JPS5868748A - ホトマスクおよびそれを用いた現像方法 - Google Patents
ホトマスクおよびそれを用いた現像方法Info
- Publication number
- JPS5868748A JPS5868748A JP56167216A JP16721681A JPS5868748A JP S5868748 A JPS5868748 A JP S5868748A JP 56167216 A JP56167216 A JP 56167216A JP 16721681 A JP16721681 A JP 16721681A JP S5868748 A JPS5868748 A JP S5868748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- photoresist
- developing
- wafer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真蝕刻伝に用いられるホトマスクおよび−ｆ
：ｎ、を用いた現像方法に関するものである。
：ｎ、を用いた現像方法に関するものである。
半導体ウェーハ等の表面に所望のパターン全形成さぜる
場合、ウェーハ表面にホトレジストが塗布ぢれ、所望の
ホトマスク刀ム前記ウェーハに対して聚合芒れ、元金照
射してホトレジスト膜にホトマスクのパターンが転写き
れる。次に現像処理が施きれ、所望のホトレジストパタ
ーンが形成される：）該ホトレジストｊ漠をマスキング
相としてエツチング等の処ｔ′ＩＬが施きれる。
場合、ウェーハ表面にホトレジストが塗布ぢれ、所望の
ホトマスク刀ム前記ウェーハに対して聚合芒れ、元金照
射してホトレジスト膜にホトマスクのパターンが転写き
れる。次に現像処理が施きれ、所望のホトレジストパタ
ーンが形成される：）該ホトレジストｊ漠をマスキング
相としてエツチング等の処ｔ′ＩＬが施きれる。
ホト１．／シストの所イｔｒｔｔま回転子の軸Ｋ ｉ−
１！２付ｌｒｊた治具にウェーハ′ｆ６：載訂し、ホ）
・レジスト液奮滴）させた後、回転子を回転式せて余分
なホトレジスト全飛散させなからＪ′ｉ′ｒ望の厚さの
膜を形成する方法、ローラー、 １６１毛等により塗イ
ロする方法、スグレーをイリ用して吹−ｒ’ｒ （ｆる
方法等が用いらｔ−する。
１！２付ｌｒｊた治具にウェーハ′ｆ６：載訂し、ホ）
・レジスト液奮滴）させた後、回転子を回転式せて余分
なホトレジスト全飛散させなからＪ′ｉ′ｒ望の厚さの
膜を形成する方法、ローラー、 １６１毛等により塗イ
ロする方法、スグレーをイリ用して吹−ｒ’ｒ （ｆる
方法等が用いらｔ−する。
上記方法τ用いると、ホトレジストハウエーハ表面たけ
でなく、ｆｕ：ｉ ＋旬にも台）面される。側［田Ｖ（
侯布て１＋たホトレ・クスト膜０−１厚さは不均一であ
るか、ホトレジストのイ古イ住により、ウェーハ表面よ
りも厚い膜か形成され易い。
でなく、ｆｕ：ｉ ＋旬にも台）面される。側［田Ｖ（
侯布て１＋たホトレ・クスト膜０−１厚さは不均一であ
るか、ホトレジストのイ古イ住により、ウェーハ表面よ
りも厚い膜か形成され易い。
ホトレジスト
像，エツチング等の処理を施す１余に、該ウェーハは１
１ｔ１！藺か治具等ＶＣ接触する機会が多い。接触する
面積は小感いため、その接触ｉｔｓ分に作用する単位面
積当りの価撃刀は井筒に犬さく、該部分のホトレジスト
を破壊することかわる。級融塾〕して発生シｆｃホトレ
ジストの小片は周囲ｔζ飛散１ｔ＋、一部はウェーハ表
面に付着し７、エツチング等の際シ（、障害となり、パ
ターンの形１）（イぐ艮看：発４１：式０〜る原因と１
つてしまう。
１ｔ１！藺か治具等ＶＣ接触する機会が多い。接触する
面積は小感いため、その接触ｉｔｓ分に作用する単位面
積当りの価撃刀は井筒に犬さく、該部分のホトレジスト
を破壊することかわる。級融塾〕して発生シｆｃホトレ
ジストの小片は周囲ｔζ飛散１ｔ＋、一部はウェーハ表
面に付着し７、エツチング等の際シ（、障害となり、パ
ターンの形１）（イぐ艮看：発４１：式０〜る原因と１
つてしまう。
本発明の目的ケよ、＾１１α問題へ（を卯（決（〜、ホ
トレジスト膜の剥離片によるパターンの形状不良否・発
生することのないホトマスクおよび峰−ハを用いた現像
方法を提供することＶＣ折）る。
トレジスト膜の剥離片によるパターンの形状不良否・発
生することのないホトマスクおよび峰−ハを用いた現像
方法を提供することＶＣ折）る。
この目的音達成するため、本発明は、世像処理時Ｖｃ５
加工材料の周辺部および側面部のホトレジスト膜全溶解
させて除去するものである。
加工材料の周辺部および側面部のホトレジスト膜全溶解
させて除去するものである。
以下、本発明を１面に示す実施例ＶＣしたかってさらに
訝明する。
訝明する。
第１図１ａｌと（ｂｌにそれぞれ従来のホトマスクの平
面図と、（７九を用いて感光、現像１〜た吟エーノ・の
１１、Ｉｆ而面である。
面図と、（７九を用いて感光、現像１〜た吟エーノ・の
１１、Ｉｆ而面である。
ム１［しｌ＋ａｌＫ於て、１は従来のホトマスクである
。
。
２はガラス基板、３は所望のパターンが配置をれたパタ
ーン群である。ホトマスク１はガラス厚、板２とパター
ン群３とで構成ネれる。４はウエーノ・全７トシ、図は
りニー７・４ ＶＣ％ｌ Ｌホトマスク１が整合芒７ま
た状態を示し′Ｃいる。従来のホトマスクはウェーハの
占不する領域よりも広くパターン群３が配置αぜｔ′１
．でいる。関、１図ｔｂｌに於て、４はウェーハをボし
、松加工拐科、例えばＳ１ウエーハ基板５と、ホトレジ
ス）・ｊＩ臭６とで構成δれる。
ーン群である。ホトマスク１はガラス厚、板２とパター
ン群３とで構成ネれる。４はウエーノ・全７トシ、図は
りニー７・４ ＶＣ％ｌ Ｌホトマスク１が整合芒７ま
た状態を示し′Ｃいる。従来のホトマスクはウェーハの
占不する領域よりも広くパターン群３が配置αぜｔ′１
．でいる。関、１図ｔｂｌに於て、４はウェーハをボし
、松加工拐科、例えばＳ１ウエーハ基板５と、ホトレジ
ス）・ｊＩ臭６とで構成δれる。
この従来方法で（ｔ−，１、ｌ’、ｙエーハ４よりもパ
ターン群３か広く配置されているため、規律後でもホト
１／シスト膜６の一部は沙加工相料であるウェーハ基板
５の側面Ｖ（１で残存する。したかつて、つ工−ハの周
辺部か吊具等に接触すｔｌ−は、ホトレジスト膜か崩ｎ
７、ホトレジストの小片を飛散式せる。
ターン群３か広く配置されているため、規律後でもホト
１／シスト膜６の一部は沙加工相料であるウェーハ基板
５の側面Ｖ（１で残存する。したかつて、つ工−ハの周
辺部か吊具等に接触すｔｌ−は、ホトレジスト膜か崩ｎ
７、ホトレジストの小片を飛散式せる。
その給米、前記したようシコ、パターンの形状不良全発
生させてし丑う。
生させてし丑う。
第２図１（ａ）と（ｂｌはぞれぞれ本発明のホトマスク
の３ｒ面図と、て７Ｌ〒用いて感光したウェーハの現１
域後の（ト）１１１１図であるっ ｄ２ａ＋ａｌに於て、７汀仝尾明のホトマスクチする。
の３ｒ面図と、て７Ｌ〒用いて感光したウェーハの現１
域後の（ト）１１１１図であるっ ｄ２ａ＋ａｌに於て、７汀仝尾明のホトマスクチする。
８ぼガラス基板、９及び［０は加窒のパターン、ρりえ
は生部１ム東４＊ ＩＪ＋路泡−構成するためのパター
ンＥ２子配置ｃ＋″したパター ン群、１１）ま扱加工
材刺としての１”ノエーハで５５る。本発明″（！は１
フ工−ハＪ酎辺部粋よびＤｌ：Ｉ ｕｎｉ図Ｖ（ＩＪ当
−ｒる領ｉＪ ｌ ３１’ｌｌ パターン１２を配置し
７ないイ求１／ＣＬ、ウェーハ周辺部と側面部のホトレ
ジストが現像時ＶＣ浴俗解〕１で除去さ７′１− ；’
）ようＶＣする。し、イアｌ”ノドの関イ、（・１′、
パターン【２かウェーハ周辺の一部に配ｔｉ’ｆｆ−婆
ねたとしても、本発明の効果か若干減少するたりＴ 、
４＝：発明の目的は十分群成でさる、〜ニー・・４とホ
トマスク７との督合を右易ＶＣ−ｈ〜るためｌ／（、包
１」成［３内にＶ、ｙｔ４！月」のパター ンを自己１
市ｔ−ｉる鵠Ｎ・もろる〃・、この」烏合ＶＣ施ても本
発明の効果は前記した曲り達成１−石ことか１］」能で
ある。
は生部１ム東４＊ ＩＪ＋路泡−構成するためのパター
ンＥ２子配置ｃ＋″したパター ン群、１１）ま扱加工
材刺としての１”ノエーハで５５る。本発明″（！は１
フ工−ハＪ酎辺部粋よびＤｌ：Ｉ ｕｎｉ図Ｖ（ＩＪ当
−ｒる領ｉＪ ｌ ３１’ｌｌ パターン１２を配置し
７ないイ求１／ＣＬ、ウェーハ周辺部と側面部のホトレ
ジストが現像時ＶＣ浴俗解〕１で除去さ７′１− ；’
）ようＶＣする。し、イアｌ”ノドの関イ、（・１′、
パターン【２かウェーハ周辺の一部に配ｔｉ’ｆｆ−婆
ねたとしても、本発明の効果か若干減少するたりＴ 、
４＝：発明の目的は十分群成でさる、〜ニー・・４とホ
トマスク７との督合を右易ＶＣ−ｈ〜るためｌ／（、包
１」成［３内にＶ、ｙｔ４！月」のパター ンを自己１
市ｔ−ｉる鵠Ｎ・もろる〃・、この」烏合ＶＣ施ても本
発明の効果は前記した曲り達成１−石ことか１］」能で
ある。
したかつて、ウェーハ括Ｊ辺部ＶＣ幻Ｊｉｚ、する部分
の一合（Ｘｖｃパターンを配置したホトマスクも本如明
の山０．１！ｉ＋ Ｋムま）［６）このようＶＣ１本元
「すＩｖまウェーハ周辺１１ζおよび側面部のＩツｆ望
ｔ！ＩＩｓ分ＶＣのみパターン１２を配ｆ６１．ない重
環１３を形成すること倉和ｆ〜とす６゜ パターンＭＦ９１’ｊ、配置鉦しなくてもさしつかえな
いが、同一 ホトマスク内での２つの同種パターンを比
較しながらパターンの外観検査を行なうために使用さす
る。パターン訂１０は半導（イ）集積回路を製造するた
めに用い、パターン群９７ｄパタ一ン群１０の外観検査
を・行なうための補助パターンである３領域１３は例え
ばポジ型のホトレジスト全使用する場合は光を透過する
様にする。
の一合（Ｘｖｃパターンを配置したホトマスクも本如明
の山０．１！ｉ＋ Ｋムま）［６）このようＶＣ１本元
「すＩｖまウェーハ周辺１１ζおよび側面部のＩツｆ望
ｔ！ＩＩｓ分ＶＣのみパターン１２を配ｆ６１．ない重
環１３を形成すること倉和ｆ〜とす６゜ パターンＭＦ９１’ｊ、配置鉦しなくてもさしつかえな
いが、同一 ホトマスク内での２つの同種パターンを比
較しながらパターンの外観検査を行なうために使用さす
る。パターン訂１０は半導（イ）集積回路を製造するた
めに用い、パターン群９７ｄパタ一ン群１０の外観検査
を・行なうための補助パターンである３領域１３は例え
ばポジ型のホトレジスト全使用する場合は光を透過する
様にする。
第２図ｉｂｌ Ｋ於て、【ｌは本発明のホトマスクを使
用して感光、現像処理１−だ後のウェーハを断面図で示
すものである。１４はＢ１ウェーハ基板、Ｌ５ｉｒ：ｉ
、ホトレジスト膜である、ホトマスク７の領域１３に対
応するウェーハ基板１４の周辺部と側面部は現像処理に
よりホトレジスト膜１５が浴解さね５、該部分にはホト
レジスト膜［５か残存しない。ウェーハ基板１４の側面
部はホトレジストか厚く侠布芒ハでいるため、通常の感
光粂件では完全Ｋｆ８所できない場合があるが、税像処
浬により薄くなる。したかつて、該部分に残存しｌこホ
トレジスト膜ｔ５が剥離した場合でも、従来方法に比ベ
ホトレジスト片のηに散ｌは減少するため、不発明の目
的は達成さ７′１２る。
用して感光、現像処理１−だ後のウェーハを断面図で示
すものである。１４はＢ１ウェーハ基板、Ｌ５ｉｒ：ｉ
、ホトレジスト膜である、ホトマスク７の領域１３に対
応するウェーハ基板１４の周辺部と側面部は現像処理に
よりホトレジスト膜１５が浴解さね５、該部分にはホト
レジスト膜［５か残存しない。ウェーハ基板１４の側面
部はホトレジストか厚く侠布芒ハでいるため、通常の感
光粂件では完全Ｋｆ８所できない場合があるが、税像処
浬により薄くなる。したかつて、該部分に残存しｌこホ
トレジスト膜ｔ５が剥離した場合でも、従来方法に比ベ
ホトレジスト片のηに散ｌは減少するため、不発明の目
的は達成さ７′１２る。
以上説明したようＶＣ１本発明によりば、ポトレジスト
片の剥離、飛散ＶＣよるパター ンの形状不良等全防止
することの：できる。
片の剥離、飛散ＶＣよるパター ンの形状不良等全防止
することの：できる。
図面の１ｕ＋単々蒲明
第１図１ａｌとｌｂｌはそｊぞｎ、従来のホトマスクの
半面図と、−ｆ：れを用いて感光、”Ｊｈ像さｔ′ｌた
ウエーノ・の断面図、第２図１（ａ）と＋ｂｌはそれぞ
ハ、Ａ・ツ１へ明によるホトマスクの一火施しＩＩのＩ
Ｖ−面１ンｉと、ぞη、否−１（４いて感光、規像芒ｎ
たウェー／・の１仇ｍ１図である。
半面図と、−ｆ：れを用いて感光、”Ｊｈ像さｔ′ｌた
ウエーノ・の断面図、第２図１（ａ）と＋ｂｌはそれぞ
ハ、Ａ・ツ１へ明によるホトマスクの一火施しＩＩのＩ
Ｖ−面１ンｉと、ぞη、否−１（４いて感光、規像芒ｎ
たウェー／・の１仇ｍ１図である。
７・・ホトマスク、８・・・ガラス基＆、９．１０・・
パターン群、Ｌ ｌ−６，ウェーハ、［２９，パターン
、１３・・・パターンを配置しない領域、１４・・・Ｅ
ｉ ｉつ工−ハ基板、１５・・・ポ）・レジスト膜。
パターン群、Ｌ ｌ−６，ウェーハ、［２９，パターン
、１３・・・パターンを配置しない領域、１４・・・Ｅ
ｉ ｉつ工−ハ基板、１５・・・ポ）・レジスト膜。
代ｉ４ｊ Ａ タ［埋土 ｌリ １１１ オ゛」Ｘ
・（、ｉ） （力 第 １ 図 （’０−’ｒ 第 ２ 図 ２８７−
・（、ｉ） （力 第 １ 図 （’０−’ｒ 第 ２ 図 ２８７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被加工材料の周辺部２よび側面部の所望部分のホト
レジスト膜が現像により溶解されるようパターン全配置
した丁トマスク。 ２、被加工材料の周辺部および側面部の所望部分のホト
レジスト膜が現像により俗解されるようパターンを配置
したホトマスク全使用し、該ネトマスクｔａ加工材料に
対して整合てせ、ホトレジスト膜の感光、現像を行う現
像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167216A JPS5868748A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | ホトマスクおよびそれを用いた現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167216A JPS5868748A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | ホトマスクおよびそれを用いた現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868748A true JPS5868748A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15845576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56167216A Pending JPS5868748A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | ホトマスクおよびそれを用いた現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868748A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039046U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-18 | 凸版印刷株式会社 | マスク板 |
| JPS6039047U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-18 | 凸版印刷株式会社 | マスクブランク板 |
| JPS6173330A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nec Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| US4881257A (en) * | 1986-10-28 | 1989-11-14 | Fujitsu Limited | Deformation free X-ray exposure mask for X-ray lithography |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP56167216A patent/JPS5868748A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039046U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-18 | 凸版印刷株式会社 | マスク板 |
| JPS6039047U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-18 | 凸版印刷株式会社 | マスクブランク板 |
| JPS6173330A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nec Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| US4881257A (en) * | 1986-10-28 | 1989-11-14 | Fujitsu Limited | Deformation free X-ray exposure mask for X-ray lithography |
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