JP2002170759A - 電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法 - Google Patents
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク製造時及び電子ビーム照射時に発生し
た応力を緩和することで、反りを防止し、その結果、転
写パターンの位置精度を向上せしめることを可能にした
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
を提供する。 【解決手段】 転写パターン２４が形成された第１のシ
リコン基板２３と、この第１のシリコン基板２３に張り
合わされた支柱側の第２のシリコン基板２１とからなる
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
おいて、前記第２のシリコン基板２１の支柱領域２１ａ
に位置する前記第１のシリコン基板２３に、スリット２
５を形成したことを特徴とする。
た応力を緩和することで、反りを防止し、その結果、転
写パターンの位置精度を向上せしめることを可能にした
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
を提供する。 【解決手段】 転写パターン２４が形成された第１のシ
リコン基板２３と、この第１のシリコン基板２３に張り
合わされた支柱側の第２のシリコン基板２１とからなる
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
おいて、前記第２のシリコン基板２１の支柱領域２１ａ
に位置する前記第１のシリコン基板２３に、スリット２
５を形成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム・プロ
ジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法に
係わり、特に、パターンの位置精度を向上せしめた電子
ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとそ
の製造方法に関する。
ジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法に
係わり、特に、パターンの位置精度を向上せしめた電子
ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４には、従来のステンシルマスクの断
面図が示されている。
面図が示されている。
【０００３】このステンシルマスクの製造方法は、先
ず、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）４１の表面上に厚さ１μｍ程度のシリコン酸化
膜４２を、熱酸化法もしくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成す
る。次に、パターン形成側シリコン基板４３を張り合わ
せ、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術により厚さ２μｍ程度に研
磨して薄膜化する。
ず、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）４１の表面上に厚さ１μｍ程度のシリコン酸化
膜４２を、熱酸化法もしくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成す
る。次に、パターン形成側シリコン基板４３を張り合わ
せ、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術により厚さ２μｍ程度に研
磨して薄膜化する。
【０００４】次に、パターン形成側シリコン基板４３上
にレジストを回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術
を用いて、レジストパターンを形成する。
にレジストを回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術
を用いて、レジストパターンを形成する。
【０００５】そして、このレジストをマスクとしてレジ
スト開口部のシリコンをドライエッチング技術によりエ
ッチングし、パターン形成側シリコン基板４３をパター
ニングし、転写パターン４４を形成する。最後に、支柱
側シリコン基板４１の裏面側の所定の部分のみ開口した
マスクを形成し、シリコンウェットエッチングを行う
（バックエッチ）。即ち、シリコン酸化膜４２をエッチ
ングストッパとして、シリコン酸化膜４２が露出するま
でバックエッチを行い、続いて、パターン形成側シリコ
ン基板４３をエッチングストッパとして、パターン形成
側シリコン基板４３が露出するまでバックエッチを行
い、ステンシルマスクを形成する。
スト開口部のシリコンをドライエッチング技術によりエ
ッチングし、パターン形成側シリコン基板４３をパター
ニングし、転写パターン４４を形成する。最後に、支柱
側シリコン基板４１の裏面側の所定の部分のみ開口した
マスクを形成し、シリコンウェットエッチングを行う
（バックエッチ）。即ち、シリコン酸化膜４２をエッチ
ングストッパとして、シリコン酸化膜４２が露出するま
でバックエッチを行い、続いて、パターン形成側シリコ
ン基板４３をエッチングストッパとして、パターン形成
側シリコン基板４３が露出するまでバックエッチを行
い、ステンシルマスクを形成する。
【０００６】上記した電子ビーム・プロジェクション・
リソグラフィ用ステンシルマスクにおいては、高い転写
精度が要求されている。
リソグラフィ用ステンシルマスクにおいては、高い転写
精度が要求されている。
【０００７】しかしながら、従来のステンシルマスク製
造方法においては、ある一括転写領域とそれと隣接する
一括転写領域とが分離・独立していないため、即ち、ウ
エーハ全面に亘って、全ての一括転写領域が連続してお
り、このため、マスク製造時及び電子ビーム照射時に発
生した応力を緩和しようとしてウエーハが反り、その結
果、パターン位置精度が劣化するという欠点があった。
造方法においては、ある一括転写領域とそれと隣接する
一括転写領域とが分離・独立していないため、即ち、ウ
エーハ全面に亘って、全ての一括転写領域が連続してお
り、このため、マスク製造時及び電子ビーム照射時に発
生した応力を緩和しようとしてウエーハが反り、その結
果、パターン位置精度が劣化するという欠点があった。
【０００８】また、図５には、従来のメンブレンマスク
の断面図が示されている。
の断面図が示されている。
【０００９】このメンブレンマスクの製造方法は、先
ず、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）５１の表面上に厚さ１５００Å程度のシリコン
窒化膜５２を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。このシリコ
ン窒化膜５２は、電子透過体としての役割を果たす。
ず、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）５１の表面上に厚さ１５００Å程度のシリコン
窒化膜５２を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。このシリコ
ン窒化膜５２は、電子透過体としての役割を果たす。
【００１０】次に、シリコン窒化膜５２上に２００Å程
度のタングステン、クロム等の金属膜５３をスパッタ法
又はＣＶＤ法により成膜する。この金属膜５３は、電子
散乱体としての役割を果たす。
度のタングステン、クロム等の金属膜５３をスパッタ法
又はＣＶＤ法により成膜する。この金属膜５３は、電子
散乱体としての役割を果たす。
【００１１】この金属膜５３上に、レジストを回転塗布
し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジストパ
ターンを形成する。そして、このレジストをマスクとし
て、レジスト開口部の金属膜５３をドライエッチング技
術によりエッチングし、転写パターン５３を形成する。
し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジストパ
ターンを形成する。そして、このレジストをマスクとし
て、レジスト開口部の金属膜５３をドライエッチング技
術によりエッチングし、転写パターン５３を形成する。
【００１２】最後に、支柱側シリコン基板５１の裏面側
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。 即ち、シ
リコン窒化膜５２をエッチングストッパとして、シリコ
ン窒化膜５２が露出するまでバックエッチを行い、メン
ブレンマスクを形成する。
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。 即ち、シ
リコン窒化膜５２をエッチングストッパとして、シリコ
ン窒化膜５２が露出するまでバックエッチを行い、メン
ブレンマスクを形成する。
【００１３】上記した電子ビーム・プロジェクション・
リソグラフィ用メンブレンマスクにおいても、ステンシ
ルマスクと同様に、高い転写精度が要求されている。
リソグラフィ用メンブレンマスクにおいても、ステンシ
ルマスクと同様に、高い転写精度が要求されている。
【００１４】しかしながら、上記した従来のメンブレン
マスクでは、ある一括転写領域とこれに隣接する一括転
写領域とが分離・独立していないから、即ち、メンブレ
ン膜（シリコン窒化膜）がウエーハ全面に渡って、全て
の一括転写領域で連続しており、このように構成した場
合、マスク製造時及び電子ビーム照射時に発生した応力
を緩和しようとしてウエーハが反り、パターン位置精度
が劣化するという問題があった。
マスクでは、ある一括転写領域とこれに隣接する一括転
写領域とが分離・独立していないから、即ち、メンブレ
ン膜（シリコン窒化膜）がウエーハ全面に渡って、全て
の一括転写領域で連続しており、このように構成した場
合、マスク製造時及び電子ビーム照射時に発生した応力
を緩和しようとしてウエーハが反り、パターン位置精度
が劣化するという問題があった。
【００１５】そこで、例えば、特開平５−２３４８５８
号公報には、Ｘ線吸収体層の応力をＸ線吸収体層を支持
するメンブレンの物理的性質で補償するために、メンブ
レンの裏面及び表面に溝を形成して応力を調節し、パタ
ーン位置精度を向上する技術が開示されている。この技
術は、１つの一括転写領におけるパターン位置精度向上
という点に関しては一応の効果を奏している。
号公報には、Ｘ線吸収体層の応力をＸ線吸収体層を支持
するメンブレンの物理的性質で補償するために、メンブ
レンの裏面及び表面に溝を形成して応力を調節し、パタ
ーン位置精度を向上する技術が開示されている。この技
術は、１つの一括転写領におけるパターン位置精度向上
という点に関しては一応の効果を奏している。
【００１６】しかしながら、この発明では、メンブレン
膜は、ウエーハ全面、即ち、一括転写領域全てにおいて
連続しており、ウエーハ全面に亘る反りに対しての解決
策を示していない。
膜は、ウエーハ全面、即ち、一括転写領域全てにおいて
連続しており、ウエーハ全面に亘る反りに対しての解決
策を示していない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、マスク製造時及び
電子ビーム照射時に発生した応力を緩和することで、反
りを防止し、以て、転写パターンの位置精度を向上せし
めた新規な電子ビーム・プロジェクション・リソグラフ
ィ用マスクとその製造方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、マスク製造時及び
電子ビーム照射時に発生した応力を緩和することで、反
りを防止し、以て、転写パターンの位置精度を向上せし
めた新規な電子ビーム・プロジェクション・リソグラフ
ィ用マスクとその製造方法を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
【００１９】即ち、本発明に係わる電子ビーム・プロジ
ェクション・リソグラフィ用マスクの第１態様は、転写
パターンが形成された第１のシリコン基板と、この第１
のシリコン基板に張り合わされた支柱側の第２のシリコ
ン基板とからなる電子ビーム・プロジェクション・リソ
グラフィ用マスクおいて、前記第２のシリコン基板の支
柱領域に位置する前記第１のシリコン基板に、スリット
を形成したことを特徴とするものであり、叉、第２態様
は、金属膜による転写パターンを形成したメンブレン
と、このメンブレンを支持する支柱側シリコン基板とか
らなる電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用
マスクおいて、前記支柱側シリコン基板の支柱領域に位
置する前記メンブレンに、スリットを形成したことを特
徴とするものであり、叉、第３態様は、前記スリット
は、前記転写パターンを囲むように設けられていること
を特徴とする物であり、叉、第４態様は、前記スリット
は、前記第１のシリコン基板を貫通して形成されている
ことを特徴とするものであり、又、第５態様は、前記ス
リットは、前記メンブレンを貫通して形成されているこ
とを特徴とするものである。
ェクション・リソグラフィ用マスクの第１態様は、転写
パターンが形成された第１のシリコン基板と、この第１
のシリコン基板に張り合わされた支柱側の第２のシリコ
ン基板とからなる電子ビーム・プロジェクション・リソ
グラフィ用マスクおいて、前記第２のシリコン基板の支
柱領域に位置する前記第１のシリコン基板に、スリット
を形成したことを特徴とするものであり、叉、第２態様
は、金属膜による転写パターンを形成したメンブレン
と、このメンブレンを支持する支柱側シリコン基板とか
らなる電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用
マスクおいて、前記支柱側シリコン基板の支柱領域に位
置する前記メンブレンに、スリットを形成したことを特
徴とするものであり、叉、第３態様は、前記スリット
は、前記転写パターンを囲むように設けられていること
を特徴とする物であり、叉、第４態様は、前記スリット
は、前記第１のシリコン基板を貫通して形成されている
ことを特徴とするものであり、又、第５態様は、前記ス
リットは、前記メンブレンを貫通して形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００２０】叉、本発明に係わる電子ビーム・プロジェ
クション・リソグラフィ用マスクの製造方法の第１態様
は、転写パターンが形成された第１のシリコン基板と、
この第１のシリコン基板に張り合わされた支柱側の第２
のシリコン基板とからなる電子ビーム・プロジェクショ
ン・リソグラフィ用マスクの製造方法であって、前記第
２のシリコン基板の支柱領域に位置する前記第１のシリ
コン基板に、スリットを形成し、且つこのスリットは、
前記転写パターンを形成する工程で同時に形成されるこ
とを特徴とするものであり、叉、第２態様は、前記スリ
ットは、前記転写パターンを囲むように設けられている
ことを特徴とするものである。
クション・リソグラフィ用マスクの製造方法の第１態様
は、転写パターンが形成された第１のシリコン基板と、
この第１のシリコン基板に張り合わされた支柱側の第２
のシリコン基板とからなる電子ビーム・プロジェクショ
ン・リソグラフィ用マスクの製造方法であって、前記第
２のシリコン基板の支柱領域に位置する前記第１のシリ
コン基板に、スリットを形成し、且つこのスリットは、
前記転写パターンを形成する工程で同時に形成されるこ
とを特徴とするものであり、叉、第２態様は、前記スリ
ットは、前記転写パターンを囲むように設けられている
ことを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明は、電子ビーム・プロジェ
クション・リソグラフィに用いる転写マスクに関するも
のであり、支柱領域に位置するマスクの一部に応力解放
口を設けることを特徴としている。
クション・リソグラフィに用いる転写マスクに関するも
のであり、支柱領域に位置するマスクの一部に応力解放
口を設けることを特徴としている。
【００２２】図１に、電子ビーム・プロジェクション・
リソグラフィ用マスクの例を示す。１ｍｍ２の一括転写
領域１１を直径２００ｍｍのウエーハ１２上にマトリク
ス状に配置したものである。
リソグラフィ用マスクの例を示す。１ｍｍ２の一括転写
領域１１を直径２００ｍｍのウエーハ１２上にマトリク
ス状に配置したものである。
【００２３】図２（ａ）に、本発明による電子ビーム・
プロジェクション・リソグラフィ用ステンシルマスクの
断面図を、又、図２（ｂ）に、その平面図示した。
プロジェクション・リソグラフィ用ステンシルマスクの
断面図を、又、図２（ｂ）に、その平面図示した。
【００２４】ステンシルマスクは、通常張り合わせＳＯ
Ｉウエーハを使って製造し、支柱側シリコン基板２１と
パターン形成側シリコン基板２３とで、シリコン酸化膜
２２を挟んだ構造になっており、パターン形成側シリコ
ン基板２３に、ドライエッチング技術により転写パター
ン２４を形成する。
Ｉウエーハを使って製造し、支柱側シリコン基板２１と
パターン形成側シリコン基板２３とで、シリコン酸化膜
２２を挟んだ構造になっており、パターン形成側シリコ
ン基板２３に、ドライエッチング技術により転写パター
ン２４を形成する。
【００２５】このような構造のステンシルマスクにおい
て、本発明では、ステンシルマスクの支柱となる領域の
パターン形成側シリコン基板２３に、スリットからなる
応力解放口２５を設けることを特徴としている。
て、本発明では、ステンシルマスクの支柱となる領域の
パターン形成側シリコン基板２３に、スリットからなる
応力解放口２５を設けることを特徴としている。
【００２６】前記応力解放口２５を設けたことにより、
ある一括転写領域とそれと隣接する一括転写領域とが分
離・独立され、マスク製造時に発生する応力を緩和し、
ウエーハ全面におけるフラットネスの向上、即ち、パタ
ーン位置精度を向上させることを可能にした。特に、ス
テンシルマスクの裏面からのバックエッチ時に発生する
応力によるウエーハの反り発生量を抑えることができ
る。
ある一括転写領域とそれと隣接する一括転写領域とが分
離・独立され、マスク製造時に発生する応力を緩和し、
ウエーハ全面におけるフラットネスの向上、即ち、パタ
ーン位置精度を向上させることを可能にした。特に、ス
テンシルマスクの裏面からのバックエッチ時に発生する
応力によるウエーハの反り発生量を抑えることができ
る。
【００２７】また、この応力緩和口２５は、電子ビーム
照射中におけるヒーティングに伴い、シリコン酸化膜２
２とパターン形成側シリコン基板２３の熱膨張係数の違
いによる応力を緩和し、電子ビーム描画中におけるパタ
ーン位置精度を向上させることができる。
照射中におけるヒーティングに伴い、シリコン酸化膜２
２とパターン形成側シリコン基板２３の熱膨張係数の違
いによる応力を緩和し、電子ビーム描画中におけるパタ
ーン位置精度を向上させることができる。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明に係わる電子ビーム・プロジ
ェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法の具
体例を図面を参照しながら詳細に説明する。
ェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法の具
体例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】（第１の具体例）図２（ａ）は、本発明に
係わる電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用
マスクの第１の具体例の構造を示す断面図、図２（ｂ）
は、その平面図であって、これらの図には、転写パター
ン２４が形成された第１のシリコン基板２３と、この第
１のシリコン基板２３に張り合わされた支柱側の第２の
シリコン基板２１とからなる電子ビーム・プロジェクシ
ョン・リソグラフィ用マスクおいて、前記第２のシリコ
ン基板２１の支柱領域２１ａに位置する前記第１のシリ
コン基板２３に、スリット２５を形成したことを特徴と
する電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マ
スクが示され、叉、前記スリット２５は、前記転写パタ
ーン２４を囲むように設けられていることを特徴とする
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
が示されて、又、前記スリット２５は、前記第１のシリ
コン基板２３を貫通して形成されていることを特徴とす
る電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マス
クが示されている。
係わる電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用
マスクの第１の具体例の構造を示す断面図、図２（ｂ）
は、その平面図であって、これらの図には、転写パター
ン２４が形成された第１のシリコン基板２３と、この第
１のシリコン基板２３に張り合わされた支柱側の第２の
シリコン基板２１とからなる電子ビーム・プロジェクシ
ョン・リソグラフィ用マスクおいて、前記第２のシリコ
ン基板２１の支柱領域２１ａに位置する前記第１のシリ
コン基板２３に、スリット２５を形成したことを特徴と
する電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マ
スクが示され、叉、前記スリット２５は、前記転写パタ
ーン２４を囲むように設けられていることを特徴とする
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
が示されて、又、前記スリット２５は、前記第１のシリ
コン基板２３を貫通して形成されていることを特徴とす
る電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マス
クが示されている。
【００３０】以下に、図２を用いて、第１の具体例を更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【００３１】このステンシルマスクは、先ず、図２に示
すように、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側
シリコン基板）２１の表面上に厚さ１μｍ程度のシリコ
ン酸化膜２２を、熱酸化法もしくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形
成する。次に、このシリコンウエーハ２１に、パターン
形成側シリコン基板２３を張り合わせ、ＣＭＰ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎ
ｇ）技術により厚さ２μｍ程度に研磨して薄膜化する。
すように、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側
シリコン基板）２１の表面上に厚さ１μｍ程度のシリコ
ン酸化膜２２を、熱酸化法もしくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形
成する。次に、このシリコンウエーハ２１に、パターン
形成側シリコン基板２３を張り合わせ、ＣＭＰ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎ
ｇ）技術により厚さ２μｍ程度に研磨して薄膜化する。
【００３２】次に、パターン形成側シリコン基板２３上
にレジストを回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術
を用いて、レジストパターンを形成する。この時に、同
時に、ステンシルマスクの支柱となる領域２１ａに応力
解放口２５形成用のパターンを形成する。そして、この
レジストをマスクとして、レジスト開口部のシリコンを
ドライエッチング技術によりエッチングし、パターン形
成側シリコン基板２３をパターニングし、転写パターン
２４とスリットである応力解放口２５を形成する。転写
パターン２４と応力解放口２５とは、パターン形成側シ
リコン基板２３を貫通して形成される。
にレジストを回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術
を用いて、レジストパターンを形成する。この時に、同
時に、ステンシルマスクの支柱となる領域２１ａに応力
解放口２５形成用のパターンを形成する。そして、この
レジストをマスクとして、レジスト開口部のシリコンを
ドライエッチング技術によりエッチングし、パターン形
成側シリコン基板２３をパターニングし、転写パターン
２４とスリットである応力解放口２５を形成する。転写
パターン２４と応力解放口２５とは、パターン形成側シ
リコン基板２３を貫通して形成される。
【００３３】最後に、支柱側シリコン基板２１の裏面側
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。即ち、シリ
コン酸化膜２２をエッチングストッパとして、シリコン
酸化膜２２が露出するまでバックエッチを行い、続いて
パターン形成側シリコン基板２３をエッチングストッパ
としてパターン形成側シリコン基板２３が露出するまで
バックエッチを行い、ステンシルマスクを形成する。
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。即ち、シリ
コン酸化膜２２をエッチングストッパとして、シリコン
酸化膜２２が露出するまでバックエッチを行い、続いて
パターン形成側シリコン基板２３をエッチングストッパ
としてパターン形成側シリコン基板２３が露出するまで
バックエッチを行い、ステンシルマスクを形成する。
【００３４】なお、応力解放口２５は、支柱の領域２１
ａに形成されるから、ウエーハ１２には転写されない。
ａに形成されるから、ウエーハ１２には転写されない。
【００３５】（第２の具体例）図３は、本発明に係わる
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
の第２の具体例を示す断面図であって、この図３には、
金属膜３３による転写パターンを形成したメンブレン３
２と、このメンブレン３２を支持する支柱側シリコン基
板３１とからなる電子ビーム・プロジェクション・リソ
グラフィ用マスクおいて、前記支柱側シリコン基板３１
の支柱領域３１ａに位置する前記メンブレン３２に、ス
リット３４を形成したことを特徴とする電子ビーム・プ
ロジェクション・リソグラフィ用が示されている。
電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク
の第２の具体例を示す断面図であって、この図３には、
金属膜３３による転写パターンを形成したメンブレン３
２と、このメンブレン３２を支持する支柱側シリコン基
板３１とからなる電子ビーム・プロジェクション・リソ
グラフィ用マスクおいて、前記支柱側シリコン基板３１
の支柱領域３１ａに位置する前記メンブレン３２に、ス
リット３４を形成したことを特徴とする電子ビーム・プ
ロジェクション・リソグラフィ用が示されている。
【００３６】この具体例においても、前記スリット３４
は、前記メンブレン３２を貫通して形成されて、又、ス
リット３４は、前記転写パターンを囲むように設けられ
ている。
は、前記メンブレン３２を貫通して形成されて、又、ス
リット３４は、前記転写パターンを囲むように設けられ
ている。
【００３７】以下に、第２の具体例を更に詳細に説明す
る。図３は、本発明の第２の具体例のメンブレンマスク
の断面図である。
る。図３は、本発明の第２の具体例のメンブレンマスク
の断面図である。
【００３８】このメンブレンマスクは、図３に示すよう
に、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）３１の表面上に、厚さ１５００Å程度のシリコ
ン窒化膜３２を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。このシリ
コン窒化膜３２は、電子透過体（メンブレン）としての
役割を果たす。
に、直径２００ｍｍのシリコンウエーハ（支柱側シリコ
ン基板）３１の表面上に、厚さ１５００Å程度のシリコ
ン窒化膜３２を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。このシリ
コン窒化膜３２は、電子透過体（メンブレン）としての
役割を果たす。
【００３９】次に、シリコン窒化膜３２上にレジストを
回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、応
力解放口３４形成用のレジストパターンを形成する。そ
して、このレジストをマスクとして、レジスト開口部の
シリコン窒化膜３２をドライエッチング技術によりエッ
チングし、応力解放口３４を形成する。
回転塗布し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、応
力解放口３４形成用のレジストパターンを形成する。そ
して、このレジストをマスクとして、レジスト開口部の
シリコン窒化膜３２をドライエッチング技術によりエッ
チングし、応力解放口３４を形成する。
【００４０】次に、シリコン窒化膜３２上に、２００Å
程度のタングステン、クロム等の金属膜３３をスパッタ
法又はＣＶＤ法により成膜する。この金属膜３３は電子
散乱体としての役割を果たす。
程度のタングステン、クロム等の金属膜３３をスパッタ
法又はＣＶＤ法により成膜する。この金属膜３３は電子
散乱体としての役割を果たす。
【００４１】この金属膜３３上に、レジストを回転塗布
し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジストパ
ターンを形成する。そして、このレジストをマスクとし
てレジスト開口部の金属膜３３をドライエッチング技術
によりエッチングし、転写パターン３３を形成する。
し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジストパ
ターンを形成する。そして、このレジストをマスクとし
てレジスト開口部の金属膜３３をドライエッチング技術
によりエッチングし、転写パターン３３を形成する。
【００４２】最後に、支柱側シリコン基板３１の裏面側
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。即ち、シリ
コン窒化膜３２をエッチングストッパとして、シリコン
窒化膜３２が露出するまでバックエッチを行い、図３に
しめしたメンブレンマスクを形成する。
の所定の部分のみ開口したマスクを形成し、シリコンウ
ェットエッチングを行う（バックエッチ）。即ち、シリ
コン窒化膜３２をエッチングストッパとして、シリコン
窒化膜３２が露出するまでバックエッチを行い、図３に
しめしたメンブレンマスクを形成する。
【００４３】上記した第１及び第２の具体例では、始め
に転写パターンの形成を行い、その後、支柱側シリコン
基板の裏面からバックエッチを行うようにしたが、先に
支柱側シリコン基板のバックエッチを行い、その後、転
写パターンの形成を行うように構成しても、本発明の効
果を達成することが出来る。
に転写パターンの形成を行い、その後、支柱側シリコン
基板の裏面からバックエッチを行うようにしたが、先に
支柱側シリコン基板のバックエッチを行い、その後、転
写パターンの形成を行うように構成しても、本発明の効
果を達成することが出来る。
【００４４】又、上記した説明では、電子線リソグラフ
ィ用マスクに本発明を適用したが、これをＸ線リソグラ
フィ用マスク、イオン線リソグラフィ用マスクとして
も、本発明の効果が得られる。
ィ用マスクに本発明を適用したが、これをＸ線リソグラ
フィ用マスク、イオン線リソグラフィ用マスクとして
も、本発明の効果が得られる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、スリットが、マスク製
造時及び電子ビーム照射時に発生した応力を緩和するこ
とで、反りを防止し、その結果、転写パターンの位置精
度を向上させることを可能にした。
造時及び電子ビーム照射時に発生した応力を緩和するこ
とで、反りを防止し、その結果、転写パターンの位置精
度を向上させることを可能にした。
【図１】ウエーハの平面図である。
【図２】本発明の第１の具体例のステンシルマスクの断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の具体例のメンブレンマスクの断
面図である。
面図である。
【図４】従来のステンシルマスクの断面図である。
【図５】従来のメンブレンマスクの断面図である。
１１ 一括転写領域 １２ ウエーハ ２１、３１ 支柱側シリコン基板 ２２ シリコン酸化膜 ２３ パターン形成側シリコン基板 ２４ 転写パターン ２５、３４ 応力解放口 ３２ シリコン窒化膜 ３３ 金属膜
Claims (7)
- 【請求項１】 転写パターンが形成された第１のシリコ
ン基板と、この第１のシリコン基板に張り合わされた支
柱側の第２のシリコン基板とからなる電子ビーム・プロ
ジェクション・リソグラフィ用マスクおいて、 前記第２のシリコン基板の支柱領域に位置する前記第１
のシリコン基板に、スリットを形成したことを特徴とす
る電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マス
ク。 - 【請求項２】 金属膜による転写パターンを形成したメ
ンブレンと、このメンブレンを支持する支柱側シリコン
基板とからなる電子ビーム・プロジェクション・リソグ
ラフィ用マスクおいて、 前記支柱側シリコン基板の支柱領域に位置する前記メン
ブレンに、スリットを形成したことを特徴とする電子ビ
ーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスク。 - 【請求項３】 前記スリットは、前記転写パターンを囲
むように設けられていることを特徴とする請求項１又は
２記載の電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ
用マスク。 - 【請求項４】 前記スリットは、前記第１のシリコン基
板を貫通して形成されていることを特徴とする請求項１
又は３記載の電子ビーム・プロジェクション・リソグラ
フィ用マスク。 - 【請求項５】 前記スリットは、前記メンブレンを貫通
して形成されていることを特徴とする請求項２又は３記
載の電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マ
スク。 - 【請求項６】 転写パターンが形成された第１のシリコ
ン基板と、この第１のシリコン基板に張り合わされた支
柱側の第２のシリコン基板とからなる電子ビーム・プロ
ジェクション・リソグラフィ用マスクの製造方法であっ
て、 前記第２のシリコン基板の支柱領域に位置する前記第１
のシリコン基板に、スリットを形成し、且つこのスリッ
トは、前記転写パターンを形成する工程で同時に形成さ
れることを特徴とする電子ビーム・プロジェクション・
リソグラフィ用マスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記スリットは、前記転写パターンを囲
むように設けられていることを特徴とする請求項６記載
の電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マス
クの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000366649A JP2002170759A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法 |
| US09/996,733 US20020066870A1 (en) | 2000-12-01 | 2001-11-30 | Mask for electron beam projection lithography and method of fabricating the same |
| KR1020010075340A KR20020043184A (ko) | 2000-12-01 | 2001-11-30 | 전자빔프로젝션리소그래피용 마스크 및 그의 제조방법 |
| TW090129776A TW517281B (en) | 2000-12-01 | 2001-11-30 | Mask for electron beam projection lithography and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000366649A JP2002170759A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170759A true JP2002170759A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18837232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000366649A Pending JP2002170759A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子ビーム・プロジェクション・リソグラフィ用マスクとその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020066870A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002170759A (ja) |
| KR (1) | KR20020043184A (ja) |
| TW (1) | TW517281B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4282724B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2009-06-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | マイクロボールマウンタ用の振込みマスク |
| US11018229B2 (en) | 2018-09-05 | 2021-05-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures |
| US10707298B2 (en) | 2018-09-05 | 2020-07-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures |
| US10790145B2 (en) * | 2018-09-05 | 2020-09-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming crystallized materials from amorphous materials |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746681B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1995-05-17 | 富士通株式会社 | Ｘ線ステッパー用マスクの製造方法 |
| KR0119273B1 (en) * | 1993-12-03 | 1997-09-30 | Korea Electronics Telecomm | Fabrication method of x-ray mask |
| KR100196215B1 (ko) * | 1994-12-28 | 1999-06-15 | 구본준 | X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법 |
| JP2877190B2 (ja) * | 1996-01-09 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| KR100223023B1 (ko) * | 1996-08-21 | 1999-10-01 | 정선종 | X-선 마스크 |
| KR100310541B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-11-15 | 박종섭 | 스텐실 마스크 |
-
2000
- 2000-12-01 JP JP2000366649A patent/JP2002170759A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-30 US US09/996,733 patent/US20020066870A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-30 KR KR1020010075340A patent/KR20020043184A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-30 TW TW090129776A patent/TW517281B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020043184A (ko) | 2002-06-08 |
| US20020066870A1 (en) | 2002-06-06 |
| TW517281B (en) | 2003-01-11 |
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