KR890011047A - 차광성 박막의 에칭방법 - Google Patents

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KR890011047A
KR890011047A KR1019880017799A KR880017799A KR890011047A KR 890011047 A KR890011047 A KR 890011047A KR 1019880017799 A KR1019880017799 A KR 1019880017799A KR 880017799 A KR880017799 A KR 880017799A KR 890011047 A KR890011047 A KR 890011047A
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etching
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노보루 모다이
가쯔오 시라이
야에꼬 스즈끼
요시히사 사기하라
가즈노리 사이또오
게이꼬 시브끼
사까에 다나까
요시아끼 와다나베
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요꼬야마 유우이찌
가부시끼가이샤 세이꼬오샤
이노우에 아쯔시
닛뽄프레시죤사-킷쯔가부시끼가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Abstract

내용 없음

Description

차광성 박막의 에칭방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도, 제2도 및 제3도는 본 발명의 제1, 제2 및 제3의 실시예의 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 투광성 기판상에 형성된 박막성에 포토레지스트를 도포하는 공정과, 이 포토레지스트를 노광한 후 현상하여 소정의 형상을 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 차광성 박막을 에칭하여 포토레지스트 패턴과 정합한 차광성 박막패턴을 형성하는 공정과, 상기 투광성 기판이면으로부터 상기 차광성 박막패턴을 마스크로서 상기 포토레지스트 패턴을 노광한 후 현상하여, 상기 포토레지스트 패턴을 축호한 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 이 축소된 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 차광성 박막 패턴을 에칭하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 차광성 박막의 에칭방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 차광성 박막이 금속박막인 것을 특징으로 하는 차광성 박막의 에칭방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 차광성 박막이 금속박막이 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 차광성 박막의 에칭방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 반도체 박막이 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 차광성 박막의 에칭방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880017799A 1987-12-29 1988-12-29 차광성 박막의 에칭방법. KR920005635B1 (ko)

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