KR920008989A - Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 - Google Patents
Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 고온 초전도 박막의 제조공정도를 나타내는 것이다.
Claims (3)
- PbXSr2Ca2Cu4Oy(O＜χ＜0.5)기판에 Bi를 증착하고 열처리하여 Bi를 확산시켜 Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3Oy고온 초전도 박막을 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, PbXSr2Ca2Cu4Oy(O＜x＜0.5)기판에 Pb를 기판조성물로 첨가하고, 기판의 조성은 Sr : Ca : Cu=2 : 2 : 4로 행함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 열처리는 800∼850℃의 범위에서 행함을 특징으로 하는 고온 초전도 박막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900017561A KR0157625B1 (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900017561A KR0157625B1 (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920008989A true KR920008989A (ko) | 1992-05-28 |
| KR0157625B1 KR0157625B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=19305454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900017561A KR0157625B1 (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0157625B1 (ko) |
-
1990
- 1990-10-31 KR KR1019900017561A patent/KR0157625B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0157625B1 (ko) | 1998-10-15 |
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