JPH0772791B2 - デバイスの製造方法およびこれに使用するマスク群 - Google Patents
デバイスの製造方法およびこれに使用するマスク群Info
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- JPH0772791B2 JPH0772791B2 JP41127890A JP41127890A JPH0772791B2 JP H0772791 B2 JPH0772791 B2 JP H0772791B2 JP 41127890 A JP41127890 A JP 41127890A JP 41127890 A JP41127890 A JP 41127890A JP H0772791 B2 JPH0772791 B2 JP H0772791B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- G—PHYSICS
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトリソグラフィー処
理において、少くとも２個の部分マスクを同一基板に対
して整列させ、次いでオーバーラップした接続領域を有
する像を得るために前記部分マスクを介してホトレジス
ト層を逐次露光し、この際第１部分マスクを介する前記
接続領域における第１露光によってホトレジスト層に第
１ディテール端部に向けて次第に増大するグレイスケー
ル（透過光は次第に減少する）を有する第１ディテール
半部を形成し、第２部分マスクを介する第２露光によっ
て前記ホトレジスト層に前記第１ディテール半部に対応
し端部に向けて次第に増大するグレースケール（透過光
は次第に減少する）を有する第２ディテール半部を形成
して前記第１および第２のディテール半部の端部を互に
オーバーラップさせ、前記第２露光中に形成するグレイ
スケールを前記第１露光中に形成するグレイスケールと
相補させ、２回の露光によって全体として完全なディテ
ールの露光を達成することによって、デバイスを製造す
る方法に関するものである。
理において、少くとも２個の部分マスクを同一基板に対
して整列させ、次いでオーバーラップした接続領域を有
する像を得るために前記部分マスクを介してホトレジス
ト層を逐次露光し、この際第１部分マスクを介する前記
接続領域における第１露光によってホトレジスト層に第
１ディテール端部に向けて次第に増大するグレイスケー
ル（透過光は次第に減少する）を有する第１ディテール
半部を形成し、第２部分マスクを介する第２露光によっ
て前記ホトレジスト層に前記第１ディテール半部に対応
し端部に向けて次第に増大するグレースケール（透過光
は次第に減少する）を有する第２ディテール半部を形成
して前記第１および第２のディテール半部の端部を互に
オーバーラップさせ、前記第２露光中に形成するグレイ
スケールを前記第１露光中に形成するグレイスケールと
相補させ、２回の露光によって全体として完全なディテ
ールの露光を達成することによって、デバイスを製造す
る方法に関するものである。
【０００２】前記オーバーラップした接続領域はホトレ
ジスト層に結像させたディテール半部の端部によって形
成される。
ジスト層に結像させたディテール半部の端部によって形
成される。
【０００３】
【従来の技術】冒頭に記載した方法は「オプティカル／
レーザ・マイクロリソグラフィー（Optical ／Laser Mi
crolithography) 」922,第188 〜193 頁(1988)に記載さ
れているジェイ・ピー・ロミンガー(J.P.Rominger)担当
の「シームレス・スティッチング・フォア・ラージ・エ
イリア・インテグレイテッド・サーキット・マヌファク
チュアリング(Seemless Stiching for Large Area Inte
grated Circuit Manufacturing) 」から既知である。
レーザ・マイクロリソグラフィー（Optical ／Laser Mi
crolithography) 」922,第188 〜193 頁(1988)に記載さ
れているジェイ・ピー・ロミンガー(J.P.Rominger)担当
の「シームレス・スティッチング・フォア・ラージ・エ
イリア・インテグレイテッド・サーキット・マヌファク
チュアリング(Seemless Stiching for Large Area Inte
grated Circuit Manufacturing) 」から既知である。
【０００４】ディテールを次第に小さくすることが半導
体集積回路の装置において必要であり、このために高解
像度の結像系、いわゆるウエハステッパが使用される。
体集積回路の装置において必要であり、このために高解
像度の結像系、いわゆるウエハステッパが使用される。
【０００５】しかし、ステッパの結像フィールドは大き
さが限定されている。表面積を次第に大きくすることが
集積回路にとって必要であるから、半導体デバイスが結
像フィールドに適合しなくなることがある。しかし、こ
のようなデバイスを製造しようとする場合には、マスク
を複数個の部分マスクに分けることができ、次いでこれ
らの部分マスクを使用して半導体スライス上に結像させ
ることができる。
さが限定されている。表面積を次第に大きくすることが
集積回路にとって必要であるから、半導体デバイスが結
像フィールドに適合しなくなることがある。しかし、こ
のようなデバイスを製造しようとする場合には、マスク
を複数個の部分マスクに分けることができ、次いでこれ
らの部分マスクを使用して半導体スライス上に結像させ
ることができる。
【０００６】部分マスクを介して逐次露光を行った場合
に回路の対応するディテールを互に不都合なく合体させ
るために、隣接する像のディテールの端部に前記像の接
続領域において相補的グレイスケールを与える。
に回路の対応するディテールを互に不都合なく合体させ
るために、隣接する像のディテールの端部に前記像の接
続領域において相補的グレイスケールを与える。
【０００７】上述の刊行物には、結像面に半影が得られ
るように、結像系の物体面内に位置していない特別なマ
スクを使用マスクと組み合わせることによりグレイスケ
ールを得る方法が記載されている。
るように、結像系の物体面内に位置していない特別なマ
スクを使用マスクと組み合わせることによりグレイスケ
ールを得る方法が記載されている。
【０００８】この最後に記載した製造方法は下記のよう
ないくつかの欠点を有する： 1. マスクを製造するために特別なプロセス工程が必要
になる。 2. 結像系がテレセントリック系でない場合には、結像
面における半影の接続領域に対する位置が、接続領域と
結像系の光軸との間の距離に依存する。 3. 部分マスクの対応する端部を真直ぐな連結線上で終
端させる必要がある。このため回路設計の可能性が限定
される。連結線は部分マスクにおける隣接するディテー
ルの２個の端部を連結し分割する線であり、これらの端
部における部分マスクの近くの端縁に実質的に平行に延
在する線である。 4. 連結線に平行に延在する部分マスクの端部間の連結
はあまり良好にすることができない。 5. 隣接する像の間に極めて幅広の接続領域、すなわち
150 〜1000μｍ程度の接続領域が必要である。
ないくつかの欠点を有する： 1. マスクを製造するために特別なプロセス工程が必要
になる。 2. 結像系がテレセントリック系でない場合には、結像
面における半影の接続領域に対する位置が、接続領域と
結像系の光軸との間の距離に依存する。 3. 部分マスクの対応する端部を真直ぐな連結線上で終
端させる必要がある。このため回路設計の可能性が限定
される。連結線は部分マスクにおける隣接するディテー
ルの２個の端部を連結し分割する線であり、これらの端
部における部分マスクの近くの端縁に実質的に平行に延
在する線である。 4. 連結線に平行に延在する部分マスクの端部間の連結
はあまり良好にすることができない。 5. 隣接する像の間に極めて幅広の接続領域、すなわち
150 〜1000μｍ程度の接続領域が必要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上述の
欠点を少くとも実質的に克服することにある。
欠点を少くとも実質的に克服することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は、冒頭
に記載した方法において、前記相補的グレイスケール
を、形成すべき次第に増大するグレイスケールに対応す
る負の透明度勾配を透明領域端部に有する部分マスクを
介して露光することにより、形成することを特徴とす
る。
に記載した方法において、前記相補的グレイスケール
を、形成すべき次第に増大するグレイスケールに対応す
る負の透明度勾配を透明領域端部に有する部分マスクを
介して露光することにより、形成することを特徴とす
る。
【００１１】本発明は、半透明部分に透明度勾配が存在
している部分マスクを使用することにより、上述の欠点
を実質的に回避できることを見い出したことに基く。
している部分マスクを使用することにより、上述の欠点
を実質的に回避できることを見い出したことに基く。
【００１２】本発明方法に使用するマスクを製造するた
めに、特別な処理工程を必要としない。しかも、結像系
がテレセントリックでない場合には、接続領域に対する
結像フィールドにおける半影位置は、接続領域と結像系
の光軸との間の距離とは無関係である。
めに、特別な処理工程を必要としない。しかも、結像系
がテレセントリックでない場合には、接続領域に対する
結像フィールドにおける半影位置は、接続領域と結像系
の光軸との間の距離とは無関係である。
【００１３】隣接する像と像との間の接続領域は、本発
明方法においては、10μｍより幅広にする必要はない。
明方法においては、10μｍより幅広にする必要はない。
【００１４】また、本発明は、少なくとも２個の部分マ
スクを具え、各部分マスクをホトレジスト層にオーバー
ラップした接続領域を形成するための少くとも１個の周
縁領域を有し、該２個の周縁領域は透明領域の端部を有
し、一方の周縁領域における前記端部が他方の周縁領域
における端部に対応しているマスク群に関するものであ
る。
スクを具え、各部分マスクをホトレジスト層にオーバー
ラップした接続領域を形成するための少くとも１個の周
縁領域を有し、該２個の周縁領域は透明領域の端部を有
し、一方の周縁領域における前記端部が他方の周縁領域
における端部に対応しているマスク群に関するものであ
る。
【００１５】本発明のマスク群においては、透明領域の
互に対応する端部が相補的な負の透明度勾配を有するこ
とを特徴とする。
互に対応する端部が相補的な負の透明度勾配を有するこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明のマスク群においては、現在の技術
のマスク群とは反対に、部分マスクにおける連結線はの
こぎり歯の形状を有することができ、あるいは部分マス
クにおける端部は連結線に平行に延在させることができ
る。
のマスク群とは反対に、部分マスクにおける連結線はの
こぎり歯の形状を有することができ、あるいは部分マス
クにおける端部は連結線に平行に延在させることができ
る。
【００１７】本発明のマスクにおける周縁領域は極めて
幅狭（例えば幅約10μｍ）である。従って、このような
マスクは半導体デバイスの製造に使用するのが好まし
い。
幅狭（例えば幅約10μｍ）である。従って、このような
マスクは半導体デバイスの製造に使用するのが好まし
い。
【００１８】しかし、本発明のマスク群の使用は半導体
デバイスの製造に限定されるものではない。また、本発
明方法および本発明のマスク群は、例えば、液晶表示装
置の製造に使用することができる。この場合には表示す
べき画像細部が著しく大きくなり、またこの場合には著
しく広い表面を互に整列させる必要があることが問題に
なるので、この場合には本発明方法および本発明のマス
ク群を使用するのが有利である。
デバイスの製造に限定されるものではない。また、本発
明方法および本発明のマスク群は、例えば、液晶表示装
置の製造に使用することができる。この場合には表示す
べき画像細部が著しく大きくなり、またこの場合には著
しく広い表面を互に整列させる必要があることが問題に
なるので、この場合には本発明方法および本発明のマス
ク群を使用するのが有利である。
【００１９】ここに「マスク群」という用語を使用する
のは、類似の用語例えばマスクセットと区別するためで
あって、この用語はマスク群が単一ホトレジスト層に１
個のデバイスに相当する露光を行うための部分マスクか
ら構成されていることを示す。
のは、類似の用語例えばマスクセットと区別するためで
あって、この用語はマスク群が単一ホトレジスト層に１
個のデバイスに相当する露光を行うための部分マスクか
ら構成されていることを示す。
【００２０】ここに「相補的透明度勾配」とは、接続領
域において露光されるホトレジスト層の各点において、
また前記ホトレジストのあらゆる点において、部分マス
クの透明度の合計は１に等しいので、このような点のそ
れぞれにおいてグレイスケールは２回の露光操作後に相
殺されることを意味するものとする。
域において露光されるホトレジスト層の各点において、
また前記ホトレジストのあらゆる点において、部分マス
クの透明度の合計は１に等しいので、このような点のそ
れぞれにおいてグレイスケールは２回の露光操作後に相
殺されることを意味するものとする。
【００２１】本発明のマスク群はマスク製造装置によっ
て製造される。
て製造される。
【００２２】本発明のマスク群の一例においては、部分
マスクの周縁領域における透明領域端部の透明度勾配は
連続的勾配である。このようなマスク群においては、部
分マスクはガラス基板中の安定化銀粒子からなり、透明
領域の端部における銀濃度が負の透明度勾配に対応して
増大しているものが好ましい。
マスクの周縁領域における透明領域端部の透明度勾配は
連続的勾配である。このようなマスク群においては、部
分マスクはガラス基板中の安定化銀粒子からなり、透明
領域の端部における銀濃度が負の透明度勾配に対応して
増大しているものが好ましい。
【００２３】一般に「部分マスクの透明度勾配」という
用語は、部分マスクの周縁領域端部の透明度が、ホトレ
ジスト層の露光に対する作用に関して、実際上連続的に
延在していることを意味するものとする。
用語は、部分マスクの周縁領域端部の透明度が、ホトレ
ジスト層の露光に対する作用に関して、実際上連続的に
延在していることを意味するものとする。
【００２４】従って、本発明のマスク群の一例において
は、部分マスクの周縁領域における透明領域端部は光不
透過性の個々の領域を有し、これらの個々の領域は数お
よび大きさの少くとも一方において増大し、かつ使用す
る結像系の解像力の限界のために必要な負の透明度勾配
において連続的に形成されているのが好ましい。このよ
うなマスク群においては、部分マスクは透明基板に形成
され部分マスクに必要なパターンを有するクロム層から
構成されることが多い。照射強度は、マスク発生装置を
使用してこのようなマスク群を形成した場合には、変化
させる必要がない。
は、部分マスクの周縁領域における透明領域端部は光不
透過性の個々の領域を有し、これらの個々の領域は数お
よび大きさの少くとも一方において増大し、かつ使用す
る結像系の解像力の限界のために必要な負の透明度勾配
において連続的に形成されているのが好ましい。このよ
うなマスク群においては、部分マスクは透明基板に形成
され部分マスクに必要なパターンを有するクロム層から
構成されることが多い。照射強度は、マスク発生装置を
使用してこのようなマスク群を形成した場合には、変化
させる必要がない。
【００２５】また、ガラス基板中に銀沈澱を有する部分
マスクからなるマスク群は、個々の領域が光不透過性端
部に存在するように構成することができる。
マスクからなるマスク群は、個々の領域が光不透過性端
部に存在するように構成することができる。
【００２６】
【実施例】次に本発明を図面を参照して実施例について
説明する。図1aおよび1bに示すように、冒頭に記載した
方法によってデバイス、例えばテレビジョンカメラ用イ
メージセンサのような半導体デバイスを製造する。ホト
リソグラフィー操作において、少くとも２個の部分マス
ク１および２を同一基板３例えばシリコンスライスに対
して交互に整列させ、これらの部分マスク１および２を
介して基板３の上のホトレジスト層４を露光してオーバ
ーラップした領域７，８を有する隣接する像５，６を得
る。
説明する。図1aおよび1bに示すように、冒頭に記載した
方法によってデバイス、例えばテレビジョンカメラ用イ
メージセンサのような半導体デバイスを製造する。ホト
リソグラフィー操作において、少くとも２個の部分マス
ク１および２を同一基板３例えばシリコンスライスに対
して交互に整列させ、これらの部分マスク１および２を
介して基板３の上のホトレジスト層４を露光してオーバ
ーラップした領域７，８を有する隣接する像５，６を得
る。
【００２７】上述の露光はウエハステッパにより常法に
従って行うことができる。
従って行うことができる。
【００２８】このためには、第１部分マスクを介する接
続区域７，８における第１露光によって、ホトレジスト
層４の第１ディテール半部５に、その端部７に向けて次
第に増大するグレースケール（透過光は次第に減少す
る）を形成し、次いで第２部分マスク２を介する第２露
光によって、ホトレジスト層４に第１ディテール半部５
に対応し端部に向けて次第に増大するグレースケール
（透過光は次第に減少する）を有する第２ディテール半
部６を形成し、前記グレースケールを第１露光中に第２
ディテール半部６の端部８に形成するグレースケールと
相補させ、前記端部８を前記端部７とオーバーラップさ
せ、これらの２回の露光によって接続領域７，８におい
てディテール全体を完全に露光する。
続区域７，８における第１露光によって、ホトレジスト
層４の第１ディテール半部５に、その端部７に向けて次
第に増大するグレースケール（透過光は次第に減少す
る）を形成し、次いで第２部分マスク２を介する第２露
光によって、ホトレジスト層４に第１ディテール半部５
に対応し端部に向けて次第に増大するグレースケール
（透過光は次第に減少する）を有する第２ディテール半
部６を形成し、前記グレースケールを第１露光中に第２
ディテール半部６の端部８に形成するグレースケールと
相補させ、前記端部８を前記端部７とオーバーラップさ
せ、これらの２回の露光によって接続領域７，８におい
てディテール全体を完全に露光する。
【００２９】本発明においては、相補的グレースケール
は部分マスク１，２を介して露光することによって得ら
れ、部分マスク１，２は形成しようとする次第に増大す
るグレースケールに対応する負の透明度勾配を透明領域
11，12の端部９，10に有する。
は部分マスク１，２を介して露光することによって得ら
れ、部分マスク１，２は形成しようとする次第に増大す
るグレースケールに対応する負の透明度勾配を透明領域
11，12の端部９，10に有する。
【００３０】部分マスクのパターンはホトレジスト層に
縮小結像させることが多い。この点に関しては明瞭にす
るための図示を行わなかった。ホトレジスト層４は通常
のポジ型ホトレジスト層とすることができ、基板３はシ
リコンスライスとすることができ，シリコンスライスに
は例えば予め堆積段階およびエッチング段階において通
常の処理を施すことができる。
縮小結像させることが多い。この点に関しては明瞭にす
るための図示を行わなかった。ホトレジスト層４は通常
のポジ型ホトレジスト層とすることができ、基板３はシ
リコンスライスとすることができ，シリコンスライスに
は例えば予め堆積段階およびエッチング段階において通
常の処理を施すことができる。
【００３１】本発明方法においては、第２図に示すよう
に、少くとも２個の部分マスク１および２からなり、各
部分マスクが少くとも１個の周縁領域22，23を有するマ
スク群を使用してホトレジスト層４にオーバーラップし
た接続領域７，８を形成し、透明領域11の端部９および
透明区域12の端部10をそれぞれ周縁区域22および23に存
在させ、一方の周縁区域22における端部９を他方の周縁
区域23における端部10と対応させる。
に、少くとも２個の部分マスク１および２からなり、各
部分マスクが少くとも１個の周縁領域22，23を有するマ
スク群を使用してホトレジスト層４にオーバーラップし
た接続領域７，８を形成し、透明領域11の端部９および
透明区域12の端部10をそれぞれ周縁区域22および23に存
在させ、一方の周縁区域22における端部９を他方の周縁
区域23における端部10と対応させる。
【００３２】本発明においては、互に対応する透明領域
11，12の端部９，10は相補的な負の透明度勾配を有す
る。
11，12の端部９，10は相補的な負の透明度勾配を有す
る。
【００３３】本発明のマスク群では部分マスクの連結線
２１をのこぎりの歯の形にすることができる。
２１をのこぎりの歯の形にすることができる。
【００３４】また、部分マスクにおける透明領域の端部
９，10を連結線31と平行に延在させることができる（第
３図参照）。
９，10を連結線31と平行に延在させることができる（第
３図参照）。
【００３５】マスク群はマスク製造装置により常法で製
造することができる。
造することができる。
【００３６】部分マスク１，２の周縁領域22，23におけ
る透明領域11，12の端部９，10は、例えば、ガラス基板
上の個々の領域であって、これらの領域は光不透過性で
あり、例えばクロムパターンにおいて、数および大きさ
の少くとも一方が増大する。これらの個々の領域は、使
用する結像系の解像力に限界があるため、所望の透明度
勾配を有する像を連続的に形成することができる大きさ
とする。
る透明領域11，12の端部９，10は、例えば、ガラス基板
上の個々の領域であって、これらの領域は光不透過性で
あり、例えばクロムパターンにおいて、数および大きさ
の少くとも一方が増大する。これらの個々の領域は、使
用する結像系の解像力に限界があるため、所望の透明度
勾配を有する像を連続的に形成することができる大きさ
とする。
【００３７】所望に応じて、２個より多い部分マスク、
例えば、４個の部分マスクを使用することかできる。本
発明方法においてはポジ型ならびにネガ型ホトレジスト
材料を使用することができる。
例えば、４個の部分マスクを使用することかできる。本
発明方法においてはポジ型ならびにネガ型ホトレジスト
材料を使用することができる。
【００３８】
【図１】(a) は本発明方法の第一段階におけるデバイス
の一部の断面図である。 (b) は本発明方法の第二段階におけるデバイスの一部の
断面図である。
の一部の断面図である。 (b) は本発明方法の第二段階におけるデバイスの一部の
断面図である。
【図２】本発明のマスク群の一例の一部の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明のマスク群の他の例の一部の平面図であ
る。
る。
1，2 部分マスク 3 基板 4 ホトレジスト層 5，6 像（ディテール半部） 7，8 接続領域（ディテール半部の端部） 9 ，10 透明領域端部 11，12 透明領域 21 連結線 22，23 周縁領域 31 連結線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルセル ディセル オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェンフルーネバウツウェッハ１ (56)参考文献 特開 平３−21952（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】ホトリソグラフィー処理において、少くと
も２個の部分マスクを同一基板に対して整列させ、次い
でオーバーラップした接続領域を有する像を得るために
前記部分マスクを介してホトレジスト層を逐次露光し、
この際第１部分マスクを介する前記接続領域における第
１露光によってホトレジスト層に第１ディテール端部に
向けて増大するグレイスケール（透過光は次第に減少す
る）を有する第１ディテール半部を形成し、第２部分マ
スクを介する第２露光によって前記ホトレジスト層に前
記第１ディテール半部に対応し端部に向けて次第に増大
するグレースケール（透過光は次第に減少する）を有す
る第２ディテール半部を形成して前記第１および第２の
ディテール（半部）の端部を互にオーバーラップさせ、
前記第２露光中に形成するグレイスケールを前記第１露
光中に形成するグレイスケールと相補させ、２回の露光
によって全体として完全なディテールの露光を達成する
ことによって、デバイスを製造するに当り、 前記相補的グレイスケールを、形成すべき次第に増大す
るグレイスケールに対応する負の透明度勾配を透明領域
端部に有する部分マスクを介して露光することにより、
形成することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項２】少くとも２個の部分マスクを具え、各部分
マスクがホトレジスト層にオーバーラップした接続領域
を形成するための少くとも１個の周縁領域を有し、２個
の周縁領域が透明領域端部を構成し、一方の周縁領域に
おける前記端部が他方の周縁領域における端部に対応し
ているマスク群において、 前記透明領域の互に対応する端部が相補的な負の透明度
勾配を有することを特徴とするマスク群。 - 【請求項３】部分マスクにおける連結線がのこぎり歯の
形状を有することを特徴とする請求項２記載のマスク
群。 - 【請求項４】部分マスクにおける端部は連結線に平行に
延在することを特徴とする請求項２記載のマスク群。 - 【請求項５】部分マスクの周縁領域における透明領域端
部は光不透過性の個々の領域を有し、これらの個々の領
域は数および大きさの少くとも一方において増大し、か
つ使用する結像系の解像力の限界のために連続的に形成
されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一
つの項に記載のマスク群。 - 【請求項６】部分マスクの周縁領域における透明領域端
部の透明度勾配は連続的勾配であることを特徴とする請
求項２〜４のいずれか一つの項に記載のマスク群。 - 【請求項７】部分マスクはガラス基板中の安定化銀粒子
からなり、透明領域の端部における銀濃度は負の透明度
勾配に対応して増大していることを特徴とする請求項５
又は６に記載のマスク群。 - 【請求項８】請求項２〜７のいずれか一つの項に記載の
マスク群を使用することを特徴とする半導体デバイス製
造方法。 - 【請求項９】請求項２〜７のいずれか一つの項に記載の
マスク群を使用することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| NL8903108 | 1989-12-20 | ||
| NL8903108A NL8903108A (nl) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049846A JPH049846A (ja) | 1992-01-14 |
| JPH0772791B2 true JPH0772791B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=19855803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41127890A Expired - Lifetime JPH0772791B2 (ja) | 1989-12-20 | 1990-12-18 | デバイスの製造方法およびこれに使用するマスク群 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH0772791B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69020704T2 (ja) |
| NL (1) | NL8903108A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5792591A (en) * | 1993-12-08 | 1998-08-11 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another |
| BE1007860A3 (nl) * | 1993-12-08 | 1995-11-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij deelpatronen bevattende fotomaskers op elkaar aansluitend worden geprojecteerd op een laag fotolak. |
| US5523580A (en) * | 1993-12-23 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Reticle having a number of subfields |
| US5914205A (en) * | 1996-12-27 | 1999-06-22 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another |
| GB2382156A (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Marconi Optical Components Ltd | Manufacture of optical devices |
| KR100784665B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-12-12 | 두산메카텍 주식회사 | 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법 |
| JP2011205042A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| FR2993097B1 (fr) * | 2012-07-05 | 2015-05-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif imageur cmos a geometrie optimisee et procede de realisation d'un tel dispositif par photocomposition |
| JP6745712B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-08-26 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4231811A (en) * | 1979-09-13 | 1980-11-04 | Intel Corporation | Variable thickness self-aligned photoresist process |
| US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
| JP2794794B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1998-09-10 | 富士通株式会社 | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-20 NL NL8903108A patent/NL8903108A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-12-13 EP EP90203311A patent/EP0434142B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-13 DE DE69020704T patent/DE69020704T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-18 JP JP41127890A patent/JPH0772791B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-18 KR KR1019900020873A patent/KR100204194B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE69020704D1 (de) | 1995-08-10 |
| EP0434142A1 (en) | 1991-06-26 |
| KR100204194B1 (ko) | 1999-06-15 |
| EP0434142B1 (en) | 1995-07-05 |
| JPH049846A (ja) | 1992-01-14 |
| NL8903108A (nl) | 1991-07-16 |
| KR910013480A (ko) | 1991-08-08 |
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