 마스크에 사선 형상의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부를 반도체기판 상에 형성되는 사선 형상의 소자의 활성영역의 스토리지 노드 접촉부 보다 크게 형성하므로 버즈 빅에 의한 크기의 감소를 보상할 수 있어 크기가 감소되는 것을 방지할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (1)

  1. 스토리지 노드 접촉부와 비트라인 접촉부와 채널영역을 갖는 사선 형상의 노광 마스크와 필드영역을 포함하는 노광 마스크에 있어서,
    상기 스토리지 노드 접촉부의 폭(a)이 상기 비트라인 접촉부의 폭(b) 보다 1.05∼1.4배 크고 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 스토리지 노드 접촉부(15) 사이의 폭(c) 보다 1.15∼2.5배 크게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부와 인접하는 활성영역 내의 비트라인 접촉부 사이의 폭(d)이 상기 폭(c) 보다 0.85∼1.0배 작게 형성되고, 상기 스토리지 노드 접촉부의 길이(e)는 상기 폭(a)과 상기 폭(c)을 합한 크기 보다 1.05∼1.2배 크게 형성된 노광 마스크.
KR1019970057545A 1997-11-01 1997-11-01 노광 마스크 KR100431323B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970057545A KR100431323B1 (ko) 1997-11-01 1997-11-01 노광 마스크

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970057545A KR100431323B1 (ko) 1997-11-01 1997-11-01 노광 마스크

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990037982A KR19990037982A (ko) 1999-06-05
KR100431323B1 true KR100431323B1 (ko) 2004-06-16

Family

ID=37335385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970057545A KR100431323B1 (ko) 1997-11-01 1997-11-01 노광 마스크

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100431323B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102049444B1 (ko) 2013-05-10 2019-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 유기 발광 표시 장치 제조용 포토 마스크

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065811A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Sharp Corp 半導体装置
KR0135695B1 (ko) * 1994-07-18 1998-04-22 김주용 반도체소자
KR0169598B1 (ko) * 1995-10-25 1999-01-15 김주용 반도체 소자의 워드선 제조방법
KR100195837B1 (ko) * 1995-10-23 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 미세콘택 형성방법
KR100209363B1 (ko) * 1995-09-18 1999-07-15 김영환 반도체소자의 워드선 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065811A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Sharp Corp 半導体装置
KR0135695B1 (ko) * 1994-07-18 1998-04-22 김주용 반도체소자
KR100209363B1 (ko) * 1995-09-18 1999-07-15 김영환 반도체소자의 워드선 제조방법
KR100195837B1 (ko) * 1995-10-23 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 미세콘택 형성방법
KR0169598B1 (ko) * 1995-10-25 1999-01-15 김주용 반도체 소자의 워드선 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990037982A (ko) 1999-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100431323B1 (ko) 노광 마스크
KR0179291B1 (ko) 반도체 소자의 격리막 형성방법
KR100242391B1 (ko) 감광마스크 제작방법
KR100230811B1 (ko) 반도체 메모리 소자 및 제조 방법
KR100256227B1 (ko) 셀 비율이 향상된 에스램 셀 제조방법
KR20000074511A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR0172552B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR100306901B1 (ko) 반도체장치의접촉영역형성방법
KR100541808B1 (ko) 반도체소자 제조방법
KR100339500B1 (ko) 반도체 소자 및 그의 제조 방법
KR100219069B1 (ko) 반도체장치 제조방법
KR940000312B1 (ko) 고부하 저항체를 갖는 sram 및 그 제조방법
KR0122089B1 (ko) 독출전용 반도체 메모리장치의 활성영역 배치방법 및 그 구조
JPH04247663A (ja) 電界効果素子およびその製造方法
KR100419749B1 (ko) 반도체소자의제조방법
KR100214174B1 (ko) 3중 웰을 갖는 반도체 장치의 제조방법
KR100422960B1 (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR100192432B1 (ko) 반도체 소자 제조방법
KR19990002976A (ko) 버티드 콘택 형성방법
KR20000004223A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법
KR19990003565A (ko) 반도체 소자의 필드옥사이드 형성방법
JPH01283854A (ja) 半導体装置の製造方法
KR970063740A (ko) 반도체소자 및 제조방법
JPH07235669A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20000002938A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110325

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee