KR920001765A - 고온 초전도 박막의 제조방법 - Google Patents

고온 초전도 박막의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920001765A
KR920001765A KR1019900009362A KR900009362A KR920001765A KR 920001765 A KR920001765 A KR 920001765A KR 1019900009362 A KR1019900009362 A KR 1019900009362A KR 900009362 A KR900009362 A KR 900009362A KR 920001765 A KR920001765 A KR 920001765A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high temperature
thin film
temperature superconducting
superconducting thin
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019900009362A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0174382B1 (ko
Inventor
송이헌
윤석열
Original Assignee
서주인
삼성전기 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서주인, 삼성전기 주식회사 filed Critical 서주인
Priority to KR1019900009362A priority Critical patent/KR0174382B1/ko
Publication of KR920001765A publication Critical patent/KR920001765A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0174382B1 publication Critical patent/KR0174382B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0408Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고온 초전도 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리 증측막을 형성시킨 상태의 단면도
제2도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리를 증착시킨 다음 어닐링(annealing)시켜 구리가 확산됨으로서 형성된 고온 초전도 박막의 단면도.
제3도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리 증착막을 형성시킨 상태의 단면도.

Claims (5)

  1. Y1Ba2Cu1Oy기판 또는 표면을 용융(melting)시킨 Y1Ba2+xCu3-y`Oz기판에 구리 (Cu)를 진공증착시켜 중착막을 형성한 다음, 이를 어닐링(annealing)하여 구리를 기판내로 확산시킴을 특징으로 하는 Y1Ba2Cu3O7고온 초전도 박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, Y1Ba2+xCu3-y`Oz 기판 조성은 0〈x〈1, 1〈y`〈2로 함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, Y1Ba2+xCu3-y`Oz기판 표면의 용융은 1200~1300°C의 범위내에서 단시간 동안 열처리를 행함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, Cu증착막을 0,5~2㎛두께로 형성함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 어닐링은 산소분위기하에서 700~900°C로 가열한 다음에 3°C/min의 속도로 냉각시킴을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009362A 1990-06-23 1990-06-23 고온 초전도 박막의 제조방법 KR0174382B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900009362A KR0174382B1 (ko) 1990-06-23 1990-06-23 고온 초전도 박막의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900009362A KR0174382B1 (ko) 1990-06-23 1990-06-23 고온 초전도 박막의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920001765A true KR920001765A (ko) 1992-01-30
KR0174382B1 KR0174382B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19300451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900009362A KR0174382B1 (ko) 1990-06-23 1990-06-23 고온 초전도 박막의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0174382B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100600058B1 (ko) * 2004-10-30 2006-07-13 한국전력공사 구리기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100600058B1 (ko) * 2004-10-30 2006-07-13 한국전력공사 구리기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0174382B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60118164D1 (de) Oberflächenbehandeltes, elektrisch leitfähiges metallteil und verfahren zur herstellung desselben
ES8504502A1 (es) Procedimiento para fabricar lunas.
KR860001027A (ko) 자립성 세라믹 물질의 제조방법
JPS63236545A (ja) 触媒担体及びその製造法
DK1060140T3 (da) Termisk højbelastbar, varmereflekterende belægning
KR880011033A (ko) 티타늄 옥시니트라이드 피복물을 갖는 가공품 및 그 생산방법
ATE138501T1 (de) Schichten von supraleiteroxyden mit hohem tc und verfahren zu deren herstellung
KR890003053A (ko) 산화 초전도 물질 코팅방법
KR920001765A (ko) 고온 초전도 박막의 제조방법
JPS6486577A (en) Preparation of superconductive oxide film
KR910006513A (ko) 슬라이딩 베어링의 제조방법
KR960031366A (ko) 펀칭성 향상 결정 이방성 전기강 제조에서의 산화 마그네슘 코팅 및 처리
JPS5429555A (en) Heat sink constituent
KR860006768A (ko) 광자기 기록매체와 그 제조방법
KR860003587A (ko) 자기 기록매체 및 그의 제조방법
JPS6411380A (en) Manufacture of josephson element
JPS572876A (en) Formation of copper film on inorganic oxide substrate
JPS6421943A (en) Semiconductor device
JPS5472676A (en) Lead frame having alloy intermediate layer
JPS648521A (en) Optical recording medium
KR920001624A (ko) 고온 초전도 박막의 제조방법
KR920003569A (ko) 란탄늄 알루미네이트 박막의 제조방법
KR900015579A (ko) 박막이엘 소자의 제조방법
JPS5520250A (en) Device or member made of platinum for high temperature use
KR900015578A (ko) 박막 el 표시소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060913

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee