KR920001624A - 고온 초전도 박막의 제조방법 - Google Patents

고온 초전도 박막의 제조방법 Download PDF

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KR920001624A
KR920001624A KR1019900009476A KR900009476A KR920001624A KR 920001624 A KR920001624 A KR 920001624A KR 1019900009476 A KR1019900009476 A KR 1019900009476A KR 900009476 A KR900009476 A KR 900009476A KR 920001624 A KR920001624 A KR 920001624A
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고용태
송이헌
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서주인
삼성전기 주식회사
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Abstract

내용 없음

Description

고온 초전도 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 CuAl2O4층 형성의 EDS 딥스프로파일(depth profile)을 나타내는 것으로, 점선으로 표시된 것은 Cu 이온의 프로파일 데이타(profile data)이며,
제3도는 열처리에 의한 Cu 조성물 변화 및 CuAl2O4의 형성을 나타내는 X선회절(XRD;X-ray diffration)패턴(pattern)이고,
제4도는 본 발영의 방법으로 제조된 시편의 두께에 따른 ρ-T특성을 나타내는 것이다.

Claims (3)

  1. 알루미나 기판상에 Cu 층을 형성시키고, 그 위에 YBO층을 형성시킨 다음, 열처리를 행하여 CuAl2O4완충층과 YBCO박막을 형성시킴을 특징으로 하여 알루미나 기판/CuAl2O4완충층/YBCO박막의 구조를 갖는 고온 초전도 박막을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, Cu층은 0.5∼10㎛의 두께로 형성시키며, 열처리시 알루미나 기판 및 YBO 막과 화학적으로 반응하여 CuAl2O4완충층과 YBCO박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 열처리는 0.1∼1기압의 산소 분위기하, 850∼950℃로 30∼60분, 450∼650℃에서 3∼5시간동안 행함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100586570B1 (ko) * 2004-11-25 2006-06-07 엘에스전선 주식회사 크랙 방지 구조를 갖는 초전도 선재

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