KR920001765A - 고온 초전도 박막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리 증측막을 형성시킨 상태의 단면도
제2도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리를 증착시킨 다음 어닐링(annealing)시켜 구리가 확산됨으로서 형성된 고온 초전도 박막의 단면도.
제3도는 본 발명의 Y1Ba2+xCu3-y`Oz산화물 기판위에 금속구리 증착막을 형성시킨 상태의 단면도.
Claims (5)
- Y1Ba2Cu1Oy기판 또는 표면을 용융(melting)시킨 Y1Ba2+xCu3-y`Oz기판에 구리 (Cu)를 진공증착시켜 중착막을 형성한 다음, 이를 어닐링(annealing)하여 구리를 기판내로 확산시킴을 특징으로 하는 Y1Ba2Cu3O7고온 초전도 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, Y1Ba2+xCu3-y`Oz 기판 조성은 0〈x〈1, 1〈y`〈2로 함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, Y1Ba2+xCu3-y`Oz기판 표면의 용융은 1200~1300°C의 범위내에서 단시간 동안 열처리를 행함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, Cu증착막을 0,5~2㎛두께로 형성함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 어닐링은 산소분위기하에서 700~900°C로 가열한 다음에 3°C/min의 속도로 냉각시킴을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019900009362A KR0174382B1 (ko) | 1990-06-23 | 1990-06-23 | 고온 초전도 박막의 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR920001765A true KR920001765A (ko) | 1992-01-30 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100600058B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2006-07-13 | 한국전력공사 | 구리기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법 |
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1990
- 1990-06-23 KR KR1019900009362A patent/KR0174382B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100600058B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2006-07-13 | 한국전력공사 | 구리기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR0174382B1 (ko) | 1999-02-01 |
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