KR910013480A - 디바이스의 제조방법 및 이 방법에 의한 마스크의 그룹 - Google Patents

디바이스의 제조방법 및 이 방법에 의한 마스크의 그룹 Download PDF

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빌렘 겜민크 얀
헨드리쿠스 마리아 게르트스 빌헬무스
디쎌 마르셀
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프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음.

Description

디바이스의 제조방법 및 이 방법에 의한 마스크의 그룹
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 및 제1b도는 본원의 방법에 의한 제조 단계에 있어, 디바이스 부분의 개략적 단면도,
제2도는 본원에 따른 마스크의 그룹 부분에 대한 개략적 평면도,
제3도는 본원에 따른 또 다른 마스크의 그룹 부분에 대한 평면도.

Claims (9)

  1. 포토리소그래픽 열처리에 있어서, 적어도 2개의 부분 마스크는 동일 기판에 대해 정렬되고, 포토레지스트층은 피복 접속 영역을 갖는 접속 영상을 구하기 위하여 상기 마스크를 통해 조명을 받고, 접속 영역에서 제1부분 마스크를 통한 제1조명은 단부 방향으로 상위 표준 회색 색표 조명 감소)로 포토레지스트층내의 상세 부분의 제1절반을 형성하고, 제2부분 마스크를 통한 제2조명은 단부 방향으로 상위의 표준획색색표(조명 감소)로 제1절반부에 대응하는 포토레지스트층내의 제2절반부를 형성하며, 후자의 단부는 전자의 단부를 피복하며, 상위 표준 색표는 제1조명시 형성된 표준 회색 색표를 보완하며, 전체적으로 상세 부분의 전체 조명은 2개의 조명에 의해서 구해지는 구성의 디바이스 제조 방법에 있어서, 상기 보완적 표준 회색 색표는 투명 영역의 단부에서 투명도에 대해 네가티브 경사를 갖는 부분 마스크를 통한 조명에 의해 구해지며, 상기 경사는 달성된 표준 회색 색표 대응하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  2. 각 부분 마스크는 포토레지스트층에서 중복 접속 영역을 구하기 위해 적어도 하나의 주변 영역을 가지며, 2개의 주변 영역인 이것의 한 단부가 다른 한 단부에서 대응하는 투명 영역의 단부를 구비하는 적어도 2개의 부분 마스크를 구비한 마스크그룹에 있어서, 투명 영역의 대응단부는 보완적인 네가티브 투명 경사를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  3. 제2항에 있어서, 부분 마스크내의 연결선은 톱니 형태인 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  4. 제2항에 있어서, 부분 마스크 단부는 연결선에 평행하는 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  5. 제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 부분 마스크의 주변 영역내의 투명 영역의 단부는 광이 흡수되지 않고, 갯수 및 규격면에서 증가하며, 사용된 영상계의 해상 전력의 제한으로 인해 연속적으로 상기 맺히는 이산 영역들을 구비한 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  6. 제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 부분 마스크의 주변 영역내에 투명 영역 단부의 투명 경사는 연속적인 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 부분 마스크는 네가티브 투명 경사에 대응하는 투명 영역의 단부에서 은 농도의 증가로 글래스 기판에서 안정된 은 입자로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 그룹.
  8. 반도체 디바이스의 제조시 제2항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따른 마스크 그룹의 사용.
  9. 액정 표시 장치의 제조시 제2항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따른 마스크 그룹의 사용.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900020873A 1989-12-20 1990-12-18 디바이스의 제조방법 및 이것에 사용하는 마스크군 KR100204194B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784665B1 (ko) * 2005-12-22 2007-12-12 두산메카텍 주식회사 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69430696T2 (de) * 1993-12-07 2003-01-30 Toshiba Kawasaki Kk Herstellungsverfahren für eine anzeigeanordnung
BE1007860A3 (nl) * 1993-12-08 1995-11-07 Koninkl Philips Electronics Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij deelpatronen bevattende fotomaskers op elkaar aansluitend worden geprojecteerd op een laag fotolak.
US5792591A (en) * 1993-12-08 1998-08-11 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another
US5523580A (en) * 1993-12-23 1996-06-04 International Business Machines Corporation Reticle having a number of subfields
US5914205A (en) * 1996-12-27 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another
GB2382156A (en) * 2001-11-15 2003-05-21 Marconi Optical Components Ltd Manufacture of optical devices
JP2011205042A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd プリント配線板の製造方法
FR2993097B1 (fr) * 2012-07-05 2015-05-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif imageur cmos a geometrie optimisee et procede de realisation d'un tel dispositif par photocomposition
JP6745712B2 (ja) 2016-11-30 2020-08-26 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4231811A (en) * 1979-09-13 1980-11-04 Intel Corporation Variable thickness self-aligned photoresist process
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
JP2794794B2 (ja) * 1989-06-19 1998-09-10 富士通株式会社 フォトマスク及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784665B1 (ko) * 2005-12-22 2007-12-12 두산메카텍 주식회사 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
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JPH049846A (ja) 1992-01-14
DE69020704T2 (de) 1996-03-07
DE69020704D1 (de) 1995-08-10
NL8903108A (nl) 1991-07-16

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