JPH05232675A - ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05232675A JPH05232675A JP17210691A JP17210691A JPH05232675A JP H05232675 A JPH05232675 A JP H05232675A JP 17210691 A JP17210691 A JP 17210691A JP 17210691 A JP17210691 A JP 17210691A JP H05232675 A JPH05232675 A JP H05232675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- phase shifter
- edge
- resist
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフタのエッジを用いたパターニングに
より光学系の解像限界以下の何種類かの寸法のレジスト
パターンを同時に得ることができるホトマスク及びそれ
を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 【構成】 投影露光法により位相シフタ１１のエッジ１
１ａを用いてレジストを露光するレジストパターンの形
成にあたり、位相シフトパターン及び該位相シフトパタ
ーンのエッジに対応して微細なピッチで配列されたクロ
ムパターン１２を設けるようにしたものである。そのホ
トマスクを用いて、位相シフタのエッジラインを転写す
る。
より光学系の解像限界以下の何種類かの寸法のレジスト
パターンを同時に得ることができるホトマスク及びそれ
を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 【構成】 投影露光法により位相シフタ１１のエッジ１
１ａを用いてレジストを露光するレジストパターンの形
成にあたり、位相シフトパターン及び該位相シフトパタ
ーンのエッジに対応して微細なピッチで配列されたクロ
ムパターン１２を設けるようにしたものである。そのホ
トマスクを用いて、位相シフタのエッジラインを転写す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の製造に用い
られるホトリソグラフィ技術に係り、特にそのためのホ
トマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法に
関するものである。
られるホトリソグラフィ技術に係り、特にそのためのホ
トマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】投影露光によるホトリソグラフィ技術の
分野においても、半導体装置の高集積化に対応できる微
細なレジストパターンを形成できる技術が種々提案され
ている。それらの中で、注目されている技術の一つに位
相シフト法と称される技術がある。この位相シフト方法
は特公昭６２−５９２９６号公報に開示されいる。すな
わち、図４にその一部断面図を示すように、露光光を透
過する透過部３を具えるホトマスク５であって、透過部
３の隣り合ったものの少なくとも一対において、透過光
が干渉して強め合うことがないように、上記一対の透過
部を通過する光に位相差を与える位相シフタ７を、上記
一対の透過部の少なくとも一方に設けたものであった。
分野においても、半導体装置の高集積化に対応できる微
細なレジストパターンを形成できる技術が種々提案され
ている。それらの中で、注目されている技術の一つに位
相シフト法と称される技術がある。この位相シフト方法
は特公昭６２−５９２９６号公報に開示されいる。すな
わち、図４にその一部断面図を示すように、露光光を透
過する透過部３を具えるホトマスク５であって、透過部
３の隣り合ったものの少なくとも一対において、透過光
が干渉して強め合うことがないように、上記一対の透過
部を通過する光に位相差を与える位相シフタ７を、上記
一対の透過部の少なくとも一方に設けたものであった。
【０００３】このホトマスク５を用いることにより、遮
光部１及び透過部３のレジスト上での光コントラストが
向上するので、位相シフタ７を設けない場合よりも微細
なライン・アンドスペースパターンが得られる。このよ
うに、ウエハ上での光コントラストを上げるためにホト
マスク上に露光光の位相をずらす位相シフタ（薄い膜）
７を部分的に設けて投影露光法の解像力を向上させるも
のであった。
光部１及び透過部３のレジスト上での光コントラストが
向上するので、位相シフタ７を設けない場合よりも微細
なライン・アンドスペースパターンが得られる。このよ
うに、ウエハ上での光コントラストを上げるためにホト
マスク上に露光光の位相をずらす位相シフタ（薄い膜）
７を部分的に設けて投影露光法の解像力を向上させるも
のであった。
【０００４】また、本願出願人による提案にかかる特願
平２−１９０１６２号では、この位相シフト法を微細な
孤立パターン形成用に特に改良したマスクが示されてい
る。これは位相シフタのエッジ部を転写すると非常に細
かい暗線となることを利用したものである。例えば、現
在ＬＳＩ転写に用いられているｉ線ステッパで通常のク
ロムマスクを用いると、０．３〜０．４μｍのパターン
を形成するのが限界であるが、このマスクを用いるとポ
ジ型レジストでは残しラインパターンの、ネガ型レジス
トでは溝パターンの０．１５μｍ程度のパターンが安定
して形成できる。また、パターン寸法のコントロールは
露光量を変化させることによって行うことができる。
平２−１９０１６２号では、この位相シフト法を微細な
孤立パターン形成用に特に改良したマスクが示されてい
る。これは位相シフタのエッジ部を転写すると非常に細
かい暗線となることを利用したものである。例えば、現
在ＬＳＩ転写に用いられているｉ線ステッパで通常のク
ロムマスクを用いると、０．３〜０．４μｍのパターン
を形成するのが限界であるが、このマスクを用いるとポ
ジ型レジストでは残しラインパターンの、ネガ型レジス
トでは溝パターンの０．１５μｍ程度のパターンが安定
して形成できる。また、パターン寸法のコントロールは
露光量を変化させることによって行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た位相シフト方法では投影露光光学系の解像限界以下の
パターンで何水準かの寸法、例えば０．１５μｍ、０．
２μｍ、０．３μｍのライン等を必要とする場合にはそ
れに対応できないという問題点があった。本発明は、以
上述べた位相シフタのエッジを用いたパターニングで光
学系の解像限界以下の何種類かの寸法のレジストパター
ンを同時に得ることができるホトマスク及びそれを用い
たレジストパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
た位相シフト方法では投影露光光学系の解像限界以下の
パターンで何水準かの寸法、例えば０．１５μｍ、０．
２μｍ、０．３μｍのライン等を必要とする場合にはそ
れに対応できないという問題点があった。本発明は、以
上述べた位相シフタのエッジを用いたパターニングで光
学系の解像限界以下の何種類かの寸法のレジストパター
ンを同時に得ることができるホトマスク及びそれを用い
たレジストパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （Ａ）投影露光法により位相シフタのエッジを用いてレ
ジストを露光するレジストパターンの形成にあたり、位
相シフトパターン及び該位相シフトパターンのエッジに
対応して微細なピッチで配列された遮光パターンを設け
るようにしたものである。
成するために、 （Ａ）投影露光法により位相シフタのエッジを用いてレ
ジストを露光するレジストパターンの形成にあたり、位
相シフトパターン及び該位相シフトパターンのエッジに
対応して微細なピッチで配列された遮光パターンを設け
るようにしたものである。
【０００７】（Ｂ）前記ホトマスクにおいて、微細なピ
ッチは、用いる光学系の開口数をＮＡ、波長をλとした
ときに０．５×（λ／ＮＡ）以下とする。 （Ｃ）前記遮光パターンは長方形でありその長辺が位相
シフタのエッジに対し垂直で、その長辺が互いに平行に
配列されている。 （Ｄ）前記の配列される遮光パターンは同一形状であ
る。
ッチは、用いる光学系の開口数をＮＡ、波長をλとした
ときに０．５×（λ／ＮＡ）以下とする。 （Ｃ）前記遮光パターンは長方形でありその長辺が位相
シフタのエッジに対し垂直で、その長辺が互いに平行に
配列されている。 （Ｄ）前記の配列される遮光パターンは同一形状であ
る。
【０００８】（Ｅ）前記位相シフタの下にそのエッジに
合わせて、そのエッジのみと同等の光分布が得られる、
０．２５×（λ／ＮＡ）以下の幅の微細パターンを形成
する。 （Ｆ）前記遮光パターンは、長方形であり、その長辺が
位相シフタのエッジに対し平行で、その長辺が互いに平
行に配列されている。
合わせて、そのエッジのみと同等の光分布が得られる、
０．２５×（λ／ＮＡ）以下の幅の微細パターンを形成
する。 （Ｆ）前記遮光パターンは、長方形であり、その長辺が
位相シフタのエッジに対し平行で、その長辺が互いに平
行に配列されている。
【０００９】（Ｇ）前記の配列される遮光パターンは同
一形状である。 （Ｈ）前記位相シフタの下にそのエッジに合わせて、そ
のエッジのみと同等の光分布が得られる、０．２５×
（λ／ＮＡ）以下の幅の微細パターンを形成する。 （Ｉ）ホトマスクの位相シフタのエッジを用いてレジス
トを露光するレジストパターン形成方法において、位相
シフトパターン及び微細なピッチで配列された遮光パタ
ーンを有するホトマスクを用意し、前記位相シフタのエ
ッジラインを転写する。
一形状である。 （Ｈ）前記位相シフタの下にそのエッジに合わせて、そ
のエッジのみと同等の光分布が得られる、０．２５×
（λ／ＮＡ）以下の幅の微細パターンを形成する。 （Ｉ）ホトマスクの位相シフタのエッジを用いてレジス
トを露光するレジストパターン形成方法において、位相
シフトパターン及び微細なピッチで配列された遮光パタ
ーンを有するホトマスクを用意し、前記位相シフタのエ
ッジラインを転写する。
【００１０】（Ｊ）転写するエッジの線幅を、微細なピ
ッチで配列した遮光パターンの幅により制御する。 （Ｋ）転写するエッジの線幅を、微細なピッチで配列し
た遮光パターンのピッチにより制御する。
ッチで配列した遮光パターンの幅により制御する。 （Ｋ）転写するエッジの線幅を、微細なピッチで配列し
た遮光パターンのピッチにより制御する。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記したように、位相シフタ
のエッジを用いてパターンを形成するホトマスク及びそ
れを用いたレジストパターン形成方法において、位相シ
フタのエッジに垂直あるいは平行な、解像限界以下のク
ロムのラインパターンを解像限界以下のピッチで配置す
る。そのクロムのラインパターンはその部分のウエハ上
の光強度を一様に低下させる。これにより、ウエハ上で
の光強度を制御し、レジスト寸法を制御することができ
る。
のエッジを用いてパターンを形成するホトマスク及びそ
れを用いたレジストパターン形成方法において、位相シ
フタのエッジに垂直あるいは平行な、解像限界以下のク
ロムのラインパターンを解像限界以下のピッチで配置す
る。そのクロムのラインパターンはその部分のウエハ上
の光強度を一様に低下させる。これにより、ウエハ上で
の光強度を制御し、レジスト寸法を制御することができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
すマスクパターンを示す図である。この図に示すよう
に、マスク基板１０の透過領域上に微細なピッチの微細
な幅のクロムパターン１２と位相シフタ１１が形成され
る。ここで、作製したマスクでは、ウエハ上寸法で位相
シフタ１１は２μｍ幅で１００μｍの長さとし、クロム
パターン１２は４μｍ幅で０．１μｍの高さ、あるいは
０．２μｍの高さのものを０．４μｍピッチで配列し
た。これらのパターンでは位相シフタ１１のエッジ１１
ａ、つまり、輪郭に相当する部分が欲しいパターンとし
て転写される。クロムパターン１２はこのピッチでの配
列であると、次のパターニング実験で用いるステッパの
光学系、波長３６５μｍ、ＮＡ０．４２の条件では解像
しないで一様に光強度を低下させるにすぎない。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
すマスクパターンを示す図である。この図に示すよう
に、マスク基板１０の透過領域上に微細なピッチの微細
な幅のクロムパターン１２と位相シフタ１１が形成され
る。ここで、作製したマスクでは、ウエハ上寸法で位相
シフタ１１は２μｍ幅で１００μｍの長さとし、クロム
パターン１２は４μｍ幅で０．１μｍの高さ、あるいは
０．２μｍの高さのものを０．４μｍピッチで配列し
た。これらのパターンでは位相シフタ１１のエッジ１１
ａ、つまり、輪郭に相当する部分が欲しいパターンとし
て転写される。クロムパターン１２はこのピッチでの配
列であると、次のパターニング実験で用いるステッパの
光学系、波長３６５μｍ、ＮＡ０．４２の条件では解像
しないで一様に光強度を低下させるにすぎない。
【００１３】このように構成されたマスクパターンと、
クロムパターンを配置していない位相シフタパターン
（２μｍ×１００μｍ）を含んだマスクを作製し、パタ
ーニング実験を行なった。ここで位相シフタは電子線レ
ジストＯＥＢＲ−１００（東京応化製）を膜厚３２０μ
ｍで形成して用いた。スピンコート法により直径３イン
チ（３×２．５６ｃｍ）のシリコン基板上にポジ型レジ
ストＰＦＲ−ＴＴ−１５（日本合成ゴム製）を１μｍ厚
で塗布した。
クロムパターンを配置していない位相シフタパターン
（２μｍ×１００μｍ）を含んだマスクを作製し、パタ
ーニング実験を行なった。ここで位相シフタは電子線レ
ジストＯＥＢＲ−１００（東京応化製）を膜厚３２０μ
ｍで形成して用いた。スピンコート法により直径３イン
チ（３×２．５６ｃｍ）のシリコン基板上にポジ型レジ
ストＰＦＲ−ＴＴ−１５（日本合成ゴム製）を１μｍ厚
で塗布した。
【００１４】次いで、レジスト塗布済みのそのシリコン
基板をホットプレートを用い１００Ｃ°で９０秒間ベー
クする。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１
ＵＬII（日立製作所製）にセットし、製作したマスクを
介し、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した。その
後、１１０Ｃ°で１２０秒間ホットプレートによりベー
クし、続いてＮＭＤ−Ｗ（現像液：東京応化製）で６０
秒間のパドル現像を行なった。そこで、得られたレジス
トパターンの寸法をＳＥＭ測長機Ｓ６０００（日立製）
で測定した。
基板をホットプレートを用い１００Ｃ°で９０秒間ベー
クする。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１
ＵＬII（日立製作所製）にセットし、製作したマスクを
介し、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した。その
後、１１０Ｃ°で１２０秒間ホットプレートによりベー
クし、続いてＮＭＤ−Ｗ（現像液：東京応化製）で６０
秒間のパドル現像を行なった。そこで、得られたレジス
トパターンの寸法をＳＥＭ測長機Ｓ６０００（日立製）
で測定した。
【００１５】露光量とパターンの寸法の関係を図２に示
す。図２に示すように、例えば、露光量が２００ｍＪ／
ｃｍ2 のとき、位相シフタパターンのエッジは、（１）
下地が普通の透過領域のものは、レジストは０．１４
μｍに仕上がっているが、（２）０．１μｍクロームを
０．４μｍピッチで配列した遮光パターンを有するもの
では、レジストは０．２２μｍに、（３）０．２μｍ
クロムを０．４μｍピッチで配列した遮光パターンを有
するものでは０．３３μｍに仕上がっている。
す。図２に示すように、例えば、露光量が２００ｍＪ／
ｃｍ2 のとき、位相シフタパターンのエッジは、（１）
下地が普通の透過領域のものは、レジストは０．１４
μｍに仕上がっているが、（２）０．１μｍクロームを
０．４μｍピッチで配列した遮光パターンを有するもの
では、レジストは０．２２μｍに、（３）０．２μｍ
クロムを０．４μｍピッチで配列した遮光パターンを有
するものでは０．３３μｍに仕上がっている。
【００１６】このように同一の露光量で寸法の異なるパ
ターンを得ることができる。また、パターン寸法の制御
は配列するクロムの幅を変えることによって可能である
ことも分かる。また、３種のパターンでグラフの傾きが
同じであり位相シフタのエッジだけでの光強度分布と同
等であることが分かる。図３に、シュミレーションより
求めた０．１μｍクロムを０．４μｍピッチで配列した
上でのエッジによるもの（ａ）と透過領域上のエッジに
よるもの（ｂ）の光強度分布を示す。
ターンを得ることができる。また、パターン寸法の制御
は配列するクロムの幅を変えることによって可能である
ことも分かる。また、３種のパターンでグラフの傾きが
同じであり位相シフタのエッジだけでの光強度分布と同
等であることが分かる。図３に、シュミレーションより
求めた０．１μｍクロムを０．４μｍピッチで配列した
上でのエッジによるもの（ａ）と透過領域上のエッジに
よるもの（ｂ）の光強度分布を示す。
【００１７】この図から明らかなように、各ポジション
で光強度の比は一定であり、クロムパターンを形成した
遮光パターンを入れたものは５６％となっている。この
クロムを配列した遮光パターンは、エッジによる良好な
光強度分布を保持したまま光強度を下げることが可能で
ある。上記したように、投影露光法により位相シフタの
エッジ１１ａを用いてレジストを露光するレジストパタ
ーンの形成にあたり、位相シフトパターン１１及び該位
相シフトパターン１１のエッジ１１ａに対応して微細な
ピッチで配列された遮光パターンを設ける。また、その
遮光パターンの微細なピッチは、用いる光学系の開口数
をＮＡ、波長をλとしたときに０．５（λ／ＮＡ）以下
とする。
で光強度の比は一定であり、クロムパターンを形成した
遮光パターンを入れたものは５６％となっている。この
クロムを配列した遮光パターンは、エッジによる良好な
光強度分布を保持したまま光強度を下げることが可能で
ある。上記したように、投影露光法により位相シフタの
エッジ１１ａを用いてレジストを露光するレジストパタ
ーンの形成にあたり、位相シフトパターン１１及び該位
相シフトパターン１１のエッジ１１ａに対応して微細な
ピッチで配列された遮光パターンを設ける。また、その
遮光パターンの微細なピッチは、用いる光学系の開口数
をＮＡ、波長をλとしたときに０．５（λ／ＮＡ）以下
とする。
【００１８】更に、前記遮光パターンは、長方形であ
り、その長辺が位相シフタのエッジに対し垂直で、その
長辺が互いに平行に配列されている。図５は本発明の第
２の実施例を示すマスクパターンを示す図である。図
中、２０はマスク基板、２１は位相シフタ、２２は遮光
パターンを構成するクロムパターンであり、この実施例
においては、クロムパターン２２は、長方形であり、そ
の長辺が位相シフタ２１のエッジ２１ａに対し平行で、
その長辺が互いに平行に配列されている。そのクロムパ
ターンの幅及びピッチは図１におけるものと同様であ
る。
り、その長辺が位相シフタのエッジに対し垂直で、その
長辺が互いに平行に配列されている。図５は本発明の第
２の実施例を示すマスクパターンを示す図である。図
中、２０はマスク基板、２１は位相シフタ、２２は遮光
パターンを構成するクロムパターンであり、この実施例
においては、クロムパターン２２は、長方形であり、そ
の長辺が位相シフタ２１のエッジ２１ａに対し平行で、
その長辺が互いに平行に配列されている。そのクロムパ
ターンの幅及びピッチは図１におけるものと同様であ
る。
【００１９】このようにして構成されたホトマスクを用
いて、位相シフタのエッジラインを転写する。その転写
するエッジの線幅は、微細なピッチで配列した遮光パタ
ーンの幅及び又はピッチにより制御する。図６は本発明
の第３の実施例を示すマスクパターンを示す図である。
いて、位相シフタのエッジラインを転写する。その転写
するエッジの線幅は、微細なピッチで配列した遮光パタ
ーンの幅及び又はピッチにより制御する。図６は本発明
の第３の実施例を示すマスクパターンを示す図である。
【００２０】図中、３０はマスク基板、３１は位相シフ
タ、３２は遮光パターンを構成するクロムパターンであ
り、この実施例においては、位相シフタ３１の下にその
エッジ３１ａに合わせて、そのエッジ３１ａのみと同等
の光分布が得られる、０．２５×（λ／ＮＡ）以下の幅
の微細クロムパターン３３を形成するようにしている。
タ、３２は遮光パターンを構成するクロムパターンであ
り、この実施例においては、位相シフタ３１の下にその
エッジ３１ａに合わせて、そのエッジ３１ａのみと同等
の光分布が得られる、０．２５×（λ／ＮＡ）以下の幅
の微細クロムパターン３３を形成するようにしている。
【００２１】図７は本発明の第４の実施例を示すマスク
パターンを示す図である。図中、４０はマスク基板、４
１は位相シフタ、４２は遮光パターンを構成するクロム
パターンであり、この実施例においては、位相シフタ４
１の下にそのエッジ４１ａに合わせて、そのエッジ４１
ａのみと同等の光分布が得られる、０．２５×（λ／Ｎ
Ａ）以下の幅の微細クロムパターン４３を形成するよう
にしている。
パターンを示す図である。図中、４０はマスク基板、４
１は位相シフタ、４２は遮光パターンを構成するクロム
パターンであり、この実施例においては、位相シフタ４
１の下にそのエッジ４１ａに合わせて、そのエッジ４１
ａのみと同等の光分布が得られる、０．２５×（λ／Ｎ
Ａ）以下の幅の微細クロムパターン４３を形成するよう
にしている。
【００２２】このように、エッジには、微細クロムパタ
ーンが形成された位相シフタを用いることもできるの
で、エッジにおける乱反射が防止されたシャープなエッ
ジを具備する位相シフタを用いて、精確なレジストパタ
ーン形成を行うことができる。なお、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種
々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除
するものではない。
ーンが形成された位相シフタを用いることもできるの
で、エッジにおける乱反射が防止されたシャープなエッ
ジを具備する位相シフタを用いて、精確なレジストパタ
ーン形成を行うことができる。なお、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種
々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除
するものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明
は、位相シフタのエッジを用いるパターニングにおい
て、位相シフタのエッジに対し垂直あるいは平行なクロ
ームパターンを光学系の解像限界以下で配列するように
したので、その部分のウエハ面での光強度をコントロー
ルすることができる。そのため、０．３μｍ以下の各種
の微細なスペースやラインのレジストパターンを寸法を
形成することができる。
は、位相シフタのエッジを用いるパターニングにおい
て、位相シフタのエッジに対し垂直あるいは平行なクロ
ームパターンを光学系の解像限界以下で配列するように
したので、その部分のウエハ面での光強度をコントロー
ルすることができる。そのため、０．３μｍ以下の各種
の微細なスペースやラインのレジストパターンを寸法を
形成することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すマスクパターンを示
す図である。
す図である。
【図２】本発明にかかる露光量に対するパターン幅の特
性図である。
性図である。
【図３】本発明にかかる位相シフタのエッジからの距離
に対する相対光強度の特性図である。
に対する相対光強度の特性図である。
【図４】従来のホトマスクの一部断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すマスクパターンを示
す図である。
す図である。
【図６】本発明の第３実施例を示すマスクパターンを示
す図である。
す図である。
【図７】本発明の第４実施例を示すマスクパターンを示
す図である。
す図である。
１０，２０，３０，４０ マスク基板 １１，２１，３１，４１ 位相シフタ １１ａ，２１ａ，３１ａ，４１ａ 位相シフタのエッ
ジ １２，２２，３２，４２ クロムパターン ３３ 微細クロムパターン
ジ １２，２２，３２，４２ クロムパターン ３３ 微細クロムパターン
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｗ
Claims (11)
- 【請求項１】 投影露光法により位相シフタのエッジを
用いてレジストを露光するレジストパターンの形成にあ
たり、位相シフトパターン及び該位相シフトパターンの
エッジに対応して微細なピッチで配列された遮光パター
ンを具備するホトマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載のホトマスクにおいて、微
細なピッチは、用いる光学系の開口数をＮＡ、波長をλ
としたときに０．５×（λ／ＮＡ）以下とすることを特
徴とするホトマスク。 - 【請求項３】 請求項１記載のホトマスクにおいて、前
記遮光パターンは長方形でありその長辺が位相シフタの
エッジに対し垂直で、その長辺が互いに平行に配列され
ていることを特徴とするホトマスク。 - 【請求項４】 請求項３記載のホトマスクにおいて、配
列される遮光パターンは同一形状であることを特徴とす
るホトマスク。 - 【請求項５】 請求項３記載のホトマスクにおいて、前
記位相シフタの下にそのエッジに合わせて、そのエッジ
のみと同等の光分布が得られる、０．２５×（λ／Ｎ
Ａ）以下の幅の微細パターンを形成したことを特徴とす
るホトマスク。 - 【請求項６】 請求項１記載のホトマスクにおいて、前
記遮光パターンは、長方形であり、その長辺が位相シフ
タのエッジに対し平行で、その長辺が互いに平行に配列
されていることを特徴とするホトマスク。 - 【請求項７】 請求項６記載のホトマスクにおいて、配
列される遮光パターンは同一形状であることを特徴とす
るホトマスク。 - 【請求項８】 請求項６記載のホトマスクにおいて、前
記位相シフタの下にそのエッジに合わせて、そのエッジ
のみと同等の光分布が得られる、０．２５×（λ／Ｎ
Ａ）以下の幅の微細パターンを形成したことを特徴とす
るホトマスク。 - 【請求項９】 ホトマスクの位相シフタのエッジを用い
てレジストを露光するレジストパターン形成方法におい
て、（ａ）位相シフトパターン及び微細なピッチで配列
された遮光パターンを有するホトマスクを用意し、
（ｂ）前記位相シフタのエッジラインを転写することを
特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載のレジストパターン形成
方法において、転写するエッジの線幅を、微細なピッチ
で配列した遮光パターンの幅により制御することを特徴
とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項１１】 請求項９記載のレジストパターン形成
方法において、転写するエッジの線幅を、微細なピッチ
で配列した遮光パターンのピッチにより制御することを
特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17210691A JPH05232675A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| KR1019920012045A KR100256619B1 (ko) | 1991-07-12 | 1992-07-07 | 포토마스크 및 그것을 사용한 레지시트 패턴 형성방법 |
| US07/909,994 US5324600A (en) | 1991-07-12 | 1992-07-07 | Method of forming resist pattern and photomask therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17210691A JPH05232675A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232675A true JPH05232675A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=15935662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17210691A Withdrawn JPH05232675A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ホトマスク及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420094B1 (en) * | 1992-06-02 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Optical exposure method |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| DE19611726B4 (de) * | 1995-03-24 | 2004-07-01 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Blindstruktur zur Außeraxial-Belichtung |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP17210691A patent/JPH05232675A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420094B1 (en) * | 1992-06-02 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Optical exposure method |
| DE19611726B4 (de) * | 1995-03-24 | 2004-07-01 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Blindstruktur zur Außeraxial-Belichtung |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
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