KR960029853A - 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법 - Google Patents

태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법 Download PDF

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KR960029853A KR1019950000180A KR19950000180A KR960029853A KR 960029853 A KR960029853 A KR 960029853A KR 1019950000180 A KR1019950000180 A KR 1019950000180A KR 19950000180 A KR19950000180 A KR 19950000180A KR 960029853 A KR960029853 A KR 960029853A
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Abstract

이 발명은 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법에 관한 것으로서, 태양전지를 액정디스플레이 기판에 내장시켜 생산(through put)에 영향을 미치지 않으면서도 전원을 해결하는 다기능 고집적의 액정디스플레이 패널을 제공하기 위한 것으로, 액정디스플레이의 전원 장치를 내장하기 위하여 기판의 한쪽에는 박막 트랜지스터를 다른 한쪽에는 태양전지를 동시에 형성하고, 액정디스플레이를 반사형으로 구성하여 태양전지측의 (-)전극을 반사층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 피널 및 제조방법에 관한 것이다.

Description

태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 실시예에 따른 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 측단면도이고, 제2도는 이 발명의 실시예에 따른 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 공정순서를 나타낸 측단면도이다.

Claims (19)

  1. 박막트랜지스터가 형성되어 있는 면(이하 A면이라고 함)의 기판(1-1)과 태양전지가 형성되어 있는 면(이하B면이라고 함)의 기판(1-2)으로 이루어져 있는 양면기판(1-1, 1-2)부와; 상기 양면기판(1-1, 1-2)위에 적층되어 있는 A면금속층(2-1) 패턴과 B면 금속층(2-2)으로 이루어져 있는 금속층(2-1, 2-2)부와; 상기 금속층(2-1, 2-2) 위에 적층되어 있는 A면 절연막(3-1) 패턴과 B면 절연막(3-2)으로 이루어진 절연막(3-1, 3-2)부와; 상기 A면 절연막(3-1) 패턴 위에 적층되어 있는 게이트전막(4)과; 상기 게이트절연막(4) 위에 적층되어 있는 A면 반도체층(5-1, 5-3)패턴과; 상기 게이트절연막(4)과 상기 B면 절연막(3-2) 위에 각각 적층되어 있는 A면 불순물 반도체층(8-1)과 B면 불순물 반도체층(8-2)으로 이루어진 불순물 반도체층(8-1, 8-2, 8-3)부와; 상기 B면의 불순물반도체층(8-2) 위에 적층되어 있는 제2반도체층(10)과; 상기 제2반도체층(10) 위에 적층되어 있는 제2불순물반도체층(13)부와; 상기 게이트절연막(4)과 A면 반도체층(5-1, 5-3) 패턴과 A면 불순물반도체층(8-1, 8-3)의 상부를 둘러싸는 형태로 적층되어 있는 층간절연막(14) 패턴과; 상기 불순물반도체층(8-1, 8-3)과 연결되게 형성되어 있는 금속배선(15) 패턴과; 상기 불순물반도체층(8-1, 8-3)과 연결되게 A면 전극(16-1) 패턴과 상기 제2불순물반도체층(8-2)의 상부에 B면 전극(16-2)으로 각각 형성되어 있는 전극부(16-1, 16-2)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 B면 금속층(2-2)은 태양전지의 (+)단자로 사용하고, 상기 b면 전극(16-2)은 태양전지의 (-)전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양면기판부(1-1, 1-2)는 유리, 석영, 플라스틱 등의 투명기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속층부(2-1, 2-2)는 알루미늄 또는 탄탈륨 또는 크롬을 사용하는 것을 특징으로하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속층부(2-1, 2-2)는 그 두께를 5000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지가내장된 액정디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연막부(3-1, 3-2)는 산화막(SiO2) 또는 질화막(SiNX)으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서, 상기 A면 반도체층(5-1, 5-3)은 그 두께를 1000Å으로 하고, B면 반도체층(5-2)은 그 두께를 수㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  8. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스터(7-1) 패턴이 형성된 부분은 구동회로의 피엠오에스(PMOS:positivemetal oxide silicon) 소자를 형성하고 상기 포토레지스터(7-2) 패턴이 형성된 부부은 구동회로 및 화소의 엔엠오에스(NMOS)소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2불순물반도체층(13)은 그 두께가 수백Å 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  10. 제1항에 있어서, 상기 상기 전극(16-1, 16-2)은 ITO또는 SnO2또는 ZnOB등을 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널.
  11. 박막트랜지스터가 형성되어 있는 면(이하 A이라고 함)의 기판(1-1)과 태양전지가 형성되어 있는 면(이하B면이라고 함)의 기판(1-2)으로 이루어져 있는 양면기판부(1-1, 1-2) 위에 A면 금속층(2-1)과 B면 금속층(2-2)으로 이루어진 금속층부(2-1, 2-2)를 각각 형성한 다음, 상기 금속층(2-2) 위에 A면 절연막(3-1)과 B면 절연막(3-2)으로 이루어진절연막부(3-1, 3-2)를 형성한 후, 상기 A면 금속층(2-1) 및 절연막(3-1)을 사진식각하여 A면 금속층(2-1) 및 절연막(3-1)패턴을 형성한 다음, 상기 A면 절연막(3-1) 패턴의 상부에 게이트전막(4)을 적층하는 제1단계와; 상기 게이트전막(4)과상기 B면 절연막(3-2) 위에 A면 반도체층(5-1, 5-3)과 B면 반도체층(5-2)으로 이루어진 반도체층부(5-1, 5-2, 5-3)를 각각 형성하고, 상기 A면 반도체층(5-1, 5-3)을 사진식각하여 A면 반도체층(5-1, 5-3) 패턴을 형성하는 제2단계와; 상기 A면 반도체층(5-1) 패턴 상부에 부분적으로 포토레지스터를 도포한 후 사진하여 포토레지스터(7-1) 패턴을 형성한 후, A면반도체층(5-1)과 B면 반도체층(5-2)에 각각 이온주입하여 포토레지스터(7-1) 패턴을 제외한 A면의 일부분 및 B면의 전면에 각각 불순물반도체층부(8-1, 8-2)를 형성하는 제3단계와; 상기 B면의 불순물반도체층(8-2) 위에 제2반도체층(10)을 형성한 후 상기 A면 반도체층(5-3) 패턴 상부에 부분적으로 포토레지스터를 도포한 후 사진하여 포토레지스터(7-2) 패턴을형성한 후 A면 반도체층(5-3)과 B면 반도체층(10)에 각각 이온주입하여 포토레지스터(7-2)를 제외한 A면의 일부분 및 B면의 전면에 각각 불순물반도체층(8-3, 13)을 형성하는 제4단계와, 상기 A면 불순물반도체층(8-1, 8-3) 패턴 상부에 층간절연막(14)을 형성한 후 사진식각하여 콘택홀을 형성한 다음, 상기 층간절연막(14) 패턴의 상부에 금속배선(15)을 형성한후 사진식각하여 금속배선(15) 패턴을 형성한 다음, 상기 층간절연막(14) 패턴 및 상기 제2불순물반도체층(13) 위에 각각전극(16-1, 16-2)을 형성한 후 사진식각하여 전극(16-1, 16-2) 패턴을 형성하는 제5단계로 이루어져 있는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1단계의 절연막(3-1, 3-2)은 섭씨 300도 이하의 저온에서 화학기상증착기법(PECVD)으로 양면기판부(1-1, 1-2)의 양면에 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 제2단계의 반도체층부(5-1, 5-2, 5-3)는 SiH4, Si2H6등의 실리콘계열 기체를 사용하여플라즈마 화학기상증착기법(PECVD)을 이용하여 섭씨 300도씨 이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제2단계의 B면 반도체층(5-2)은 (+)전극을 위해 새도우 마스크를 사용하여 B면 금속층(2-2)의 일부분에 다른막이 증착되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제2단계의 A면 반도체층(5-1, 5-3) 패턴 형성후 구동회로 부분은 XeCl, ArF, KrF등을 사용한 레이저 어닐을 이용하여 결정화시키는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제3단계의 불순물반도체층(8-1, 8-2)은 B2H6를 이용하여 이온주입을 하여 P형반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 제3단계의 포토레지스터(7-1) 패턴이 형성된 부분은 구동회로의 피엠오에스(PMOS:positive type metal oxide silicon) 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 제4단계의 A면 제2불순물반도체층(8-3)과 제2불순물반도체층(13)은 상기 A면 반도체층(5-3)과 B면 제2반도체층(10)을 PH3를 이용하여 이온주입하여 N형반도체층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제4단계의 제2불순물반도체층(13)은 별도로 이온주입 활성 어닐을 하지않아도 되는 것을 특징으로 하는 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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