KR970048956A - 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR970048956A
KR970048956A KR1019950057216A KR19950057216A KR970048956A KR 970048956 A KR970048956 A KR 970048956A KR 1019950057216 A KR1019950057216 A KR 1019950057216A KR 19950057216 A KR19950057216 A KR 19950057216A KR 970048956 A KR970048956 A KR 970048956A
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light shielding
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shielding film
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KR1019950057216A
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김형준
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

근접한 주패턴 사이에서도 근접 표과를 보상할 수 있는 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 투명한 기판과, 상기 투명한 기판 위에 형성된 차광막 패턴에 의해서 한정되는 투명 패턴과, 상기 차광막 패턴의 모서리에 연결되어 상기 투명 패턴을 투과하는 빛과 90도의 위상차를 가지는 위상 반전 펴턴을 포함하는 마스크이다.
본 발명에 의하여 상기 차광막 패턴이 인접하여 교차하는 지점에 90도의 위상을 갖는 위상 시프터 패턴을 추가하면, 주변의 위상차가 0도인 부분과의 간섭에 의하여 마스크를 투과한 빛의 세기가 이 지점에서 영이 되지 않으나 상당히 감소하게 된다. 따라서, 상기 주패턴의 모서리 부분이 커지는 효과를 가져온다.

Description

위상 반전 패턴을 가지는 마스크 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2B도는 본 발명에 의하여 근접 효과를 보상하면서 주패턴의 크기를 증가시킬 수 있는 마스크를 보여주는 평면도들.

Claims (2)

  1. 투명한 기판과, 상기 투명한 기판 위에 형성된 차광막 패턴에 의해서 한정되는 투명 패턴과, 상기 차광막 패턴의 모서리에 연결되어 상기 투명 패턴을 투과하는 빛과 90도의 위상차를 가지는 위상 반전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 투명한 기판 위에 차광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 차광막 패턴 위에 상기 차광막 패턴을 보호하며 상기 투명한 기판의 일부를 노출하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 보호막으로 상기 투명한 기판을 90도의 위상차를 가지도록 식각하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950057216A 1995-12-26 1995-12-26 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 및 그 제조 방법 KR970048956A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100303799B1 (ko) * 1998-03-19 2001-11-30 황인길 반도체소자용마스크패턴

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