KR890008874A - 리니어 ic 제조공정을 이용한 mos형 콘덴서 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 a-i는 본 발명 방법에 의한 공정 단계별 공정도.
Claims (1)
- 실리콘 기판위에 산화층을 형성한 후 그위에 감광층을 도포한 다음 소정패턴으로 감광층을 노광처리하여 현상해서 산화층을 노출시키고, 산화층을 에칭하여 실리콘 기판을 노출한 후 감광층을 제거하며, 노출된 실리콘 기판에 n+불순물을 확산하여 에미터 영역을 형성함과 동시에 에미터 영역위에 산화실리콘층을 형성하는 리니어 IC 제조방법에 있어서, 산화실리콘층(2')위에 감광층(5)을 도포하여 마스크로 콘덴서 패턴을 노광한 후 현상하고 노출된 산화층(2')을 에칭하되 원하는 두께의 산화층(2')을 남긴 다음 그위에 금속층(6)을 증착하여 전극을 형성하는 단계를 포함하여 된 리니어 IC 제조공정을 이용한 MOS형 콘덴서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR940000507B1 KR940000507B1 (ko) | 1994-01-21 |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR940000507B1 (ko) |
-
1987
- 1987-11-24 KR KR1019870013247A patent/KR940000507B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000507B1 (ko) | 1994-01-21 |
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