KR920001624A - 고온 초전도 박막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 CuAl2O4층 형성의 EDS 딥스프로파일(depth profile)을 나타내는 것으로, 점선으로 표시된 것은 Cu 이온의 프로파일 데이타(profile data)이며,
제3도는 열처리에 의한 Cu 조성물 변화 및 CuAl2O4의 형성을 나타내는 X선회절(XRD;X-ray diffration)패턴(pattern)이고,
제4도는 본 발영의 방법으로 제조된 시편의 두께에 따른 ρ-T특성을 나타내는 것이다.
Claims (3)
- 알루미나 기판상에 Cu 층을 형성시키고, 그 위에 YBO층을 형성시킨 다음, 열처리를 행하여 CuAl2O4완충층과 YBCO박막을 형성시킴을 특징으로 하여 알루미나 기판/CuAl2O4완충층/YBCO박막의 구조를 갖는 고온 초전도 박막을 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, Cu층은 0.5∼10㎛의 두께로 형성시키며, 열처리시 알루미나 기판 및 YBO 막과 화학적으로 반응하여 CuAl2O4완충층과 YBCO박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 열처리는 0.1∼1기압의 산소 분위기하, 850∼950℃로 30∼60분, 450∼650℃에서 3∼5시간동안 행함을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900009476A KR0166710B1 (ko) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900009476A KR0166710B1 (ko) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR920001624A true KR920001624A (ko) | 1992-01-30 |
KR0166710B1 KR0166710B1 (ko) | 1999-01-15 |
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ID=19300506
Family Applications (1)
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KR1019900009476A KR0166710B1 (ko) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR0166710B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100586570B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-06-07 | 엘에스전선 주식회사 | 크랙 방지 구조를 갖는 초전도 선재 |
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1990
- 1990-06-26 KR KR1019900009476A patent/KR0166710B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100586570B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-06-07 | 엘에스전선 주식회사 | 크랙 방지 구조를 갖는 초전도 선재 |
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Publication number | Publication date |
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KR0166710B1 (ko) | 1999-01-15 |
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