JPH09329888A

JPH09329888A - 位相シフトマスクパターン

Info

Publication number: JPH09329888A
Application number: JP15108296A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Kuwabara; 和幸桑原; Toshio Onodera; 俊雄小野寺; Hiroshi Otsuka; 大塚　　博
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-06-12
Filing date: 1996-06-12
Publication date: 1997-12-22

Abstract

(57)【要約】【課題】結像位置を確認・調整するのに好適な位相シ
フトマスクパターンを提供すること。【解決手段】長方形の遮光パターン１１と、遮光パタ
ーン１１を挟んでその長辺の両側に、長辺に接して設け
られた第１の位相シフタパターン１３ａおよび第２の位
相シフタパターン１３ｂとから構成され、全体として長
方形をなしている。遮光パターン１１の中心を通り、長
辺に平行な軸Ｓに対して第１および第２の位相シフタパ
ターン１３ａ、１３ｂは線対称に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、位相シフトマス
クパターンに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、露光装置の結像位置の確認・調整
を行うためには、確認・調整用マスクを用いて実際にフ
ォトレジスト膜をパターニングする。そして、その結果
に基づいて、露光装置の結像位置の確認・調整を行う。
例えば、光源とＸ−Ｙステージとの間の距離をある一定
の範囲で変化させてフォトレジスト膜をパターニングす
る。その際、同一寸法、同一形状のパターンを有する確
認・調整用マスクを用いる。そして、同一露光量の条件
の下、得られたレジストパターンの存在範囲やレジスト
パターンの寸法、形状を比較して、結像位置の確認・調
整を行う。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置の結像位置の確認・調整方法では、いちいちフ
ォトレジスト膜をパターニングし、その結果に基づい
て、結像位置の確認・調整を行わなければならない。そ
して、その判断は人間により行われるため、個人差が生
じていた。

【０００４】また、フォトレジスト膜をパターニングし
て得られる結果は、レジスト材料などによっても異なる
ため、結像位置の確認・調整は面倒であった。

【０００５】また、特に位相差マスクを用いてフォトレ
ジスト膜をパターニングする場合には、結像位置からの
ずれ方向、すなわち結像位置となる位置よりも光源とＸ
−Ｙステージとの間の距離が近づくか、遠ざかるかによ
って、得られるレジストパターンの形状が対称的に変化
しない。要するに、得られるレジストパターンの形状が
異なるため、結像位置の確認・調整は困難であった。さ
らに、位相シフタパターンの位相誤差によっても、結像
位置が変化するため、その確認・調整は困難であった。

【０００６】そのため、この出願に係る発明者は種々の
検討を重ねた結果、遮光パターンと位相シフタパターン
とから構成される位相シフトマスクパターンを用いる
と、容易に結像位置を確認・調整することができるとい
う結論に達した。そして、結像位置を確認・調整するの
に好適な位相シフトマスクパターンの出現が望まれてい
た。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このため、この発明の第
１の位相シフトマスクパターンによれば、遮光パターン
と、該遮光パターンの両側に並置して設けられた第１の
位相シフタパターンおよび第２の位相シフタパターンと
から構成される位相シフトマスクパターンであって、第
１および第２の位相シフタパターンは、遮光パターン下
方での光強度が該遮光パターンから被投影体に向かう方
向に沿って変動することとなるように、これら位相シフ
タパターンを透過した光と本来の光透過領域を透過した
光との間に干渉を生じさせる位相角のものとなっている
ことを特徴とする。

【０００８】また、この発明の第２の位相シフトマスク
パターンによれば、位相シフタパターンと、該位相シフ
タパターンの両側に並置して設けられた第１の遮光パタ
ーンおよび第２の遮光パターンとから構成される位相シ
フトマスクパターンであって、位相シフタパターンは、
該位相シフタパターン下方での光強度が該位相シフタパ
ターンから被投影体に向かう方向に沿って変動すること
となるように、該位相シフタパターンを透過した光と本
来の光透過領域を透過した光との間に干渉を生じさせる
位相角のものとなっていることを特徴とする。

【０００９】また、この発明の第３の位相シフトマスク
パターンによれば、交差状の遮光パターンと、該遮光パ
ターンによって区画される４つの領域のうち、交差点を
挟んで対向する２つの領域に設けられた第１の位相シフ
タパターンおよび第２の位相シフタパターンとから構成
される位相シフトマスクパターンであって、第１および
第２の位相シフタパターンは、遮光パターン下方での光
強度が該遮光パターンから被投影体に向かう方向に沿っ
て変動することとなるように、これら位相シフタパター
ンを透過した光と本来の光透過領域を透過した光との間
に干渉を生じさせる位相角のものとなっていることを特
徴とする。

【００１０】また、この発明の第４の位相シフトマスク
パターンによれば、交差状の位相シフタパターンと、該
位相シフタパターンによって区画される４つの領域のう
ち、交差点を挟んで対向する２つの領域に設けられた第
１の遮光パターンおよび第２の遮光パターンとから構成
される位相シフトマスクパターンであって、位相シフタ
パターンは、該位相シフタパターン下方での光強度が該
位相シフタパターンから被投影体に向かう方向に沿って
変動することとなるように、該位相シフタパターンを透
過した光と本来の光透過領域を透過した光との間に干渉
を生じさせる位相角のものとなっていることを特徴とす
る。

【００１１】このようなこの発明の第１〜第４の位相シ
フトマスクパターンのように、位相シフトマスクパター
ンを構成すれば、遮光パターン（第２および第４の位相
シフトマスクパターンの場合には、位相シフタパター
ン）下方での光強度が該遮光パターン（第２および第４
の位相シフトマスクパターンの場合には、位相シフタパ
ターン）から被投影体に向かう方向に沿って変動するた
め、位相シフトマスクパターンによって被投影体上に形
成される投影像についての光強度プロファイルは、被投
影体が露光装置の光軸上のどの位置にあるかによって大
きく変化することとなる。また、光軸上の各位置での光
強度プロファイルをどのようなものとするかは、位相シ
フタパターンの位相角および寸法、並びに遮光パターン
の寸法を変更することによってあらかじめ決めることが
できる。このため、位相シフタパターンの位相角および
寸法、並びに遮光パターンの寸法を固定して、この位相
シフトマスクパターンにより特定の光強度プロファイル
を得ようとした場合、該光強度プロファイルが得られる
被投影体の上記光軸上の位置は１点に定まるといえる。
もちろん、１点というのは、露光装置の結像位置の確認
・調整のために被投影体としてのウエハステージを上記
光軸に沿って移動させる範囲内でいえば１点であろう、
という意味である。従って、上記特定の光強度プロファ
イルを検出することで、上記光軸上の特定の位置を検出
できることになる。

【００１２】上述の点からして、この発明の第１〜第４
の位相シフトマスクパターンのいずれか１つを、例えば
回路パターン形成用のホトマスクの一部に設けること
で、回路パターンの結像位置の検出・調整が可能にな
る。例えば次のようである。この発明の位相シフトマス
クパターンを回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設け、さらにこの位相シフトマスクパターンにより上記
特定の光強度プロファイルが得られる被投影体の位置
と、回路パターンの所望の結像位置となる被投影体の位
置との相対距離をあらかじめ設定しておけば、上記回路
パターンの結像位置の確認・調整は、上記特定の光強度
プロファイルが検出されるように被投影体を上記光軸に
沿って移動させた後、さらに上記相対距離だけ被投影体
を移動させることで可能になる。もちろん、回路パター
ンの所望の結像位置となる被投影体の位置と、上記特定
の光強度プロファイルが得られる被投影体の位置とが等
しくなるように、すなわち上記相対距離が実質０となる
ように、位相シフトマスクパターンを設計してあっても
良く、その場合、上記回路パターンの結像位置の調整
は、上記特定の光強度プロファイルが検出されるように
被投影体を上記光軸に沿って移動させるだけで可能にな
る。なお、上記特定の光強度プロファイルとして、なる
べく検出が容易なものが望ましい。その点からすると、
プロファイル中の光強度の最大値と最小値との差が大と
なっている光強度プロファイル（後述の図２中のａ〜ｃ
の例でいえば、ｃで示す光強度プロファイル）に着目す
るのがよい。

【００１３】また、光強度プロファイル自体を検出する
場合に限らず、あるポイントでの光強度を検出する場合
であっても、そのポイントでの特定の光強度が得られる
被投影体の位置と、回路パターンの所望の結像位置とな
る被投影体の位置との相対距離をあらかじめ設定してお
けば、上述した方法と同様にして、結像位置の確認・調
整が可能になる。

【００１４】なお、この発明の第１および第２の位相シ
フトマスクパターンの場合、遮光パターン（第２の位相
シフトマスクパターンの場合には、位相シフタパター
ン）はこれが設けられる平面内に対称軸を有しており、
該対称軸に対して第１および第２の位相シフタパターン
は互いに線対称であるのが良い。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の各実施の形態について説明する。なお、説明に用いる
各図は、この発明を理解出来る程度に各構成成分の形
状、大きさ、および配置関係を概略的に示してあるにす
ぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成
成分については同一の番号を付して示している。また、
以下の説明で述べる位相シフタパターンの寸法および遮
光パターンの寸法等の数値的条件は、この発明の好適例
にすぎない。従って、この発明がこれらの条件にのみ限
定されるものでないことは理解されたい。

【００１６】１．第１の実施の形態図１は第１の実施の形態の説明に供する位相シフトマス
クパターンである。図１に示すように、この実施の形態
の位相シフトマスクパターン１００は、長方形の遮光パ
ターン１１と、遮光パターン１１を挟んでその長辺の両
側に、長辺に接して設けられた第１の位相シフタパター
ン１３ａおよび第２の位相シフタパターン１３ｂとから
構成され、全体として長方形を成している。そして、遮
光パターン１１の中心を通り、長辺に平行な軸Ｓに対し
て第１および第２の位相シフタパターン１３ａ、１３ｂ
は線対称に配置されている。例えば、マスク上での遮光
パターン１１の短辺の寸法は２．５μｍ、長辺の寸法は
２５μｍであり、第１および第２の位相シフタパターン
１３ａ、１３ｂの短辺の寸法は２．５μｍである。な
お、これらパターン１１、１３ａ、１３ｂ各々は、露光
光に対し透過性を有する基板（図示せず。例えば石英基
板）上に設けてある（以下の各実施の形態において同
じ）。

【００１７】次に、この実施の形態の位相シフトマスク
パターン１００および本来の光透過領域としての位相シ
フトマスクパターン１００の近傍を透過する光の光強度
プロファイル（以下、単に位相シフトマスクパターン１
００の光学的プロファイルと称する。）について説明す
る。この実施の形態では、位相シフトマスクパターン１
００を構成する第１および第２の位相シフタパターン１
３ａ、１３ｂのｉ線に対する位相角が、例えば９０°の
場合の光強度プロファイルを、レンズ開口数（ＮＡ）が
０．５であり、ｉ線を露光光とする１／５縮小投影露光
装置（以下の各実施の形態において同じ。）で測定し
た。光強度の測定には、被投影体としてのＸ−Ｙステー
ジと同一面に配置されたＣＣＤ等の光強度検出器を用い
た。

【００１８】図２は縦軸に光強度（任意単位）を取り、
横軸に位置Ｘを取って示した位相シフトマスクパターン
１００の光強度プロファイルである。光強度は図１のＩ
−Ｉ線に対応する位置に沿って測定し、図２中の横軸に
示すＣの位置は遮光パターン１１の軸Ｓの位置に対応す
る。ここで、曲線ａは光源とＸ−Ｙステージとの間の距
離が露光装置の光学系の焦点距離となる位置（以下、Ｆ
＝Ｏの位置と称する場合がある。）にＸ−Ｙステージが
設定されている場合、曲線ｂはＦ＝０に位置から０．５
μｍ光源に近い位置（以下、Ｆ＝−Ｏ．５の位置と称す
る場合がある。）にＸ−Ｙステージが設定されている場
合、曲線ｃはＦ＝０の位置から０．５μｍ光源から離れ
た位置（以下、Ｆ＝＋Ｏ．５の位置と称する場合があ
る。）にＸ−Ｙステージが設定されている場合を示して
いる。

【００１９】図２中の曲線ａ、ｂおよびｃで表される光
強度プロファイルから理解できる様に、位相シフトマス
クパターン１００の光強度プロファイルは、光源とＸ−
Ｙステージとの間の距離により変化する。また、この場
合、軸Ｓに対して第１および第２の位相シフタパターン
１３ａ、１３ｂが線対称となるように配置されているた
め、図２に示す、いずれの光強度プロファイルも遮光パ
ターン１１の軸Ｓに対応する位置（図２中、Ｃで表され
る位置）を中心として左右で対称となる。また、遮光パ
ターン１１下方での光強度が遮光パターン１１から被投
影体に向かう方向に沿って変動する点も、図２中のＰ
ａ、ＰｂおよびＰｃから理解できる。そして、Ｆ＝０、
Ｆ＝＋０．５およびＦ＝−０．５の３つの条件のうち、
位相シフトマスクパターン１００およびその近傍を透過
する光の投影像についての光強度プロファイルに一番メ
リハリがつくのは、すなわち光強度の最大値と最小値の
差が最大となるのは、Ｆ＝＋０．５の条件の場合であ
る。

【００２０】このような位相シフトマスクパターン１０
０を、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設けた場合、位相シフトマスクパターン１００の光強度
プロファイルを測定することにより、回路パターンの結
像位置の確認・調整を行うことが出来る。具体的には、
例えば、あらかじめ特定の光強度プロファイルが得られ
る位置としてのＦ＝＋０．５の位置と、回路パターンの
所望の結像位置となるＸ−Ｙステージの位置との相対距
離を求めておく。そして、光強度プロファイルを検出し
ながらＦ＝＋０．５の位置にＸ−Ｙステージを移動させ
た後、上記相対距離だけＸ−Ｙステージを移動させるこ
とにより回路パターンの結像位置の確認・調整を行うこ
とが出来る。

【００２１】また、光強度プロファイル自体を検出する
場合に限らず、例えば遮光パターン１１の軸Ｓに対応す
る位置（図２中、Ｃで表される位置）での光強度を検出
する場合であってもよい。この場合にも、例えば、あら
かじめ特定の光強度が得られる位置としてのＦ＝＋０．
５の位置と、回路パターンの所望の結像位置となるＸ−
Ｙステージの位置との相対距離を求めておき、そして、
光強度を検出しながらＦ＝＋０．５の位置にＸ−Ｙステ
ージを移動させた後、上記相対距離だけＸ−Ｙステージ
だけ移動させることにより回路パターンの結像位置の確
認・調整を行うことが出来る。ただし、ここで示した方
法は、一例であってこれに限らないことは理解された
い。

【００２２】なお、この実施の形態の位相シフトマスク
パターン１００のように、遮光パターン１１の中心を通
り、長辺に平行な軸Ｓに対して第１および第２の位相シ
フタパターン１３ａ、１３ｂを線対称に配置した場合に
は、非対称に配置した場合に比べて特定の光強度プロフ
ァイルの検出がし易すくなり、従って、結像位置の確認
・調整がし易くなる。これは、遮光パターン１１の軸Ｓ
に対応する位置（図２中、Ｃで表される位置）で光強度
が最小となり（図２中、曲線ａ〜ｃ参照）、また、光源
とＸ−Ｙステージとの間の距離にかかわらず、光強度プ
ロファイルは遮光パターン１１の軸Ｓに対応する位置
（図２中、Ｃで表される位置）を中心として常に左右で
対称となるのに対し、非対称に配置した場合には、遮光
パターンの軸に対応する位置からずれた位置で光強度が
最小となり、従って光強度プロファイルは遮光パターン
の軸に対応する位置を中心として非対称となるためであ
る。

【００２３】２．第２の実施の形態図３は第２の実施の形態の説明に供する位相シフトマス
クパターンである。図３に示すように、この実施の形態
の位相シフトマスクパターン２００は、長方形の位相シ
フタパターン２１と、位相シフタパターン２１を挟んで
その長辺の両側に、長辺に接して設けられた第１の遮光
パターン２３ａおよび第２の遮光パターン２３ｂとから
構成され、全体として長方形を成している。そして、位
相シフタパターン２１の中心を通り、長辺に平行な軸Ｓ
に対して第１および第２の遮光パターン２３ａ、２３ｂ
は線対称に配置されている。例えば、マスク上での位相
シフタパターン２１の短辺の寸法は４．０μｍ、長辺の
寸法は５０μｍであり、第１および第２の遮光パターン
２３ａ、２３ｂの短辺の寸法は２．５μｍである。

【００２４】次に、この実施の形態の位相シフトマスク
パターン２００および本来の光透過領域としての位相シ
フトマスクパターン２００の近傍を透過する光の光強度
プロファイル（以下、単に位相シフトマスクパターン２
００の光強度プロファイルと称する。）について説明す
る。この実施の形態の場合も、位相シフトマスクパター
ン２００を構成する位相シフタパターン２１のｉ線に対
する位相角が、例えば９０°の場合の光強度プロファイ
ルを、レンズ開口数（ＮＡ）が０．５であり、ｉ線を露
光光とする露光装置で測定した。

【００２５】図４は縦軸に光強度（任意単位）を取り、
横軸に位置Ｘを取って示した位相シフトマスクパターン
２００の光強度プロファイルである。光強度は図３のＩ
−Ｉ線に対応する位置に沿って測定し、図４中の横軸に
示すＣの位置は位相シフタパターン２１の軸Ｓの位置に
対応する。ここで、曲線ａはＦ＝Ｏの位置にＸ−Ｙステ
ージが設定されている場合、曲線ｂはＦ＝−Ｏ．５の位
置にＸ−Ｙステージが設定されている場合、曲線ｃはＦ
＝＋Ｏ．５の位置にＸ−Ｙステージが設定されている場
合を示している。

【００２６】図４中の曲線ａ、ｂおよびｃで表される光
強度プロファイルから理解できる様に、位相シフトマス
クパターン２００の光強度プロファイルは、光源とＸ−
Ｙステージとの間の距離により変化する。また、軸Ｓに
対して第１および第２の遮光パターン２３ａ、２３ｂが
線対称となるように配置されているため、図４に示す、
いずれの光強度プロファイルも位相シフタパターン２１
の軸Ｓに対応する位置（図４中、Ｃで表される位置）を
中心として左右で対称となる。また、位相シフタパター
ン２１下方での光強度が位相シフタパターン２１から被
投影体に向かう方向に沿って変動する点も、図４中のＰ
ａ、ＰｂおよびＰｃから理解できる。そして、Ｆ＝０、
Ｆ＝＋０．５およびＦ＝−０．５の３つの条件の場合の
うち、位相シフトマスクパターン２００およびその近傍
を透過する光の投影像についての光強度プロファイルに
一番メリハリがつくのは、すなわち光強度の最大値と最
小値の差が最大となるのは、Ｆ＝−０．５の条件の場合
である。

【００２７】このような位相シフトマスクパターン２０
０を、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設けた場合、位相シフトマスクパターン２００の光強度
プロファイルを測定することにより、回路パターンの結
像位置の確認・調整を行うことが出来ることは、第１の
実施の形態の場合と同様である。

【００２８】上述したこの実施の形態では、位相シフタ
パターン２１の短辺の寸法が露光装置の解像限界となる
大きさよりも大きい場合について説明した。

【００２９】そこで、さらに、位相シフタパターン２１
の短辺の寸法が露光装置の解像限界となる大きさよりも
小さい場合をこの実施の実施の形態の変形例として説明
する。ただし、ここで位相シフタパターン２１の短辺の
寸法が露光装置の解像限界となる大きさよりも小さい場
合とは、位相シフタパターン２１を単独で石英基板に配
置して露光したときに位相シフタパターン２１の短辺の
寸法が露光装置の解像限界となる大きさよりも小さい場
合のことである。

【００３０】図５は第２の実施の形態の変形例の説明に
供する位相シフトマスクパターンである。図５に示すよ
うに、この実施の形態の変形例の位相シフトマスクパタ
ーン２１０は長方形の位相シフタパターン２１と、位相
シフタパターン２１を挟んでその長辺の両側に、長辺に
接して設けられた第１の遮光パターン２３ａおよび第２
の遮光パターン２３ｂとから構成され、全体として長方
形を成している。そして、位相シフタパターン２１の中
心を通り、長辺に平行な対称軸Ｓに対して第１および第
２の遮光パターン２３ａ、２３ｂは線対称に配置されて
いる。ここで、位相シフタパターン２１の短辺の寸法は
露光装置の解像限界となる大きさよりも小さい。例え
ば、マスク上での位相シフタパターン２１の短辺の寸法
は１．２５μｍ、長辺の寸法は１５μｍであり、第１お
よび第２の遮光パターン２３ａ、２３ｂの短辺の寸法は
２．５μｍである。

【００３１】次に、この実施の形態の変形例の位相シフ
トマスクパターン２１０および本来の光透過領域として
の位相シフトマスクパターン２１０の近傍を透過する光
の光強度プロファイル（以下、単に位相シフトマスクパ
ターン２１０の光強度プロファイルという。）について
説明する。この実施の形態の変形例の場合も、位相シフ
トマスクパターン２１０を構成する位相シフタパターン
２１のｉ線に対する位相角が、例えば９０°の場合の光
強度プロファイルを、レンズ開口数（ＮＡ）が０．５で
あり、ｉ線を露光光とする露光装置で測定した。

【００３２】図６は縦軸に光強度（任意単位）を取り、
横軸に位置Ｘを取って示した位相フトマスクパターン２
１０の光強度プロファイルである。光強度は図５中のＩ
−Ｉ線に沿って測定し、図８中の横軸に示すＣの位置は
遮光パターンの対称軸Ｓの位置に対応する。ここで、曲
線ａはＦ＝Ｏの位置にＸ−Ｙステージが設定されている
場合、曲線ｂはＦ＝−Ｏ．５の位置にＸ−Ｙステージが
設定されている場合、曲線ｃはＦ＝＋Ｏ．５の位置にＸ
−Ｙステージが設定されている場合を示している。

【００３３】図６中の曲線ａ、ｂおよびｃで表される光
強度プロファイルから理解できる様に、この実施の形態
の変形例の位相シフトマスクパターン２１０の光強度プ
ロファイルは、光源とＸ−Ｙステージとの間の距離によ
り変化する。また、軸Ｓに対して第１および第２の遮光
パターン２３ａ、２３ｂが線対称となるように配置され
ているため、図６に示す、いずれの光強度プロファイル
も位相シフタパターン２１の軸Ｓに対応する位置（図８
中、Ｃで表される位置）を中心として左右で対称とな
る。また、位相シフタパターン２１下方での光強度が位
相シフタパターン２１から被投影体に向かう方向に沿っ
て変動する点も、図６中のＰａ、ＰｂおよびＰｃから理
解できる。また、位相シフタパターン２１の短辺の寸法
は露光装置の解像限界となる大きさよりも小さいため、
いずれの光強度プロファイルも位相シフタパターン２１
の軸Ｓに対応する位置（図６中、Ｃで表される位置）で
光強度が最小となる。そして、Ｆ＝０、Ｆ＝＋０．５お
よびＦ＝−０．５の３つの条件の場合のうち、位相シフ
トマスクパターン２００およびその近傍を透過する光の
投影像についての光強度プロファイルに一番メリハリが
つくのは、すなわち光強度の最大値と最小値の差が最大
となるのは、Ｆ＝−０．５の条件の場合である。

【００３４】このような位相シフトマスクパターン２１
０を、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設けた場合、位相シフトマスクパターン２１０の光強度
プロファイルを測定することにより、回路パターンの結
像位置の確認・調整を行うことが出来ることは、第１の
実施の形態の場合と同様である。ただし、この位相シフ
トマスクパターン２１０の場合には、いずれの光強度プ
ロファイルも位相シフタパターン２１の軸Ｓに対応する
位置（図６中、Ｃで表される位置）で光強度が最小とな
るため、例えばその位置での光強度を検出することによ
り、回路パターンの結像位置の確認・調整を行う場合に
は、その位置での光強度の検出がし易くなる。以上の効
果は、遮光パターンと位相シフタパターンの配置を逆に
した場合でも同様に得られる。

【００３５】３．第３の実施の形態図７は第３の実施の形態の説明に供する位相シフトマス
クパターンである。図７に示すように、この実施の形態
の位相シフトマスクパターン３００は、正方形の遮光パ
ターン３１と、遮光パターン３１の外周に、正方形の各
辺に接して設けられた位相シフタパターン３３とから構
成されている。そして、位相シフタパターン３３の外形
は正方形であり、遮光パターン３１と相似関係となって
いる。また、遮光パターン３１の中心Ｏを通り、遮光パ
ターン３１の辺に平行な２つの軸Ｓ₁ 、Ｓ₂ に対して遮
光パターン３１および位相シフタパターン３３は対称に
配置されている。例えば、マスク上での遮光パターン３
１の外形の一辺の寸法は２．０μｍであり、位相シフタ
パターン３３の外形の一辺の寸法は４．０μｍである。

【００３６】次に、第３の実施の形態の位相シフトマス
クパターン３００および本来の光透過領域としての位相
シフトマスクパターン３００の近傍を透過する光の光強
度プロファイル（以下、単に位相シフトマスクパターン
３００の光強度プロファイルと称する。）について説明
する。この実施の形態でも、位相シフトマスクパターン
３００を構成する位相シフタパターン３３のｉ線に対す
る位相角が、例えば９０°の場合の光強度プロファイル
を、レンズ開口数（ＮＡ）が０．５であり、ｉ線を露光
光とする露光装置で測定した。

【００３７】図８は縦軸に光強度（任意単位）を取り、
横軸に位置Ｘを取って示した位相シフトマスクパターン
３００の光強度プロファイルである。光強度は図７の軸
Ｓ₁に対応する位置に沿って測定し、図８中の横軸に示
すＣの位置は遮光パターン３１の中心Ｏの位置に対応す
る。ここで、曲線ａはＦ＝Ｏの位置にＸ−Ｙステージが
設定されている場合、曲線ｂはＦ＝−Ｏ．５の位置にＸ
−Ｙステージが設定されている場合、曲線ｃはＦ＝＋
Ｏ．５の位置にＸ−Ｙステージが設定されている場合を
示している。

【００３８】図８中の曲線ａ、ｂおよびｃで表される光
強度プロファイルから理解できる様に、位相シフトマス
クパターン３００の光強度プロファイルは、光源とＸ−
Ｙステージとの間の距離により変化する。また、軸Ｓ₁
および軸Ｓ₂ に対して遮光パターン３１および位相シフ
タパターン３３が対称となるように配置されているた
め、図８に示す、いずれの光強度プロファイルも遮光パ
ターン３１の中心Ｏに対応する位置（図８中、Ｃで表さ
れる位置）を中心として左右で対称となる。また、遮光
パターン３１下方での光強度が遮光パターン３１から被
投影体に向かう方向に沿って変動する点も、図８中のＰ
ａ、ＰｂおよびＰｃから理解できる。そして、Ｆ＝０、
Ｆ＝＋０．５およびＦ＝−Ｏ．５の３条件の場合のう
ち、位相シフトマスクパターン３００およびその近傍を
透過する光の投影像についての光強度プロファイルに一
番メリハリがつくのは、すなわち光強度の最大値と最小
値の差が最大となるのは、Ｆ＝−０．５の条件の場合で
あり、その差は第１の実施の形態及び第２の実施の形態
の場合に比べて大きい。

【００３９】このような位相シフトマスクパターン３０
０を、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設けた場合、位相シフトマスクパターン３００の光強度
プロファイルを測定することにより、回路パターンの結
像位置の確認・調整を行うことが出来ることは、第１の
実施の形態の場合と同様である。ただし、この位相シフ
トマスクパターン３００の場合には、軸Ｓ₁ および軸Ｓ
₂ に対して遮光パターン３１および位相シフタパターン
３３が対称となるように配置されているため、光の投影
像についての光強度プロファイルによりメリハリがつ
き、従って、特定の光強度プロファイルの検出がし易く
なる。以上の効果は、遮光パターンと位相シフタパター
ンの配置を逆にした場合でも同様に得られる。

【００４０】４．第４の実施の形態図９は第４の実施の形態の説明に供する位相シフトマス
クパターンである。図９に示すように、この実施の形態
の位相シフトマスクパターン４００は、交差状、例えば
十文字の遮光パターン４１と、遮光パターン４１によっ
て区画される４つの領域のうち交差点Ｏ部分を挟んで対
向する２つの領域に設けられた第１の位相シフタパター
ン４３ａおよび第２の位相シフタパターン４３ｂとから
構成されている。第１および第２の位相シフタパターン
４３ａ、４３ｂは、それらが設けられる領域で正方形で
あり、正方形の２つの辺は遮光パターン４１に接してい
る。そして、交差点Ｏ部分に対して第１および第２の位
相シフタパターン４３ａ、４３ｂは点対称に配置されて
いる。例えば、マスク上での第１および第２の位相シフ
タパターン４３ａ、４３ｂの一辺の寸法は、５．０μｍ
である。また、十文字の遮光パターン４１が交差する２
つの帯から成っているとした場合、例えば、マスク上で
のその帯の長辺の寸法は１１．５μｍ、短辺の寸法は
１．５μｍである。

【００４１】次に、この実施の形態の位相シフトマスク
パターン４００および本来の光透過領域としての位相シ
フトマスクパターン４００の近傍を透過する光の光強度
プロファイル（以下、単に位相シフトマスクパターン４
００の光強度プロファイルと称する。）について説明す
る。この実施の形態でも、位相シフトマスクパターン４
００を構成する第１および第２の位相シフタパターン４
３ａ、４３ｂのｉ線に対する位相角が、例えば９０°の
場合の光強度プロファイルを、レンズ開口数（ＮＡ）が
０．５であり、ｉ線を露光光とする露光装置で測定し
た。

【００４２】図１０は縦軸に光強度（任意単位）を取
り、横軸に位置Ｘを取って示した位相シフトマスクパタ
ーン４００の光強度プロファイルである。図１０中の曲
線ａは図９のＩ−Ｉ線に対応する位置に沿って測定した
場合であり、曲線ｂは図９のＩＩ−ＩＩ線に対応する位
置に沿って測定した場合である。図１０中の横軸に示す
Ｃの位置は遮光パターン４１の交差点Ｏを通り長辺に平
行な軸Ｓの位置に対応する。また、図１１は、位相シフ
トマスクパターン４００およびその近傍を透過する光の
投影像を、図９中のＩ−Ｉ線やＩＩ−ＩＩ線に対応する
位置に沿う方向と平行な方向を主走査方向とし該投影像
の全面を線順次に走査した場合において、各主走査ごと
に得られる光強度プロファイルの光強度が顕著に小さく
なる位置の軌跡（以下、単に位相シフトマスクパターン
４００の最小光強度の軌跡と称する。）である。ここ
で、図１１中の曲線ａは、図９中の遮光パターン４１に
対応する位置で各走査ごとに得られる光強度プロファイ
ルの光強度が顕著に小さくなる位置（以下、第１の位置
と称する。）にＸ−Ｙステージが設定されている場合の
最小光強度の軌跡であり、図１１中の曲線ｂは第１の位
置からずれた位置（以下、第２の位置と称する。）にＸ
−Ｙステージが設定されている場合の最小光強度の軌跡
である。なお、図１０中に示される光強度プロファイル
は、第２の位置にＸ−Ｙステージが設定されている場合
の光強度プロファイルである。

【００４３】図１０中の曲線ａおよびｂで表される光強
度プロファイルから理解できる様に、第２の位置で光強
度プロファイルを測定した場合には、光強度が顕著に小
さくなる位置は遮光パターン４１の軸Ｓに対応する位置
（図１０中、Ｃで表される位置）からずれている。従っ
て、図１１の曲線ｂで表される様に、最小光強度の軌跡
は十文字からゆがむ。この場合、図１０中のＡ点および
Ｂ点が図１１中のＡ点およびＢ点とそれぞれ対応する。
一方、第１の位置で光強度プロファイルを測定した場合
には、光強度が顕著に小さくなる位置は遮光パターン４
１に対応する位置であり、図１１の曲線ａで表される様
に、最小光強度の軌跡は十文字となる。

【００４４】従って、第１の位置にＸ−Ｙステージが設
定されている場合の位相シフトマスクパターン４００の
最小光強度の軌跡を、特定の光強度プロファイルとして
利用した場合には、特定の光強度プロファイルの検出が
し易くなり、従って結像位置の確認・調整が容易にな
る。以上の効果は、遮光パターンと位相シフタパターン
の配置を逆にした場合でも同様に得られる。

【００４５】５．第５の実施の形態図１２は第５の実施の形態の説明に供する位相シフトマ
スクパターンである。図１２に示すように、この実施の
形態の位相シフトマスクパターン５００は、遮光パター
ンと位相シフタパターンとから構成されるパターンが、
例えば４パターン並置して設けられている。第１から第
４のパターン５５₁ 〜５５₄ は長方形の遮光パターン５
１₁ 〜５１₄ と、遮光パターン５１₁ 〜５１₄ を挟んで
その長辺の両側に、長辺に接して設けられた第１の位相
シフタパターン５３ａ₁ 〜５３ａ₃ および第２の位相シ
フタパターン５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ とから構成され、全体
として長方形を成している。そして、第１から第４のパ
ターン５５₁ 〜５５₄ において、遮光パターン５１₁ 〜
５１₄ の中心を通り、長辺に平行な軸Ｓ₁ 〜Ｓ₄ に対し
て第１および第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５３
ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ は線対称に配置されている。
第４のパターン５５₄ には位相シフタパターンは設けら
れていない。この場合、遮光パターン５１₁ 〜５１₄ の
寸法は第１から第４のパターン５５₁ 〜５５₄ のすべて
において等しい。例えば、マスク上での遮光パターン５
１₁ 〜５５₄ の短辺の寸法は２．５μｍ、長辺の寸法は
１０μｍである。また、第１および第２の位相シフタパ
ターン５３ａ₁ 〜５３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ の寸法
は各パターンによって異なっている。例えば、マスク上
での第１のパターン５５₁ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₁ 、５３ｂ₁ の短辺の寸法は４．５μ
ｍ、第２のパターン５５₂ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₂ 、５３ｂ₂ の短辺の寸法は３．０μ
ｍ、第３のパターン５５₃ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₃ 、５３ｂ₃ の短辺の寸法は１．５μ
ｍである。また、各パターン５５₁ 〜５５₄ の間隔は、
パターン間での光干渉が生じることがないようにするた
め、例えば１０μｍ以上としている。また、第１および
第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５３ａ₃ 、５３ｂ
₁ 〜５３ｂ₃ のｉ線に対する位相角を、例えば９０°と
している。

【００４６】一般に、遮光パターンおよび位相シフタパ
ターンから構成される位相シフトマスクパターンおよび
その近傍を透過する光の投影像についての光強度プロフ
ァイルは位相シフタパターンの位相角および寸法、並び
に遮光パターンの寸法によって変化する。このため、こ
の実施の形態のように、各パターン５５₁ 〜５５₄ ごと
に、第１および第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５
３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ の短辺の寸法が異なる場合
には、各パターン５５₁ 〜５５₄ ごとに光強度プロファ
イルが異なることとなる。

【００４７】このような位相シフトマスクパターン５０
０を、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部に
設けた場合、回路パターンの結像位置の確認・調整は、
複数のパターンを用いて行うことが可能となり、従って
回路パターンの結像位置の確認・調整の精度が向上す
る。ただし、第１から第４のパターン５５₁ 〜５５₄ の
うちの一部のパターンを用いて結像位置の確認・調整を
行うことも可能である。以上の効果は、遮光パターンと
位相シフタパターンの配置を逆にした場合でも同様に得
られる。

【００４８】上述した例では、遮光パターンと位相シフ
タパターンとから構成される複数のパターンが、それぞ
れ孤立して配置されている場合について説明した。

【００４９】次に、他の例として、遮光パターンと位相
シフタパターンとから構成される複数のパターンが互い
に連結して配置されている場合をこの実施の形態の第１
変形例および第２変形例として説明する。

【００５０】図１３は第５の実施の形態の第１変形例の
説明に供する位相シフトマスクパターンである。図１３
に示すように、この実施の形態の第１変形例の位相シフ
トマスクパターン５１０は、遮光パターンと位相シフタ
パターンとから構成されるパターンが、例えば４パター
ン連結して設けられている。第１から第４のパターン５
５₁ 〜５５₄ は長方形の遮光パターン５１₁ 〜５１₄
と、遮光パターン５１₁〜５１₄ を挟んでその長辺の両
側に、長辺に接して設けられた第１の位相シフタパター
ン５３ａ₁ 〜５３ａ₃ および第２の位相シフタパターン
５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ とから構成されている。そして、第
１から第４のパターン５５₁ 〜５５₄ の遮光パターン５
１₁ 〜５１₄ 並びに第１および第２の位相シフタパター
ン５３ａ₁〜５３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ が互いに連
結している。第４のパターン５５₄には位相シフタパタ
ーンは設けられていない。その際、遮光パターン５１₁
〜５１₄ の短辺の寸法は互いに等しく、隣接する遮光パ
ターンの短辺どうしが一致するように第１から第４のパ
ターン５５₁ 〜５５₄ が配置されている。従って、位相
シフトマスクパターン５１０は、見かけ上、長方形の遮
光部と、遮光部の長辺に接して設けられた階段状の第１
の位相シフタ部および第２の位相シフタ部とから構成さ
れている。例えば、マスク上での遮光パターン５１₁ 〜
５５₄ の短辺の寸法は２．５μｍであり、また、マスク
上での遮光パターン５１₁ 〜５５₄ の長辺の寸法はパタ
ーン間での光干渉が生じることがない様、例えば１０μ
ｍである。また、第１および第２の位相シフタパターン
５３ａ₁ 〜５３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ の短辺の寸法
は各パターンによって異なっている。例えば、マスク上
での第１のパターン５５₁ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₁ 、５３ｂ₁ の短辺の寸法は３．０μ
ｍ、第２のパターン５５₂ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₂ 、５３ｂ₂ の短辺の寸法は２．５μ
ｍ、第３のパターン５５₃ の第１および第２の位相シフ
タパターン５３ａ₃ 、５３ｂ₃ の短辺の寸法は２．０μ
ｍである。また、位相シフトマスクパターン５１０を構
成する第１および第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜
５３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ のｉ線に対する位相角
を、例えば９０°としている。

【００５１】従って、位相シフトマスクパターン５００
を用いて結像位置の確認・調整する方法と同様な方法を
用いて、この実施の形態の第１変形例の位相シフトマス
クパターン５１０を用いて結像位置の確認・調整を行う
ことが出来る。この場合、遮光パターンと位相シフタパ
ターンとから構成されるパターンが連結して設けられて
いるため、位相シフトマスクパターン全体の大きさを小
さくすることが出来る。これにより、配置上の自由度が
拡大する。以上の効果は、遮光パターンと位相シフタパ
ターンの配置を逆にした場合でも同様に得られる。

【００５２】また、図１４は第５の実施の形態の第２変
形例の説明に供する位相シフトマスクパターンである。
図１４に示すように、この実施の形態の第２変形例の位
相シフトマスクパターン５２０は、遮光パターンと位相
シフタパターンとから構成されるパターンが、例えば４
パターン連結して設けられている。第１から第４のパタ
ーン５５₁ 〜５５₄ は長方形の遮光パターン５１₁ 〜５
１₄ と、遮光パターン５１₁ 〜５１₄ を挟んでその両側
に設けられた第１の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５３
ａ₃ および第２の位相シフタパターン５３ｂ₁ 〜５３ｂ
₃ とから構成されている。そして、第１から第４のパタ
ーン５５₁ 〜５５₄ の遮光パターン５１₁ 〜５１₄ 並び
に第１および第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５３
ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ が互いに連結している。第４
のパターン５５₄ には位相シフタパターンは設けられて
いない。その際、すべての遮光パターン５１₁ 〜５１₄
の中心を通る軸Ｓに対して線対称となるように第１から
第４のパターン５５₁ 〜５５₄ が配置され、全体として
位相シフトマスクパターン５２０は長方形を成してい
る。要するに、位相シフトマスクパターン５２０は、見
かけ上、階段状の遮光部と、遮光部に接して設けられた
階段状の第１の位相シフタ部および第２の位相シフタ部
とから構成されている。従って、第１から第４のパター
ン５５₁ 〜５５₄ の遮光パターン５１₁ 〜５１₄ の寸法
は互いに異なり、同様に第１の位相シフタパターン５３
ａ₁ 〜５３ａ₃ の寸法、第２の位相シフタパターン５３
ｂ₁ 〜５３ｂ₃ の寸法は互いに異なっている。

【００５３】従って、遮光パターン５１₁ 〜５１₄ の寸
法、第１および第２の位相シフタパターン５３ａ₁ 〜５
３ａ₃ 、５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ の寸法を適切に設定した場
合、位相シフトマスクパターン５００を用いて結像位置
の確認・調整する方法と同様な方法を用いて、この実施
の形態の第２変形例の位相シフトマスクパターン５２０
を用いて結像位置の確認・調整を行うことが出来る。こ
の場合、遮光パターンと位相シフタパターンとから構成
されるパターンが連結して設けられているため、位相シ
フトマスクパターン全体の大きさを小さくすることが出
来る。これにより、配置上の自由度が拡大する。以上の
効果は、遮光パターンと位相シフタパターンの配置を逆
にした場合でも同様に得られる。

【００５４】この発明は上述した各実施の形態に限定さ
れるものではないことは明らかである。例えば、上述の
各実施の形態では位相シフタパターンの位相角が９０°
の場合について説明したが、位相角はこれに限らず、１
８０°の整数倍以外であれば良い。

【００５５】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の位相シフトマスクパターンによれば、遮光パター
ンおよび位相シフタパターンから構成されている。この
ため、位相シフトマスクパターンによって被投影体上に
形成される投影像についての光強度プロファイルは、被
投影体が露光装置の光軸上のどの位置にあるかによって
大きく変化することとなる。このため、この位相シフト
マスクパターンにより特定の光強度プロファイルを得よ
うとした場合、該光強度プロファイルが得られる被投影
体の上記光軸上の位置は１点に定まるといえる。従っ
て、上記特定の光強度プロファイルを検出することで、
上記光軸上の特定の位置を検出することができることに
なる。

【００５６】上述の点から、この発明の位相シフタパタ
ーンを、例えば回路パターン形成用のホトマスクの一部
に設け、さらにこの位相シフトマスクパターンにより上
記特定の光強度プロファイルが得られる被投影体の位置
と、回路パターンの所望の結像位置となる被投影体の位
置との相対距離をあらかじめ設定しておけば、上記回路
パターンの結像位置の確認・調整は、上記特定の光強度
プロファイルが検出されるように被投影体を上記光軸に
沿って移動させた後、さらに上記相対距離だけ被投影体
を移動させることで可能になる。

【００５７】また、光強度プロファイル自体を検出する
場合に限らず、あるポイントでの光強度を検出する場合
であっても、そのポイントでの特定の光強度が得られる
被投影体の位置と、回路パターンの所望の結像位置とな
る被投影体の位置との相対距離をあらかじめ設定してお
けば、結像位置の確認・調整が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の位相シフトマスクパターン
である。

【図２】第１の実施の形態の説明に供する光強度プロフ
ァイルである。

【図３】第２の実施の形態の位相シフトマスクパターン
である。

【図４】第２の実施の形態の説明に供する光強度プロフ
ァイルである。

【図５】第２の実施の形態の変形例の位相シフトマスク
パターンである。

【図６】第２の実施の形態の変形例の説明に供する光強
度プロファイルである。

【図７】第３の実施の形態の位相シフトマスクパターン
である。

【図８】第３の実施の形態の説明に供する光強度プロフ
ァイルである。

【図９】第４の実施の形態の位相シフトマスクパターン
である。

【図１０】第４の実施の形態の説明に供する光強度プロ
ファイルである。

【図１１】第４の実施の形態の説明に供する最小光強度
の位置の軌跡である。

【図１２】第５の実施の形態の位相シフトマスクパター
ンである。

【図１３】第５の実施の形態の第１変形例の位相シフト
マスクパターンである。

【図１４】第５の実施の形態の第２変形例の位相シフト
マスクパターンである。

【符号の説明】

１１，３１，４１，５１₁ 〜５１₄ ：遮光パターン１３ａ，４３ａ、５３ａ₁ 〜５３ａ₃ ：第１の位相シフ
タパターン１３ｂ，４３ｂ，５３ｂ₁ 〜５３ｂ₃ ：第２の位相シフ
タパターン２１，３３：位相シフタパターン２３ａ：第１の遮光パターン２３ｂ：第２の遮光パターン５５₁ ：第１のパターン５５₂ ：第２のパターン５５₃ ：第３のパターン５５₄ ：第４のパターン１００：第１の実施の形態の位相シフトマスクパターン２００：第２の実施の形態の位相シフトマスクパターン２１０：第２の実施の形態の変形例の位相シフトマスク
パターン３００：第３の実施の形態の位相シフトマスクパターン４００：第４の実施の形態の位相シフトマスクパターン５００：第５の実施の形態の位相シフトマスクパターン５１０：第５の実施の形態の第１変形例の位相シフトマ
スクパターン５２０：第５の実施の形態の第２変形例の位相シフトマ
スクパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】遮光パターンと、該遮光パターンの両側
に並置して設けられた第１の位相シフタパターンおよび
第２の位相シフタパターンとから構成される位相シフト
マスクパターンであって、前記第１および第２の位相シフタパターンは、前記遮光パターン下方での光強度が該遮光パターンから
被投影体に向かう方向に沿って変動することとなるよう
に、これら位相シフタパターンを透過した光と本来の光
透過領域を透過した光との間に干渉を生じさせる位相角
のものとなっていることを特徴とする位相シフトマスク
パターン。
【請求項２】位相シフタパターンと、該位相シフタパ
ターンの両側に並置して設けられた第１の遮光パターン
および第２の遮光パターンとから構成される位相シフト
マスクパターンであって、前記位相シフタパターンは、該位相シフタパターン下方での光強度が該位相シフタパ
ターンから被投影体に向かう方向に沿って変動すること
となるように、該位相シフタパターンを透過した光と本
来の光透過領域を透過した光との間に干渉を生じさせる
位相角のものとなっていることを特徴とする位相シフト
マスクパターン。
【請求項３】請求項１に記載の位相シフトマスクパタ
ーンにおいて、前記遮光パターンはこれが設けられる平
面内に対称軸を有しており、該対称軸に対して前記第１
および第２の位相シフタパターンは互いに線対称である
ことを特徴とする位相シフトマスクパターン。
【請求項４】請求項２に記載の位相シフトマスクパタ
ーンにおいて、前記位相シフタパターンはこれが設けら
れる平面内に対称軸を有しており、該対称軸に対して前
記第１および第２の遮光パターンは互いに線対称である
ことを特徴とする位相シフトマスクパターン。
【請求項５】交差状の遮光パターンと、該遮光パター
ンによって区画される４つの領域のうち、交差点を挟ん
で対向する２つの領域に設けられた第１の位相シフタパ
ターンおよび第２の位相シフタパターンとから構成され
る位相シフトマスクパターンであって、前記第１および第２の位相シフタパターンは、前記遮光パターン下方での光強度が該遮光パターンから
被投影体に向かう方向に沿って変動することとなるよう
に、これら位相シフタパターンを透過した光と本来の光
透過領域を透過した光との間に干渉を生じさせる位相角
のものとなっていることを特徴とする位相シフトマスク
パターン。
【請求項６】交差状の位相シフタパターンと、該位相
シフタパターンによって区画される４つの領域のうち、
交差点を挟んで対向する２つの領域に設けられた第１の
遮光パターンおよび第２の遮光パターンとから構成され
る位相シフトマスクパターンであって、前記位相シフタパターンは、該位相シフタパターン下方での光強度が該位相シフタパ
ターンから被投影体に向かう方向に沿って変動すること
となるように、該位相シフタパターンを透過した光と本
来の光透過領域を透過した光との間に干渉を生じさせる
位相角のものとなっていることを特徴とする位相シフト
マスクパターン。