KR910010645A - 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크 - Google Patents

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KR910010645A
KR910010645A KR1019900018204A KR900018204A KR910010645A KR 910010645 A KR910010645 A KR 910010645A KR 1019900018204 A KR1019900018204 A KR 1019900018204A KR 900018204 A KR900018204 A KR 900018204A KR 910010645 A KR910010645 A KR 910010645A
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KR
South Korea
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phase shift
memory semiconductor
semiconductor structure
shift mask
pattern layer
Prior art date
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KR1019900018204A
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Inventor
모리가즈 고니시
히데오 시미즈
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/15—Static random access memory [SRAM] devices comprising a resistor load element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

내용 없음

Description

메모리반도체구조 및 위상시프트마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예-1에 사용한 본원 발명에 관한 위상시프트마스크의 구성을 도시한 평면도.
제2도 (a),(b) 는 각각 실시예-1에 사용한 위상시프트마스크의 설명도.

Claims (2)

  1. 복수의 요소패턴을 가진 패턴층을 구비한 동시에, 동일셀내 또는 인접하는 셀에 있어서 서로 근접하는 평행 부분을 가진 요소패턴을 1조이상 가진 패턴층을 구비한 것을 특징으로 하는 메모리반도체구조.
  2. 노광파장에 대하여 투명한 기판상에 차광부와 광투과부와 위상시프트막을 가지며, 서로 근접한 평행부분을 가진 광투과부와 위상시프트막으로 이루어지는 조를 1조이상 가진 것을 특징으로 하는 메모리반도체장치 형성용의 위상시프트마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018204A 1989-11-15 1990-11-12 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크 KR100193873B1 (ko)

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JP89-296,775 1989-11-15
JP29677589A JP2946567B2 (ja) 1989-11-15 1989-11-15 メモリ半導体構造及び位相シフトマスク

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KR910010645A true KR910010645A (ko) 1991-06-29
KR100193873B1 KR100193873B1 (ko) 1999-06-15

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KR1019900018204A KR100193873B1 (ko) 1989-11-15 1990-11-12 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크

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JPH03156459A (ja) 1991-07-04
SG79913A1 (en) 2001-04-17
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