KR930015128A - 포트 다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토다이오드의 투명 전극과 비정질 실리콘층 사이에 SiO2로 된 장벽층을 형성하여 전자장벽을 높혀주고 투명 전극에서 인듐의 확산이동을 방지하여 소자특성을 향상시키도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 포토 다이오드 구조도.
Claims (1)
- 유리기판위에 하부전극 Cr 금속(1)을 증착 패턴하는 공정과, a-Si층(2)을 증착한 후 기판온도 250℃ 산소부위 상태에서 O2플라즈마 산화법에 의해 SiO2층(4)을 생성하는 공정과, 투명전극층(3)을 증착 패턴하는 공정을 포함하도록 한 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024980A KR930015128A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 포트 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024980A KR930015128A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 포트 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015128A true KR930015128A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67345904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024980A KR930015128A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 포트 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930015128A (ko) |
-
1991
- 1991-12-30 KR KR1019910024980A patent/KR930015128A/ko not_active Application Discontinuation
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