KR970016787A - 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 좁은 피치의 패턴들의 형성에 적합한 포토마스크의 구조에 관한 것으로, 차광막 패턴이 형성된 면과 반대되는 면의 포토마스크 위에 그레이팅 패턴을 형성하되, 그 가운데 부분에 불투명 물질로 위상반전영역을 형성함으로써, 사입사조명에 따른 어퍼쳐의 교환이 불필요하여 공정의 연속정이 보장된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3a도는 본 발명에 따른 포토마스크의 구조를 나타낸 단면도,
제 3b도는 제 3a도에서 그레이팅이 형성된 면의 평면도.
Claims (6)
- 한 면 위에 차광막 패턴(2)이 형성되는 투명기판(1)과, 상기 투명기판(1)의 다른 한 면 위에 형성되는 광회절용 그레이팅 패턴(3)을 포함하고 ; 상기 그레이팅 패턴(3)은 입사광의 위상을 반전시키고 상기 입사광의 투과율을 조절하기 위한 위상반전 및 투과율 조절영역(4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.
- 제 1항에 있어서, 상기 그레이팅 패턴(3)은 상기 투명기판(1)의 전면 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.
- 제 1항에 있어서, 상기 그레이팅 패턴(3)은 칩 영역에 대응되는 상기 투명기판(1)의 소정 영역 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위상반전 및 투과율 조절영역(4)은 상기 그레이팅 패턴(3)의 중앙에 형성되는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.
- 제 4항에 있어서, 상기 위상반전 및 투과율 조절 영역(4)은 반투명 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.
- 제 5항에 있어서, 상기 위상반전 및 투과율 조절 영역(4)은 상기 입사광의 위상을 180°로 반전시키고, 5 내지 30%의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031821A KR970016787A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031821A KR970016787A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016787A true KR970016787A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66616372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031821A KR970016787A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016787A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642399B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| US7465524B2 (en) | 2004-01-20 | 2008-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of controlling transmittance and phase of light using the photomask |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031821A patent/KR970016787A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7465524B2 (en) | 2004-01-20 | 2008-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of controlling transmittance and phase of light using the photomask |
| KR100642399B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
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