KR950009900A - 마스크 및 투영노광 방법 - Google Patents

마스크 및 투영노광 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950009900A
KR950009900A KR1019940022970A KR19940022970A KR950009900A KR 950009900 A KR950009900 A KR 950009900A KR 1019940022970 A KR1019940022970 A KR 1019940022970A KR 19940022970 A KR19940022970 A KR 19940022970A KR 950009900 A KR950009900 A KR 950009900A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
conductive film
thermal conductive
glass substrate
pattern
Prior art date
Application number
KR1019940022970A
Other languages
English (en)
Inventor
유지 이마이
Original Assignee
오노 시게오
가부시끼 가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 가부시끼 가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR950009900A publication Critical patent/KR950009900A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

피노광기판상에 노광하기 위한 소정의 패턴이 형성된 마스크는 유리기판의 열전도율보다 높은 열전도율을 지니는 열전도막을 갖는 것과, 상기 열전도막은 상기 유리기판의 표면을 거의 전면에 걸쳐서 덮도록 형성하는 것과, 상기 패턴은 상기 열전도막에 접하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

마스크 및 투명노광 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 노광 마스크의 구성을 도시한 개략도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 의한 노광 마스크의 구성을 도시한 개략도.

Claims (7)

  1. 유리기판과, 유리기판의 열전도율 보다 높은 열전도율을 지니는 열전도막을 포함하는 피노광 기판상에 노광하기 위한 소정의 패턴이 형성된 마스크에 있어서, 아기 열전도막은 상기 유리기판의 표면을 거의 전면에 걸쳐서 덮도록 형성되고, 상기 패턴은 상기 열 전도막에 접하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광을 위한 노광 광은 상기 열전도막을 투과하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 열전도막은 Au, Tio 또는 SnO2중 어느 것으로도 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 상기 유리 기판의 표면과 상기 열전도와의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 상기 유리 기판의 표면상에 형성된 상기 열전도막의 표면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 마스크를 소정 파장 영역의 조명광으로 조명하므로써 상기 마스크에 형성된 패턴의 상을 투영 광학계를 매개로 피노광기판상에 형성되는 투영 노광 방법에 있어서, 상기 마스크는 유리 기판과 상기 유리 기판의 열전도율 보다 높은 열전도율을 지니는 열전도막을 가지며, 상기 열전도막은 상기 유리 기판의 표면을 거의 전면에 걸쳐서 덮도록 형성되며, 상기 패턴은 상기 열전도막에 접하도록 형성하고, 상기 열전도막을 갖는 상기 마스크의 열변형에 따라서 발생하는 상기 투영 광학계의 상결정 특성의 변화를 보정하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 투영 광학계의 상결정 특성은 배율인 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940022970A 1993-09-14 1994-09-13 마스크 및 투영노광 방법 KR950009900A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-252386 1993-09-14
JP25238693A JPH0784357A (ja) 1993-09-14 1993-09-14 露光マスクおよび投影露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950009900A true KR950009900A (ko) 1995-04-26

Family

ID=17236605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940022970A KR950009900A (ko) 1993-09-14 1994-09-13 마스크 및 투영노광 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5633101A (ko)
JP (1) JPH0784357A (ko)
KR (1) KR950009900A (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3445045B2 (ja) * 1994-12-29 2003-09-08 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2729270B2 (ja) * 1995-10-12 1998-03-18 三洋電機株式会社 レーザ加工法
US6284413B1 (en) * 1998-07-01 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Method of manufacturing semicustom reticles using reticle primitives and reticle exchanger
DE10253919B4 (de) * 2002-11-19 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Justage eines Substrates in einem Gerät zur Durchführung einer Belichtung
CN101479637B (zh) * 2006-05-05 2011-09-21 康宁股份有限公司 准远心成像透镜的畸变调谐
CN101231470B (zh) * 2007-01-23 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 确定透镜组系统装置受热变形修正参数的方法
JP2009086094A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Hoya Corp マスクブランク及び転写用マスク
KR100901510B1 (ko) * 2007-11-07 2009-06-08 삼성전기주식회사 기판 제조 장치 및 그 방법
JP2010008604A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Hoya Corp マスクブランク及び転写用マスク
JP5771938B2 (ja) * 2010-10-14 2015-09-02 株式会社ニコン 露光方法、サーバ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR20180124100A (ko) 2016-03-18 2018-11-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4080267A (en) * 1975-12-29 1978-03-21 International Business Machines Corporation Method for forming thick self-supporting masks
EP0078336B1 (de) * 1981-10-30 1988-02-03 Ibm Deutschland Gmbh Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie
JPS58113706A (ja) * 1981-12-26 1983-07-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 水平位置検出装置
US4650983A (en) * 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
JPH0658410B2 (ja) * 1986-05-23 1994-08-03 株式会社ニコン ステ−ジ装置
JPH02235229A (ja) * 1989-03-08 1990-09-18 Ricoh Co Ltd 情報記録媒体製造用マスク
JP3049774B2 (ja) * 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
US5117255A (en) * 1990-09-19 1992-05-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0784357A (ja) 1995-03-31
US5633101A (en) 1997-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004514A (ko) 반사형 액정표시장치
KR950009900A (ko) 마스크 및 투영노광 방법
BR9307735A (pt) Dispositivo eletrocrÈmico e combinação eletrocrÈmica
KR910014732A (ko) 방향에 종속하는 선형 광원
KR900017310A (ko) 단일 패키지 전자 광학 송수신기
EP0228713A3 (en) Optical picture reader
KR880003388A (ko) 표시장치용면판
KR910013480A (ko) 디바이스의 제조방법 및 이 방법에 의한 마스크의 그룹
JPS5586061A (en) Thin type discharge lamp
KR910010645A (ko) 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크
JP2584773B2 (ja) 画像読取装置
KR970022531A (ko) 더미 패턴을 가지는 마스크
KR970075976A (ko) 액정표시장치 모듈
KR930004791A (ko) 하이 콘트라스트 화상을 제공할 수 있는 액정 라이트밸브
KR920013791A (ko) 엘렉트로 루미네센스 소자의 구조 및 제조 방법
KR970022532A (ko) 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크
KR960001928A (ko) 이동광학계 조립체
KR900002109A (ko) 블랙 마스크(Black Mask)층을 형성한 네가티브형 칼라 액정표시 소자의 제조방법
KR850007225A (ko) 가변성 거울의 제조방법
JPH11174418A (ja) 液晶表示装置
KR970022514A (ko) Psm의 구조
KR940027451A (ko) 완전 밀착형 이미지 센서
KR950007602A (ko) 광원 일체 밀착형 이미지 센서
KR970022554A (ko) 미세 패턴 형성을 위한 마스크
KR930013820A (ko) 액정 표시 소자의편광장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid