KR930015143A - Ito막의 형성방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
액정표시장치의 기본구성 재료인 투명전극 유리기판의 ITO 성막기술의 개선에 관한 것으로 산화실리콘이 형성된 유리기판상에 IT막을 형성하는 ITO막 형성방법에 있어서, 상기 유리기판상에 IT막을 코팅하는 제1단계와, 상기 IT막을 패터닝하는 제2단계와, 어닐링하여 ITO막을 형성하는 제3단계로 이루어져, 원가절감 및 생산속도 증가, 검사방법 단순화, 열처리 방법에 의한 ITO 투명전극 특성제어, 다양하고 폭넓은 성막기법을 사용할 수 있는 ITO막 형성방법.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명의 LCD 제조방법을 설명하는 공정도이다.
Claims (4)
- 산화실리콘이 형성된 투명유리 기판상에 ITO막을 형성하는 ITO막 형성방법에 있어서, 상기 투명유리 기판상에 IT막을 코팅하는 제1단계와, 상기 IT막을 패터닝하는 제2단계와, 어닐링하여 ITO막을 형성하는 제3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ITO막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 IT막은 IT메탈 타겟을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 ITO막 형성방법.
- 제1항 및 제2항에 있어서, IT막은 아르곤(Ar)가스 분위기에서 산소가스(O2)는 배제시킨 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 ITO막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 IT막의 형성은 스프레이법, 디핑법, 스프터법 및 스핀 코트법 중 그 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 ITO막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024662A KR100241607B1 (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito막의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024662A KR100241607B1 (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito막의 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015143A true KR930015143A (ko) | 1993-07-23 |
| KR100241607B1 KR100241607B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19326266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024662A KR100241607B1 (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito막의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100241607B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002296609A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619468A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明電極形成用インキ |
-
1991
- 1991-12-27 KR KR1019910024662A patent/KR100241607B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100241607B1 (ko) | 2000-02-01 |
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