KR970051895A - 포토마스크 및 이를 이용한 커패시터 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 위상반전형 포토마스크를 이용하여 형성된 포토레지스터 패턴을 마스크로 사용하여 반도체 장치의 커패시터의 하부전극을 한번의 포토리소그라피 공정으로 형성할 수 있는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 포토마스크는, 투광되는 빛을 위상의 변화없이 투과시키는 포토마스크 기판과; 상기 포토마스크 기판상에 형성되어 투광되는 빛을 차단하는 Cr막 패턴과; 상기 Cr막 패턴과 수평적으로 나란하게 상기 포토마스크 기판상에 형성되어 있되, 그 측벽이 상기 Cr막 패턴으로 둘러싸여 있는 빛의 위상을 반전시켜 투과시키는 PSM막을 포함하는 구조를 갖고, 이를 이용한 커패시터 형성 방법은, 소자분리 영역에 의해 활성영역과 비활성영역이 정의되어 있되, 그 위에 커패시터의 하부전극이 콘택될 콘택홀을 갖도록 순차적으로 형성된 층간절연막과 고온산화막을 구비한 반도체 기판에 있어서, 상기 콘택홀을 충전하면서 상기 고온산화막상에 커패시터 하부전극용 폴리실리콘막을 형성하는 공정과; 상기 폴리실리콘막상에 포토레지스트를 도포하는 공정과; 상기 포토레지스트를 위상반전형 포토마스크를 이용하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 커패시터 하부전극을 폴리실리콘막을 식각하는 공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해서, 실린더형 구조를 갖는 커패시터의 하부전극을 형성하는 공정을 단순화할 수 있다.

Description

포토마스크 및 이를 이용한 커패시터 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 벌크 이미지를 보여주고 있는 평면도.

Claims (5)

1. 포토마스크에 있어서, 투광되는 빛을 위상의 변화없이 투과시키는 포토마스크 기판(10)과; 상기 포토마스크 기판(10)상에 형성되어 투광되는 빛을 차단하는 Cr막 패턴(12)과; 상기 Cr막 패턴(12)과 수평적으로 나란하게 상기 포토마스크 기판(10)상에 형성되어 있되, 그 측벽이 상기 Cr막 패턴(12)으로 둘러싸여 있는 빛의 위상을 반전시켜 투과시키는 PSM막(14)을 포함하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 PSM(14)을 투과하는 빛의 위상은 상기 포토마스크 기판(10)을 투과하는 빛과 180°의 위상차를 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
3. 제1항에 있어서, 상기 PSM막(14)을 투과하는 빛은 상기 포토마스크 기판(10)을 투과하는 빛의 강도의 약80% 정도의 범위내인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
4. 상술한 바와 같은 포토마스크를 이용한 커패시터 형성 방법에 있어서, 소자분리 영역(102)에 의해 활성영역과 비활성영역이 정의되어 있되, 그 위에 커패시터의 하부전극이 콘택될 콘택홀을 갖도록 순차적으로 형성된 층간절연막(104)과 고온산화막(106)을 구비한 반도체 기판에 있어서, 상기 콘택홀을 충전하면서 상기 고온산화막(106)상에 커패시터 하부전극을 폴리실리콘막(108)을 형성하는 공정과; 상기 폴리실리콘막(108)상에 포토레지스터(110)를 도포하는 공정과; 상기 포토레지스트(110)를 위상바전형 포토마스크(200)을 이용하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(110a)을 마스크로 사용하여 상기 커패시터 하부전극용 폴리실리콘막(108)을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 형성 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 포토레지스터 패턴(110a)과 상기 폴리실리콘막(108)의 식각선택비는 1:1인 것을 특징으로 하는 커패시터 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.