KR950007168A - 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 캐패시터 전극 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 캐패시터 제조방법으로, 먼저 노드전극과 실리콘 기판을 연결하는 콘택홀을 형성시 측벽 스페이서를 성한 후 이를 이용하여 콘택홀을 형성함으로써 콘택홀의 활성영역과의 오버랩 여유를 스페이서 두께의 두배 정도로 크게 하여주고, 노드의 중앙에 콘택홀과 연결된 측벽 스페이서는 터널 구조의 노드 전극 상판을 지지하는 구조물 역할을 하여 이 상판이 붕괴되는 것을 방지하고 동시에 기존의 캐패시터 보다 넓은 유효 면적을 갖게하여 캐패시터의 용량을 증가시키며, 노드 패턴 형성을 위한 포토마스킹 공정을 두 번 실시하게되지만 콘택홀의 폭이 감소하여 미스얼라인(misalign)에 유리하고 평면에서 보면 노드의 넓이가 측벽 스페이서의 두께 만큼 증가하여 공정의 어려움 없이 마스크 크기 보다 노드 면적을 증가하게 하여 캐패시터간의 이격거리를 최소화할 수 있으며, 기존의 방법에 의한 일회의 포토마스크 공정에서 나타나는 코너 효과(corner effect)에 의한 유효 면적의 감소를 방지하여 반도체 소자의 구조적 특성을 월등히 개선할 수 있다.

Description

반도체 장치의 캐패시터 전극 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법.

Claims (2)

  1. 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법에 있어서, 가. 통상적인 방법으로 반도체 등 소자회로를 구성하고, 그 위에 제1절연막(31)을 증착하고 그 위에 제2절연막(32)을 증착하고 다시 그 위에 폴리실리콘막(33)을 형성한 후 그 위에 제3절연막(34)을 증착하고 다시 그 위에 폴리실리콘막(35)을 증착하는 단계와, 나. 상기 폴리실리콘막(35) 위에 포토리지스트를 도포하고 콘택홀 형성용 마스크를 이용한 사진식각공정으로 포토리지스트 패턴을 정의한 후 제2절연막(32)을 식각 방해막으로 이용한 비등방성 식각을 실시하여 영역(a)를 형성한 다음 상기 포토리지스트 패턴을 제거한 후 폴리실리콘을 증착하고 에치백하여 상하 노드 전극 측면 및 노출된 제3절연막(34)측면부위에 측벽 스페이서(37)을 형성하고 이를 이용한 비등방성 식각을 실시하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 다. 전표면에 폴리실리콘박막(38)을 증착하여 그 위에 포토리즈스트를 도포한 다음 Y축 방향으로 노드를 정의하기 위한 포토마스크 공정으로 포토리지스트(36)패턴을 정의하는 단계와, 라. 제2절연막(32)을 식각 방해막으로 이용하여 포토리지스트(36) 패턴으로 보호되지 않은 부분을 비등방성 식각으로 제거하여 일차 노드 패턴을 정의하는 단계와, 마. 상기 포토리지스트(36) 패턴을 제거한 후 전표면에 폴리실리콘을 증착한 후 에치백하여 Y축 방향의 노드 전극 패턴 형성으로 노출된 제3절연막(34)의 측면 부위와 상하 노드전극 측면 부위에 측벽 폴리실리콘 스페이서(39)를 형성하는 단계와, 바. 전면에 포토리지스트를 도포한 다음 X축 방향으로 노드를 정의하기 위한 포토마스크공정으로 포토리지스트(36′)패턴을 정의한 후 포토리지스트(36′) 패턴으로 보호되지 않은 부분에 대하여 제2절연막(32)을 식각 장애막으로 이용한 에치백을 실시하여 이차 노드 패턴을 정의하는 단계와, 사. 전표면에 전세를 실시하고 노출된 제3절연막(34)을 제거한 후 전표면에 유전박막(310)을 증착하고 다시 그 위에 플레이트 전극용의 폴리실리콘(311)을 증착하는 단계로 이루어진 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법.
  2. 반도체 장치의 캐패시터 구조 형태에 있어서, 상측전극과 하측전극이 터널형 전극 구조로 되고 하부전극의 대략 중심에서 하부를 연결하는 기둥을 가진 반도체캐패시터에 있어서, 하부로 연결하는 기둥 위로 상층 전극과 하층 전극을 지지함과 아울러 캐패시터 표면적을 증가시키는 상 하측 전극간 중간 기둥을 가진 것일 특징인 반도체 캐패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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