KR920013791A - 엘렉트로 루미네센스 소자의 구조 및 제조 방법 - Google Patents

엘렉트로 루미네센스 소자의 구조 및 제조 방법 Download PDF

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KR920013791A
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김치영
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이헌조
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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Abstract

내용 없음

Description

엘렉트로 루미네센스 소자의 구조 및 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 포토다이오드설치 상태도, 제4도는 본 발명의 구조단면도, 제5도는 본 발명의 공정단면도

Claims (2)

  1. 엘렉트로 루미네센스 소자에 있어서, 주위의 빛의 세기가 명암에 따라 자동 콘트라스트 조절이 이루어질수 있도록 엘렉트로 루미네센스 픽셀 사이에 이 팩셀과 소정 비율의 갯수로 광센서인 포토다이오드를 형성하여 구성함을 특징으로 하는 엘렉트로 루미네센스 소자의 구조.
  2. 글래스기판위에 MozTaYNz질화막을 일정 두께로 형성하는 단계와, 이위에 MoxTaY막을 일정두께로 형성하고 애노다이징을 실시하여 MoxTaYOz산화막을 형성한 다음 이를 패터닝하는 단계, 상기MoxTaYOz산화막위에 형광층과 절연층을 각각 일정 두께로 형성하여 엘렉트로 루미네센스부를 형성시키는 단계, 상기 엘렉트로 루미네센스부 소정 갯수식 픽셀사이에 Cr막을 일정 두께로 형성하고 상기 크롬막위에 a-Si막을 일정 두께로 형성하고 패터닝하여 포토다이오드를 형성하는 단계, 상기 픽셀과 포토다이오드위에 투명 전극을 형성하는 단계, 포토다이오드 배면에 금속 전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 엘렉트로 루미네센스 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900021358A 1990-12-21 1990-12-21 엘렉트로 루미네센스 소자의 구조 및 제조 방법 KR930011910B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100769444B1 (ko) * 2006-06-09 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치
KR100776498B1 (ko) * 2006-06-09 2007-11-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법

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US7872288B2 (en) 2006-06-09 2011-01-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

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