KR970022532A - 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크 - Google Patents
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Abstract
미세 패턴을 형성할 수 있으며, 동시에 그 패턴 크기를 증가시키는 것이 용이한 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 투명한 기판 및 차광막 패턴을 형성된 마스크로서, 인접한 차광막 패턴 사이에 다른 부분을 투과한 빛과 180도의 위상차를 가지는 위상 반전 보조 패턴 및 상기 차광막 패턴에 연결하여 상기 차광막 패턴 측면에 형성된 투과율 조절 패턴을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 마스크를 사용하여 형성된 포토레지스트 패턴은 사이의 간격을 충분히 최소화하여 종래의 경우에 비하여 상기 포토레지스트 패턴의 크기를 증가시켜서 후속 공정에서 접촉창의 정렬 여유를 증가시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 DRAM에서 종래의 방법으로 패드 폴리 패턴을 형성하기 위하여 사용하는 투과형 마스크를 보여주는 도면이다.
제2도는 본 발명에 따라 DRAM에서 패드 폴리 패턴을 형성하기 위하여 사용하는 위상 반전 마스크를 보여준다.
Claims (2)
- 투명한 기판 및 차광막 패턴을 형성된 마스크에 있어서, 인접한 차광막 패턴 사이에 다른 부분을 투과한 빛과 180도의 위상차를 가지는 위상 반전 보조 패턴 및 상기 차광막 패턴에 연결하여 상기 차광막 패턴 측면에 형성된 투과율 조절 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 보조 패턴은 광원의 파장 길이 보다 작은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039022A KR970022532A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039022A KR970022532A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970022532A true KR970022532A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66586840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950039022A KR970022532A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970022532A (ko) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950039022A patent/KR970022532A/ko not_active Application Discontinuation
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |