KR960035136A - 사입사용 노광마스크 - Google Patents

사입사용 노광마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR960035136A
KR960035136A KR1019950006327A KR19950006327A KR960035136A KR 960035136 A KR960035136 A KR 960035136A KR 1019950006327 A KR1019950006327 A KR 1019950006327A KR 19950006327 A KR19950006327 A KR 19950006327A KR 960035136 A KR960035136 A KR 960035136A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure mask
space
pattern
auxiliary
patterns
Prior art date
Application number
KR1019950006327A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100190762B1 (ko
Inventor
배상만
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950006327A priority Critical patent/KR100190762B1/ko
Priority to TW085103465A priority patent/TW353787B/zh
Priority to US08/620,379 priority patent/US5698347A/en
Priority to CN96107367A priority patent/CN1088856C/zh
Priority to JP8108772A priority patent/JP2771150B2/ja
Priority to GB9606267A priority patent/GB2299411B/en
Priority to DE19611726A priority patent/DE19611726B4/de
Publication of KR960035136A publication Critical patent/KR960035136A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100190762B1 publication Critical patent/KR100190762B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 사입사용 노광마스크에 관한 것으로서, 다양한 크기의 스페이스가 하나의 노광마스크에 형성되는 경우 최대의 촛점심도를 갖는 스페이스의 크기 보다 스페이스를 갖는 패턴 스페이스에 보조패턴들을 형성한되, 상기 보조 패턴은 웨이터 상에 이미지를 형성하지 않는 정도의 크기를 갖는 돌기 또는 도트 형상을 반복 배열시켜 지엽적인 스페이스의 크기가 최대 촛점심도를 갖는 스페이스의 크기와 비슷하게하여 큰 스페이스를 갖는 패턴의 촛점심도를 향상시켰으므로, 이미지 콘트라스트가 균일하게 미세패턴 형성이 용이하고, 공정여유도가 향상되어 소자동작의 신뢰성 및 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

사입사용 노광마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 사입사 노광 공정을 설명하기 위한 사입사 노광장치의 개략도, 제5도는 본 발명에 따른 사입사용 노광마스크의 평면도, 제6도는 제5도에서의 선 B-B′에 따른 단면도.

Claims (7)

  1. 다양한 스페이스를 갖는 광차단막 패턴들이 투명기판상에 형성되어 있는 사입사용 노광마스크에 있어서, 상기 광차단막 패턴들 중 최소 스페이스를 갖는 패턴 보다 스페이스가 큰 패턴에 대하여 스페이스의 내측에 관분해능 보다 작은 크기의 다수개의 보조 패턴을 구비하는 사입사용 노광마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴의 크기를 노광마스크 상에서 최소폭의 크기가 노광원의 파장k에 비해 1/2 내지 5배의 크기 이내로 하는 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴이 형성되는 스페이스는 i라인의 경우 0.4~1.0㎛인 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴이 돌기 또는 렬을 이루는 도트 형상인 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴이 다수열의 도트 형상인 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴이 위상반전물질, SOG, 질화막, TiN, 경화된 감광막 및 투과율 1~10%의 반투명물질로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 사입사용 노광마스크가 콘택홀 마스크이고, 보조패턴들이 콘택홀의 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 사입사용 노광마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950006327A 1995-03-24 1995-03-24 사입사용 노광마스크 KR100190762B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006327A KR100190762B1 (ko) 1995-03-24 1995-03-24 사입사용 노광마스크
TW085103465A TW353787B (en) 1995-03-24 1996-03-22 Reticle for off-axis illumination
US08/620,379 US5698347A (en) 1995-03-24 1996-03-22 Reticle for off-axis illumination
CN96107367A CN1088856C (zh) 1995-03-24 1996-03-24 用于轴外照明的标度掩膜板
JP8108772A JP2771150B2 (ja) 1995-03-24 1996-03-25 斜入射用露光マスク
GB9606267A GB2299411B (en) 1995-03-24 1996-03-25 Reticle for off-axis illumination
DE19611726A DE19611726B4 (de) 1995-03-24 1996-03-25 Blindstruktur zur Außeraxial-Belichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006327A KR100190762B1 (ko) 1995-03-24 1995-03-24 사입사용 노광마스크

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960035136A true KR960035136A (ko) 1996-10-24
KR100190762B1 KR100190762B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=19410489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950006327A KR100190762B1 (ko) 1995-03-24 1995-03-24 사입사용 노광마스크

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5698347A (ko)
JP (1) JP2771150B2 (ko)
KR (1) KR100190762B1 (ko)
CN (1) CN1088856C (ko)
DE (1) DE19611726B4 (ko)
GB (1) GB2299411B (ko)
TW (1) TW353787B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001985A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 노광 마스크
KR20030014336A (ko) * 2001-08-09 2003-02-17 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 포커스 모니터 방법 및 포커스 모니터용 장치 및 장치의제조 방법
KR100439359B1 (ko) * 2001-06-25 2004-07-07 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 포커스 모니터 방법과 포커스 모니터용 장치 및 반도체장치의 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100236075B1 (ko) * 1997-09-29 1999-12-15 김영환 마스크 패턴
US6106979A (en) 1997-12-30 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Use of attenuating phase-shifting mask for improved printability of clear-field patterns
JPH11204397A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp パターン決定方法および露光装置に用いられるアパーチャ
US5998069A (en) * 1998-02-27 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Electrically programmable photolithography mask
US6096457A (en) 1998-02-27 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Method for optimizing printing of a phase shift mask having a phase shift error
KR100670043B1 (ko) * 1999-10-22 2007-01-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6335130B1 (en) * 2000-05-01 2002-01-01 Asml Masktools Netherlands B.V. System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
KR100837565B1 (ko) * 2002-06-14 2008-06-11 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조용 포토리소그라피 공정의 사입광 평가를 위한 마스크와 평가 방법
US20040265707A1 (en) 2003-03-31 2004-12-30 Robert Socha Source and mask optimization
DE10356699B4 (de) * 2003-11-28 2009-04-09 Qimonda Ag Lithographiesystem für richtungsabhängige Belichtung
KR100680960B1 (ko) 2005-05-18 2007-02-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 포토마스크
JP4689471B2 (ja) * 2006-01-06 2011-05-25 エルピーダメモリ株式会社 回路パターン露光方法及びマスク
JP4825060B2 (ja) * 2006-06-14 2011-11-30 富士通セミコンダクター株式会社 露光方法
US7858271B2 (en) * 2008-08-14 2010-12-28 Tdk Corporation Method of measuring dimension of pattern and method of forming pattern
CN103091970A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 上海华虹Nec电子有限公司 一种应用于方孔图形的光学临近修正方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
JPH05232675A (ja) * 1991-07-12 1993-09-10 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JPH05232674A (ja) * 1991-07-12 1993-09-10 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2676572B2 (ja) * 1991-11-18 1997-11-17 シャープ株式会社 フォトマスク
JPH05281704A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Nec Corp 半導体集積回路用ホトマスク
US5256505A (en) * 1992-08-21 1993-10-26 Microunity Systems Engineering Lithographical mask for controlling the dimensions of resist patterns
KR970003593B1 (en) * 1992-09-03 1997-03-20 Samsung Electronics Co Ltd Projection exposure method and device using mask
JPH06188270A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタの製造方法及びパターン転写マスク
US5447810A (en) * 1994-02-09 1995-09-05 Microunity Systems Engineering, Inc. Masks for improved lithographic patterning for off-axis illumination lithography
JPH07301908A (ja) * 1994-05-06 1995-11-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光用原図基板および投影露光方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439359B1 (ko) * 2001-06-25 2004-07-07 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 포커스 모니터 방법과 포커스 모니터용 장치 및 반도체장치의 제조 방법
KR20030001985A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 노광 마스크
KR20030014336A (ko) * 2001-08-09 2003-02-17 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 포커스 모니터 방법 및 포커스 모니터용 장치 및 장치의제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5698347A (en) 1997-12-16
DE19611726B4 (de) 2004-07-01
KR100190762B1 (ko) 1999-06-01
JPH0943832A (ja) 1997-02-14
CN1088856C (zh) 2002-08-07
GB9606267D0 (en) 1996-05-29
GB2299411A (en) 1996-10-02
JP2771150B2 (ja) 1998-07-02
DE19611726A1 (de) 1996-09-26
GB2299411B (en) 1998-10-07
CN1142124A (zh) 1997-02-05
TW353787B (en) 1999-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960035136A (ko) 사입사용 노광마스크
KR920013645A (ko) 투영노광방법
KR950006541A (ko) 감소형 투영 프린팅 장치에 사용되는 공간 필터
KR950001919A (ko) 회절빛 제어 마스크
KR950009902A (ko) 웨이퍼 스테퍼
KR950021055A (ko) 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR970002456A (ko) 에지강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR910008486A (ko) 노광마스크
KR937000886A (ko) 미세 레지스트 패턴의 형성 방법
KR910010645A (ko) 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크
KR910010424A (ko) 광회절격자 소자의 제조방법
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR930024107A (ko) 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask)
KR970030231A (ko) 해프톤 위상반전마스크
KR960019481A (ko) 반도체 패턴 형성 방법
KR100546185B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
JPS58194033A (ja) パレスレ−ザ−光による直接製版法及びその装置
KR970022524A (ko) 해프톤 위상 반전 포토 마스크
KR100924348B1 (ko) 크롬리스 위상반전마스크 및 이를 이용한 노광 방법
KR970022554A (ko) 미세 패턴 형성을 위한 마스크
KR960035153A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크
KR970022531A (ko) 더미 패턴을 가지는 마스크
KR970016787A (ko) 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크
JPS59208553A (ja) 製版用焼付装置
KR970022532A (ko) 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111221

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121224

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee